Ионика твердого тела. Том 1 - Иванов-Шиц А.К.
ISBN 5-288-02746-3
Скачать (прямая ссылка):
1271
11 Taylor R It Computer simulation of condenced matter Proc NATOARW
Amsterdam, 1985 P 103
12 SmghR If Rev Mod Phys 1982 Vol 12 P 358
13 Barker J A //Rare gas solids/Eds ML Klein, J A Venables London,
1976 Ch 4 P 212
14 Price SL //Phil Mag В 1996 Vol 73 P 95
15 WiUockDJ ПШ\ Mag В 1996 Vol 27 P 127
16 HeinsmgerB If Computer simulation of condenced matter Proc
NATOARW Amsterdam, 1985 P 196
17 XantheasSS //Phil Mag В 1996 Vol 27 P 107
18 Stone AG //Mol Phys 1978 Vol 36 P 1006
19 Co1boumEA,KendnckJt Mackrodt WС //Phil Mag В 1986 Vol 46 P 344
20 Mayer JE If J Chem Phys 1933 Vol 1 P 270
21 AndzelmJ, DielaL til Phys С 1977 Vol 10 P 2269
22 LyddeneBMPt HenfietdM ft Phys Rev 1958 Vol 54 P 211
23 FauxID If J Phys Chem 1974 Vol 4 P 211
24 Catbw С BA, Dtxon M ft Computer simulation of solids Lecture
notes tn physics / Eds С R A Catlow,
WC Mackrodt Berlin, 1982 Vol 166 P 57
25 Weiner SJ t KdhmnP A Xwe P Аеъ It I Amer Chem Soc 1984 Vol 106
P 765
26 RigmiR ft Computer simulation of condenced matter Proc NATOARW
Amsterdam, 1985 P 234
27 Согтаск А Ы ft Solid State Ionics 1983 Vol 8 P 187
28 Gale G D ft Phil Mag В 1996 Vol 27 P 3
29 Gordon BG t Km YS III Chem Phys 1972 Vol 56 P 3122
30 TossellJ A ft Amer Mineral 1977 Vol 62 P 136
31 Mackrodt W С, Stewart R.F til Phys Chem 1979 Vol 12 P 431
32 Mackrodt WC, Stewart BF //Ibid P 5015
33 Mdch-odt WCt Stewart BF, CampbeUC, Ifittier IM tt I Physique С 1980
Vol 7 P 64
34 Saul Pt Catlow С BA, Kendrick J //Phil Mag В 1985 Vol 51 P 107
35 Clementmi Et Corongm Gt Detrtch Jh ea // Computer simulation of
condenced matter Proc NATO ARW
Amsterdam, 1985 P 74
36 HagewmtlbrP ft Inorganic solid fluondes chemistry and physics / Ed P
Hagenmuller Orlando, 1985 P 346
Глава IV КАТИОННЫЕ ПРОВОДНИКИ
§1. Серебропроводящие твердые электролиты
1.1. Иодид серебра
Как отмечалось в гл. I, большинство ионных кристаллов обладает низкой
электролитической проводимостью: например, для низкотемпературной фазы
йодистого серебра о^1(Г8 Ом_1см~1 при комнатной температуре. Однако
ионная проводимость высокотемпературной a-фазы йодистого серебра
(температура фазового перехода Т= 147°С) возрастает скачкообразно до иу =
1,3 Ом'1см~} и сравнима с электропроводностью концентрированных жидких
электролитов (рис. IV.l.l.l). Йодистое серебро, имеющее простой
химический состав и не очень сложную кристаллическую структуру, может
служить модельным кристаллом при рассмотрении явления супернонной
проводимости [1]. Поэтому представим более подробное описание
характеристик и свойств Agl.
Синтез Agl
Для синтеза йодистого серебра может быть использована простая обменная
реакция водных растворов AgNO^ и KI [2]
AgNOs + KI->AgI и- KNO>
Особо чистый мелкокристаллический порошок Agl (с содержанием примесей
ниже 0"05 ppm) был получен [3] в результате обработки чистого
металлического серебра в парах Ц при температуре выше температуры
плавления Agl (7^ = 555°С). Синтезированный материал состоял из смеси
кубической (приблизительно 20%) и гексагональной (около 80%) модификаций.
Очистка Agl от примесей происходила [4] путем вакуумной дистилляции и
зонной плавки. Кроме того, Загородневым с соавторами [5] была показана
эффективность очистки иодида серебра методом зонной плавки с применением
эвтектических смесей Agl-RbI и Agl-И.
Для проведения прецизионных структурных и электрофизических экспериментов
необходимо наличие монокристаллических образцов, поэтому для выращивания
кристаллов Agl были использованы различные методы.
Наличие фазового перехода в Agl при относительно низких температурах
(Гл<ф - 147°С) делает практически невозможным использование рас плавных
методик для выращивания монокристаллов. Это связано с тем, что фазовый
переход сопровождается значительным изменением объема элементарной ячейки
(на 5,4%), приводящим к растрескиванию кристалла при его охлаждении.
Поэтому для получения монокристаллов применяли методы низкотемпературной
кристаллизации из растворов или гелей.
Основы выращивания кристаллов Agl из водных растворов в системах Agl-KI
(или HI)-Н30 были описаны выше (см. § 3 гл. II).
203
JgoT, Ом 1>см 1*К
103/г, к'1
Рис. IV. 1.1.1. Температурная зависимость проводимости йодистого серебра.
Каждый вариант создания пересыщения & растворе требует особой аппаратуры;
это однокамерная ростовая ячейка с тонким стеклянным стержнем в ее
верхней центральной части [6] или вставленные одна в другую стеклянные
емкости, связанные общей пористой мембраной, расположенной в нижней части
внутреннего сосуда [7], В последнем случае скорость роста регулируется
гидростатическим давлением (за счет разности высот раствора во внутреннем
и внешнем сосудах) или пористостью мембраны. Как правило* для выращивания
кристаллов используются насыщенные растворы Agl и KI с мольным
соотношением KI:AgIoT 1,5:1 до 6:1 [8],
Получаемые кристаллы относятся к [i-фазе и имеют призматический габитус,
размер вдоль оси с до 20 мм при поперечном сечении порядка 2 мм [6]*
