Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
103. Klimkova О. A., Niyazova О. R.— Phys. Stat. Sol. (а), 1970, v. 3, p. К93; Климкова О. А., Ниязова О. Р.— ФТТ, 1970, т. 12, с. 2199.
104. Климкова О. А., Ниязова О. Р.— В кн.: Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах.— Ташкент: Фан, 1969, с. 28. Климкова О. А., Койфман А. И., Ниязова О. Р.— В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов.— Киев: Наукова думка, 1971, т. III, ч. 2, с. 185.
352
ЛИТЕРАТУРА
Климкова О. А., Ниязова О. Р.— В кн.: Тез. докл. Всесоюз. со-вещ. по глубоким центрам в полупроводниках.— Одесса: Изд-во ОГУ, 1972.
Зайковская М. А., Климкова О. А., Койфман А. И., Ниязова О. Р.— В кн.: Дефекты структуры в полупроводниках.— Новосибирск: Наука, СО, 1973, с. 239.
105. Анненков Ю. М., Галанов Ю. И., Франгулъяп Т. С. Статья деп. в ВИНИТИ— М., Per. № 1424-75.
106. Dubinina Е. М., Elovikov S. S., Novojilov V. F.— Thin Sol. Films, 1976, v. 37, p. 7.
Еловиков С. С. Автореф. канд. дисс.— М., 1974.
107. Urban К., Seeger А.~ Phil. Mag., 1975, v. 30, № 6, p. 1395.
108. Канеев М. А., Мащенко В. Е., Ниязова О. Р.— В кн.: Радиаци-опно-стнмулироваипые процессы в твердых телах.— Ташкент: Фан, 1969, с. 89; ФТП, 1969, т. 3, с. 760.
109. Зырянов Г. К., Мацевич В. Г.— Вести. ЛГУ, 1973, т. 10, с. 60; ФТП, 1975, т. 9, с. 2183.
110. Janssen А. Р.— Surf. Sci., 1975, v. 52, p. 230.
111. Vassamillet L. F., Caldwell V. E.— J. Appl. Pliys., 1969, v. 40, p. 1637.
112. McCaughan D. VKushner R. A.— Proc. IEEE, 1974, v. 62, p. 63.
113. Chou, N. J., Osburn С. М., Meulen J. Y., Hammer R.— Appl. Phys. Lett., 1973, v. 22, p. 380.
Hughes II. L., Baxter R. D., Phillips B.— IEEE Trans. Nucl. Sci., 1972, v. NS-19, p. 256.
114. Chen Y., McKay J. W.— Phys. Rev., 1968, v. 167, p. 745.
115. Зайковская М. А., Климкова О. А., Ниязова О. P.— ФТП, 1971, т. 5, с. 911.
Капееи М. A., Koifman A. I., Niyazova О. R.— Pliys. Stat. Sol. (а), 1973, v. 18, p. К49.
116. Наумова В. II., Черноус 11. П. Обзор: Зарубежная электронная техника, ЦНИИ Электроника.— М., 1974.
117. Гинздер А. В., Яворский А. Д., Фридкин В. М.— Письма в ЖЭТФ, 1970, т. 12, с. 22.
Биленко Д. И., Галишникова 10. Н., Евелева Т. С.— В кн.: Физика полупроводников и полупроводниковая электроника.— Саратов, 1973, т. 1, с. 71.
118. Басов Н. Г., Беленое Э. М. и др.— Письма в ЖЭТФ, 1976, т. 22, с. 221.
Галкин А. Э., Петров Т. Т., Болдырева О. М.— Кристаллография, 1976, т. 21, с. 225.
119. Азимов С. Л., Муминов Р. А., Нигманое О.— Гелиотехника,
1974, с. 33.
120. Кастальский А. А., Шли.чак II. С., Гаджиев А. Р.— ФТП, 1973, т. 7, с. 1020.
Патент США, № 3, 498, класс 148-180, 1970.
Патент США, № 3, 542, 608, класс 148-186, 1970.
Болтакс Б. И., Копорова JI. Ф., Малкович Р. Ш.— ФТП, 1975, т. 9, с. 1203.
121. Загоруйко Ю. А., Тиман Б. Л., Файнер М. Ш.— ФТП, 1978, т. 12, с. 669.
122. Бродин М. С., Давыдов Н. А., Шаблий Ю. И.— ФТП, 1976, т. 10, С. 625.
ЛИТЕРАТУРА
353
Романенко II. Л., Степанченко Э. С., Шаблий Ю. И.— УФЖ, ' 1976, т. 21, с. 1381.
123. Watkins G. D — Phys. Rev. 1975, v. 12, p. 5824; 1976, v. 13, p. 2511.
124. Matsuoka Y., Usami A.— J. Nucl. Sci. and Techn., 1974, v. 11, p. 112.
White C. W., Narayan J., Appleton B. R., Wilson S. R.— J. Appl. Phys., 1979, v. 50, p. 2967.
125. Кие A. E., Мельник II. Г., Скорняков С. П., Якименко Г. Ф.— ФТП, 1973, т. 7, с. 617.
126. Jordan A. S., Ralston J. M.— Z. Appl. Phys., 1976, v. 47, p. 4518.
127. Костышин М. Т., Михайловская E. В., Романенко П. Ф.— ФТТ,
1966 с. 571.
Петров В. В., Крючин А. А.— ДАН СССР, 1976, т. 230, с. 326. SUptitz P., Titou J., Lebedev Е. A., Willert I.—Pliys. Stat. Sol. (a), 1975, v. 31, p. 31.
128. Yamamoto Y., Iton I., Ilirose Y., Ilirose II.— J. Appl. Pliys.,
1976, v. 47, p. 3603.
Yoshikawa A., Ochi 0., Nagai П., Mizushima Y.— Appl. Phys. Lett., 1976, v. 29, p. 677.
Kasai М., Hajimoto У,—J. Appl. Phys., 1976, v. 47, p. 3954.
129. Андриеш A. M., Танин В. М., Коломиец В. Т. и др.— Письма в ЖЭТФ, 1975, с. 578.
130. Волтакс В. П., Городецкий С. М., Джафаров Т. Д. и др.— ФТТ, 1971, т. 13, с. 3420.
131. Зюзь Л. Н., Кие А. Е., Ниязова О. Р., Умарова Ф. Т.— Письма в ЖЭТФ, 1970, т. 12, с. 213; 1973, т. 17, с. 230.
132. Афанасьев В. Н., Тутуров Ю. Ф., Филимончев П. И.— Изв. АН СССР: Сер. иеорган. материалы, 1974, т. 10, с. 1926.
133. Korsunskaya N. Е., Markevich I. V., Sheinkman М. К.— Phys. Stat. Sol. (а), 1966, v. 13, p. 25.
134. Ермолович И. В., Корсунская Н. Е., Шейнкман М. К.— ФТТ,
1967 с. 2893.
Маркевич И. В., Шейнкман М. К.— ФТТ, 1970, т. 12, с. 3130;
1971, т. 17, с. 1978; ФТП, 1971, т. 5, с. 1904.
135. Конозенко И. Д., Винецкий В. Л., Варенцов М. Д. и др.— В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов,— Минск: Наука и техника, 1970, с. 22.
136. Gvosdover R. S., Efremenkova V. М., Shelyakin L. В., Yuraso-va V. E.— Rad. Eff., 1976, v. 27, p. 237.
