Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
163. Bourgoin h, Corbett J. W.— Phys. Lett. A, 1972, v, 38, p. 135. Kimerling L. C.— Sol. State Electron., 1978, v. 21, p. 1391.
164. Kokado H., Shimizu I., Inone E.— J. Non-Cryst. Sol., 1976, v. 20, p. 131.
165. Болтакс Б. И., Джафаров Т. Д., Кудоярова В. X. и др.— ФТП,
1979, т. 13, с. 41.
166. Biktimirova V. Н., Boltaks В. /., Borisova Z. U. et al.— In: Int. Conf. Amorph. and Liquid Semicond./Ed. В. T. Kolomietz.— Leningrad: Nauka, 1976, p. 269.
Физика тонких пленок.— М.: 1973, т. VI, с. 20.
Заможский В. Д., Лузин А. Н., Шмелев В.— Химия и жизнь,
1976, № 5, с. 15.
Юнг Л. Анодные окисные пленки.— Л.: Энергия, 1967.
167. Крикорян Е.— В кн.: Монокрпсталлические пленки.— М.: Мир,
1966, с. 145.
168. Хрущ Б. И., Агашкова Н. Н.— Физ. и хим. обработки материалов, 1975, № 5, с. 67.
23*
356
ЛИТЕРАТУРА
169. Винецкий В. Л., Холодаръ Г. А. Радиационная физика проводников.— Киев: Наукова думка, 1979, гл. V.
170. Suski Kruniski J., Rzewuski H. et al.-—Rad. Eff., 1976, v. 30,
p. 125; 1978, v. 35, p. 13.
171. Lang D. V., Kimerling L. C., Leung S. Y.— J. Appl. Phys., 1976, v. 47, p. 3587.
172. Lee D. H., Hart R. R., Kiewit D. A., March 0. J.— Phys. Stat.
Sol. (a), 1973, v. 15, p. 645.
173. Лабупов В. А., Борисенко В. E.— ФТП. 1979, т. 13, с. 604.
174. Nachring F. К.— Phys. Stat. Sol. (b), 1977, v. 44, p. K141.
175. Fischer G., Carter G., Webb R.— Rad. Eff., 1978, v. 38, p. 41.
176. Лабупов В. А., Борисенко В. E., Ухов В. А.— Электронная техника: Сер. 6, 1977, Л» 11, с. 72.
177. Лабупов В. А., Борисенко В. Е.— В кн.: Тез. докл. Всесоюз. копф.— Ашхабад, 1977, с. 80.
178. Gregory В. L.— J. Appl. Phys., 1965, v. 35, p. 3765.
Watkins G. D.— J. Phys. Soc. Jap., 1963, v. 18, suppl., p. 25.
Stein H. J.— J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 3382; Phys. Rev.,
1967, v. 163, p. 801; IEEE Trans. Nncl. Sci., 1968, v. NS-15, p. 69;
In: Proc. of Rad. Eff. in Semicond./Eds. J. W. Corbett., G. D. Watkins.— N. Y.: Gordon and Breach, 1971, p. 125.
McKay J. W., Klontz E. E.— In: Proc. Santa Fe Conf. on Rad. Eff. in Semicond./Ed. L. Vook.— N. Y.: Plenum Press, 1968, p. 175.
Vook F. V., Stein II. J.— Ibid, p. 99.
179. Ворожейкина Л. Ф„ Иштханишвили Д. Д., Политое Н. ГКва-радзе В. Г.— Изв. АН СССР: Сер. физ., 1965, т. 25, с. 75.
180. Будылин Б. В., Воробьев А. А. Действие излучений па ионпые структуры.— М.: Госатомиздат, 1962.
181. Вавилов В. С., Ок А. М., Чукичев М. В.— ФТП, 1979, т. 13, с. 645.
Ок А. М. Автореф. канд. дисс.— М., 1979.
182. Гг/ро Г. М., Калюжная Г. А., Мамедов Т. С., Шелепин Л. А.— Труды ФИАН СССР, 1980, т. 124, с. 127.
К ГЛАВЕ 7
1. Легирование полупроводников ионным внедрепием/Под ред.
В. С. Вавилова, В. М. Гусева.— М.: Мир, 1971.
2. Физические основы ионно-лучевого легирования/Под ред.
П. В. Павлова.— Горький: Изд-во ГГУ, 1972.
3. Ионная имплантация. Труды 2-го Советско-американского семи-
нара (Пущино, июль 1979 г.).— Новосибирск: Наука, СО, 1980.
4. Бредов М. М., Коноплева Р. Ф., Регель А. Р.— ДАН СССР, 1954,
т 99 с 69.
5. Shockley W. Патент СЩА № 2 787 564, класс 148-1, 5, 1954.
6. Майер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное внедрение в полу-проводники/Под ред. В. М. Гусева.— М.: Мир, 1973.
7. Lindhard Scharjj М., Schiott Н.— Mat. Fys. Med. Dansk. Vid.
Selsk., 1963, v. 33, p. 14.
8. Lindhard J., Nielsen V., Scharjj М., Thomsen P.— Mat. Fys. Med.
Dansk. Vid. Selsk., 1963, v: 33, p. 10.
9. Кумахов М. А., Каперов Ф. Ф. Энергетические потери и пробеги
ионов в твердых телах.— Минск: Изд-во БГУ, 1979.
ЛИТЕРАТУРА
357
10. Johnson W., Gibbons J. Projected Range Statistics in Semiconductors.— USA: Stanford University, 1969.
11. Stark F.— Z. Physik, 1912, v. 13, p. 585.
12. Линдхард И.— УФН, 1969, т. 99, с. 249.
13. Томсон М. У.— УФН, 1969, т. 99, с. 297.
14. Туликов А. Ф.— УФН, 1965, т. 87, с. 585.
15. Аброян И. А.— УФН, 1971, т. 100, с. 15.
16. Болтакс Б. И. Диффузия и точечпые дефекты в полупровод-
никах.— JL: Наука, 1972.
17. Гусев В. М., Титов В. В. и др.— ФТТ, 1965, т. 7, с. 2077.
18. Piercy G., Brown F., Davies J. et al.— Phys. Rev. Lett., 1963,
v. 10, p. 399.
19. Ryssel H., Rage /.— In: Ionenimplantation.— Stuttgart: Teubner,
1978, S. 104.
20. Вавилов В. С.— J. Electron., 1967, v. 2, p. 145.
21. Кумахов М. А., Муралев В. A.— В кн.: Физические основы ион-
но-лучевого легировапия/Под ред. П. В. Павлова.— Горький: Изд-во ГГУ, 1972, с. 63.
22. Vook F.— In: Ion Implant, in Semicond.—Jap. Sol, for Promot. of Science, 1972.
23. Brower K.— Phys. Rev. B, 1971, v. 4, p. 1968.
24. Stein H.— Rad. Eff., 1970, v. 6, p. 19.
25. Баранова E. К.— В ки.: Физические основы ионно-лучевого ле-гироваштя/Под ред. II. В. Павлова.— Горький, 1972, с. 71.
