Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
S4. Бертолотти М.— В кн.: Труды Межд. копф. по радиационной физике полупроводников и родствеппых материалов.— Киев: Наукова думка, 1980, с. 172.
85. Ионная имплантация. Труды 2-го Советско-американского семинара.— Новосибирск: Наука, СО, 1980.
86. Искандерова 3. А., Кие А. Е., Малкин А. А., Япчук В. А.— ФТП,
1973, т. 7, с. 1755.
87. Епифанов М. С., Галкин Г. Н. и др.— ЖФТП, 1976, т. 10, с. 889.
88. Bourgoin J. С., Corbeit J. W.— Rad. Eff., 1978, v. 36, p. 15.
89. Kimerling L.-~ Sol. State Electron., 1978, v. 21, p. 1391.
90. Иванов Л. И., Никифоров 10. П., Янушкевич В. А.— ЖЭТФ, т. 67,
1974, с. 148.
91. Ван Вехтеп Дою.— В кн.: Труды Межд. копф. по радиационной физике полупроводликов и родствепных материалов.— Киев: Наукова думка, 1980.
92. Романов С. И. и др.— В кн.: Труды Межд. конф. по обработке материалов ионными пучками.— Будапешт, 1979.
93. Narayan J.— J. Appl, Phys., 1978, v. 49, № 7, p. 312.
94. Bertolotli MVitali G.— J. Appl. Phys., 1979, v. 50, № 1, p. 259.
95. Штырков E. И. и др.— В кн.: Труды Межд. раб. совещ. по ион-пому легированию полупроводников.— Будапешт, 1975, с. 212, 246.
96. Khaibullin J. 5,—Rad. Eff., 1978, v. 36, p. 225.
97. Schulz M.— Appl. Phys., 1974, v. 4, p. 91.
98. Wittmaack K., Schulz М., Hietel B.— In: Ion Implant, in Semi-cond./Ed. S. Namba.— N. Y., 1975.
99. Машкова E. С., Молчанов В. А. Рассеяние иопов средних энергий поверхностями твердых тел.—• М.: Атомиздат, 1980.
К ГЛАВЕ 8
1. Ниязова О. Р., Койфман А. И. Обзор № 2050: ЦНИИ информации.— М., 1979.
2. Труды Всесоюз. совещ. по исследованию GaAs.— Томск, 1978.
3. Птащенко А. А.— В кн.: Труды Всесоюз. совещ. по исследованию GaAs.— Томск, 1978, с. 27.
4. Вишняков А. С., Завадский В. П., Ковалев И. К.— В кн.: Труды Всесоюз. совещ. по исследованию GaAs.— Томск, 1978, с. 34.
5. Янушкевич В. А.— Физ. и хим. обработки материалов, 1979, № 2, с. 47.
6. Золотухин А. Л., Иванов Л. И., Милевский Л. С. и др.— Квант, электрон., 1975, т. 2, с. 417.
7. Дехтяр И. Я., Иванов Л. И., Карлов Н. В. и др.— Квант. Электрой., 1976, т. 3, с. 844,
360
ЛИТЕРАТУРА
8. Koehler J. S.— Rad. Eff., 1976, v. 30, p. 186.
9. Иванов Jl. П., Никифоров Ю. II., Янушкевич В. A.— ЖЭТФ,
1974, т. 67, с. 417.
10. Полянинов А. В., Гуров К. П., Янушкевич В. Л.— ЖЭТФ, 1978, т. 75, с. 617.
11. Мезох 3. П., Иванов Л. И., Янушкевич В. А., Добычина Л. Д.— Физ. п хим. обработки материалов, 1973, т, 5, № 10, с. 1012.
12. Рейнольдс Ф. X.— ТИИЭР, 1974, т. 02, с. 105.
13. Frank R., McTigue L., Provence R.— In: Proc. 26th Electron.
Components Conf.— San Francisco, 1960, p. 263.
14. Brown R. R — Preprint the Comp. Seattle.— Washington, 1907.
15. Койфман A. II. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1974.
16. Шейнкман М. К. Автореф. докт. дисс.— Киев, 1968.
17. Корсунская II. Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В., Шейнкман М. К.— Радиотехн. и электрон., 1979, т. 24, 'с. 830.
18. Грабчук В. П., Кулемин А. В,— Акуст. ж., 1976, т. 22, с. 838.
19. Gold. R. D., Weisberg Т. R.— Sol. State Electron., 1964, v. 7, p. 811.
Kimerling L. C.— IEEE Trans. Nucl. Sci., 1976, v. NS-23, p. 1497.
20. Vavilov V. S., Kiv A. E., Niyazova O. R.— Phys. Stat. Sol. (a),
1975, v. 32, p. 11.
21. Машовец Т. В., Емцев В. В. и др.— ФТП, 1974, т. 8, с. 90, 1102.
22. Ху С.— В кн.: Атомная диффузия в иолуироводппках/Под ред. Д. Шоу,— М.: Мир, 1975, с. 248.
23. Кие А. Е., Мельник И. Г. и др.— ФТП, т. 7, 1973.
24. Аброян И. А., Цехновичер Л. А.— ФТП, 1968, т. 2, с. 1221.
25. Norris С. В.— J. Appl. Phys., 1972, v. 43, p. 4060.
26. Naber J. A., James H. M.— Bull. Amer. Phys. Soc., 1958, v. 3, p. 142; 1961, v. 6, p. 303.
27. Chen Y., McKay J. W.~ Phys. Rev., 1968, v. 167, p. 475.
28. Cheng L. J., Corbett J. W.— Preprint № 12222, Albany — N. Y.,
1972.
29. Schmidt P.— Preprint № 12222, Albany — N. Y., 1972.
30. Винецкий В. Л.— ФТТ, 1968, т. 9, с. 515.
31. Машовец Т. В. Автореф. докт. дисс.— JL, 1975.
32. Шейнкман М. К. и др.— Изв. АН СССР, 1976, т. 40, с. 2296.
33. Кие А. Е., Стародубцев С. В.— Изв. АН УзССР: Сор. фнз.-мат., 1963, № 3, с. 13.
34. Вяземский В. О., Ломоносов И. И. и др. Сцинтилляционный метод радиометрии.— М.: Госатомиздат, 1961.
35. Воробьева И. В., Гегузин Я. Е.— УФЖ, 1972, т. 17, с. 1369.
30. Вайсбурд Д. И.— Письма в ЖЭТФ, 1976, т. 24, с. 64.
37. Кие А. Е., Малкин А. А.— ФТТ, 1976, т. 18, с. 1474.
38. Trillat Sella К,— С. R. Acad. Sci., 1967, v. 264, p. B741.
39. Лущик Ч. Б,— В сб.: Труды ИФАН ЭССР, 1972, т. 39, с. 81.
40. Эланго М. А.— В сб.: Труды ИФАН ЭССР, 1974, т. 42, с. 175.
41. Эланго М. А.— В сб.: Труды ИФАН ЭССР, 1975, т. 43, с. 03.
42. Эланго М. А.— ФТТ, 1975, т. 17, с. 2356.
43. Williams R. Т., Faust W. L., Bradford J. N.— In: Proc. Int. Conf. of Color Centres in Ionic Crystals.— Sendai, 1974.
44. Мордкович В. И., Темпер Е. М.— ФТП, 1969, т. 3, с. 440.
