Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Ашкрофт Н. -> "Физика твердого тела. Том 1" -> 194

Физика твердого тела. Том 1 - Ашкрофт Н.

Ашкрофт Н. , Мермин Н. Физика твердого тела. Том 1 — М.: Мир, 1979. — 458 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikatverdogotela1979.pdf
Предыдущая << 1 .. 188 189 190 191 192 193 < 194 > 195 196 197 198 199 200 .. 203 >> Следующая


Дальнейшее обсуждение задачи выходит за рамки настоящей книги — нам пришлось бы вначале заново рассмотреть все свойства блоховских функций, не требуя действительности волнового вектора к, а затем исследовать вопрос о том, как подобные блоховские функции с комплексными волновыми векторами могут быть сшиты с экспоненциально спадающими волновыми функциями в пустом пространстве. Такие решения в приближении почти свободных электронов изучаются в задаче 2.

ЗАДАЧИ

1. Некоторые задачи электростатики, связанные с контактной разностью потенциалов и двойным слоем

а) Рассмотрим плоскую поверхность металла, перпендикулярную оси х. Простейшая модель искажения плотности заряда в ячейках, близких к поверхности, заключается в том, что мы будем пренебрегать всякими изменениями в плоскости поверхности и описывать отклонение плотности заряда от ее объемного значения функцией бр (х), зависящей лишь от одной переменной X. Тогда условие отсутствия суммарного макроскопического заряда на поверхности есть

0 = jdx?p (х). (18.31)

Плотность заряда 6р (х) приводит к электрическому полю E (х), также перпендикулярному поверхноети. Выведите непосредственно из закона Гаусса (V-E = 4лбр), что, если поле обращается в нуль на одной стороне двойного слоя (как это должно быть внутри металла), то оно равно нулю и на другой его стороне. Покажите также, что работа, затрачиваемая на перемещение электрона через двойной слой, равна

Wt= - 4леР, (18.32)

где P — дипольный момент единицы поверхности, создаваемый двойным слоем. (Укаяапие. Представьте работу в виде интеграла и проведите разумным образом интегрирование по частям.)

б) Покажите, что плотность заряда, который следует дополнительно раїместить на проводящей сфере радиусом 1 см, чтобы увеличить ее потенциал от нуля до 1 В, составляет около 10"1в электрона на квадратный ангстрем.

2. Электронные поверхностные уровни в слабом периодическом потенциале1)

Методы гл. 9 можно использовать для рассмотрения электронных поверхностных уровней. Пусть мы имеем полубесконечный кристалл с плоской поверхностью, перпендикулярной вектору К обратной решетки (поверхности кристалла параллельны атомным плоскостям). Направим ось х по вектору К и выберем в качестве начала отсчета одну из точек решетки Бравэ. Тогда мы можем грубо аппроксимировать потенциал полубесконечного кристалла выражением V (г) = U (г), х < а; V (г) = 0, х > а. Здесь U (г) — периодический потенциал бесконечного кристалла. Расстояние а следует выбирать отдельно для каждой конкретной задачи, так чтобы получить потенциал V (г), который более всего напоминает реальный потенциал вблизи поверхности. Оно межет меняться от нуля до расстояния между атомными плоскостями в семействе плоскостей, параллельных поверхности.

Мы по-прежнему предполагаем, что фурье-компоненты Uk действительны. Однако, если мы хотим, чтобы наинизший уровень вне кристалла имел энергию, равную нулю, мы уже более не можем пренебрегать нулевой фурье-компонентой Ut внутри кристалла, как

1) См. работу Гудвина [3]. :370

Глава 12

это мы делали в гл. 9. Сохранив компоненту Ue, мы сдвинем на эту величину все энергии уровней в кристалле, даваемые формулами гл. 9. Заметим, что для применимости методов гл. 9 компонента Ut может и не быть малой в отличие от фурье-компонент t/K с векторами К ф 0.

Рассмотрим в бесконечном кристалле блоховский уровень с волновым вектором к, который расположен поблизости от брэгговской плоскости, определяемой вектором К, но вдали от других брэгговских плоскостей, так что в слабом периодическом потенциале волновая функция этого уровня есть линейная комбинация плоских волн с волновыми векторами кик — К. В гл. 9 действительность вектора к требовалась лишь для выполнения граничных условий Борна —Кармана. В полубескопечном кристалле, однако, составляющая вектора к, перпендикулярная поверхности кристалла, может и не быть действительной, требуется лишь, чтобы она давала волну, экспоненциально спадающую в отрицательном направлении оси х (в глубь металла). Снаружи металла блоховская функция должна быть сшита с решением уравнения Шредингера для свободного пространства, которое спадает в положительном направлении оси х (т. е. в направлении от металла). Таким образом, вне металла мы выбираем

а внутри

= '(Ск + Ск_кЄ-*П я <в| (18 34)

где кц — составляющая вектора к, параллельная поверхности, а коэффициенты в (18.34) определяются путем решения задачи па собствеппые значения (9.24) (с энергией %, сдвинутой на постоянную величину U0):

ck-t/Kck_K = 0,

-икЪ+V-n-K-v*) (18-35)

а) Покажите, что определяемые иэ уравнения (18.35) при q Ф 0 энергии будут депстви тельны, если k0 = Kl2.

б) Покажите, что значения энергии при к0 — Kll описываются выражением

'4 Иі + Т + (18.36)

в) Покажите, что из непрерывности і)> и Vi|' на поверхности следует условие

P + q=s±. Kte (18.37)

где

—Ї—= ^'0. (18.38)

cIt-K

г) Рассматривая случай а = 0 и воспользовавшись тем, что снаружи металла

покажите, что формулы (18.35) — (18.39) дают решение
Предыдущая << 1 .. 188 189 190 191 192 193 < 194 > 195 196 197 198 199 200 .. 203 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed