Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
Поскольку с ростом концентрации фосфора изменяется структура электронной подсистемы как аморфной, так и кристаллической фаз, логично связать примесное влияние с усилением ее воз-
ДОПОЛНЕНИЕ ПРИ КОРРЕКТУРЕ
367
буждеппя. Здесь становится определяющей химическая природа примеси, стимулирующей трансформацию полупроводника. Внедрение легирующих прпмееен V группы приводит, к кристаллизации АС: получены кристаллизованные слои не только в системе {Р+ -*¦ <lll>Si}, но п {As+-j- <111)Si}, {Р+ ->- <111)Go}, что подтверждает общность обнаруженного явления для ковалентпых полупроводников, подвергнутых питепонвпой ионной бомбардировке.
Вопросы, связанные с фазовыми переходами в иопно-пмплан-тированных слоях, представляют принципиальный и практический интерес п требуют дальнейшего тщательного рассмотрения.
Л И Т. К Г A Т V Г А
1. Жукова Г. Л., Мордкович В. В.—13 кн.: Тез. докл. Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов.— Тбилиси: Изд-во ТГ^Г, 1981, с. 132.
2. Нирилис Э. С. Эффект Оже.— Ташкент: ФАН, 1969.
3. Келли Р.— В кн.: Ионная нмплантацпя в полупроводники и другие материалы.— М.: Мир, 1980.
4. Al Jammul Y., Townsend P. D.— J. Pliys. (France), C6, 1973, p. 247.
5. Biersack J. P., Santner E — Nucl. Instr. Metli., 1976, v. 132, p. 229.
0. Parilis E. S.— In: Proc. IX Int. Conf. on Phenomena in Ionized
Cases.— Bucharest, 1969, p. 94.
7. Кие A. E., Малкин A. A.— ФТТ, 1976, c. 1474.
8. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела,— М.: Гостехиз-дат, 1957.
9. Dhupar J. Р. Т.— J. Sci. and Ind. Res., 1974, v. 33, p. 61.
10. Винъярд Дж. Физика кристаллов с дефектами: Материалы школы по теории дефектов в кристаллах и радиационных нарушений.— Тбилиси, 1966, т. Ш.
11. Wallbank В., Johnsoh С. Е., Main I. G.— J. Electron Spectrosc. а. Relat. Plicnom., 1974, v. 4, p. 264.
12. Overeijnder H., Szimonski М., Haring A., de Vries A. E.— Rad. Eff., 1978, v. 36, p. 63.
13. Tokutaka 11., Pratt on М., Higginbotham, I. G., Gallon Т. E.— Surf. Sci., 1970, v. 21, p. 233.
14. Elliott D. J., Townsend P. D.— Phil. Mag., 1971, v. 23, p. 249.
15. Palmberg P. W., Rhodin T. N.— J. Phys. and Chem. Solids, 1968, v. 29, p. 1917.
16. Yin L., Tsang Т., Adler 1.— In: Proc. Lunar Sci. Conf., 1976, v. 7, p. 891.
17. Kelly R.— Rad. Eff., 1977, v. 32, p. 91.
18. Overeinjrider H., Haring A., de Vries A. E.— Rad. Eff., 1978, v. 37,
19. Husinsky W., Bruckmuller R., Blum P. et al.— J. Appl. Phys., 1977,
v. 48, p. 4734. ^ .г..
20. Colpaert M. N., Clauws P., Fiermans L., Vennik J.— Surf. Sci.,
1973, v. 36, p. 513.
21. Trillat Terao N., Tertian L.— Compt Rend., 1956, v. 242,
p. 1294.
368
ЛИТЕРАТУРА
22. Фоти Дж.— В кн.: Ионная пмплантацня в полупроводппки н другие материалы.— М.: Мир, 1980.
23. Кие А. Е., Соловьев В. Н.— В кн.: Ion beam modification of materials.— II Int. Conf.— Albany, Xcw York, USA, 1980, p. E29.
24. Холодаръ Г. А., Матвийчук А. С., Острожинский А. В.— В кн.: Тез. докл. Межд. конф. по радиационной физике полупроводников п родственных материалов.— Тбилиси: И:;д~во ТГУ, 1981, с. 59.
25. Романов С. П., Смирнов Л. С. Ионная имплантация. Труды 2-го Советско-амерпкапского семинара.— Новосибирск: Наука, СО.
1979, с. 157.
26. Коршунов Ф. П., Готольский Г. В., Иванов Г. М. Радиационные
эффекты в полупроводниковых приборах.— Минск: Наука п техппка, 1978.
27. Ланг Д.— В кн.: Точечные дефекты в твердых телах/Под ред. Б. II. Болтакса, Т. В. Машовец, А. И. Орлова.— М.: Мир, 1979.
28. Вовненко В. П., Глинчук К. Д., Лцкат К., Прохорович А. В.— ФТП, т. 13, 1979, с. 1829; 1980, т. 14,' с. 1003.
29. Глинчук К. Д., Проходович А. В.. Вовненко В. II.— ФТП, 1979, т. 13, с. 1156; Pbvs. Stat, Sol. (а), 1980, 57, p. 149.
30. Двуреченский А. В., Кашников Б. П., Смирнов Л. С.— ФТП.
1980, т. 14, с. 1837.
