Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
67. Pautrat J. L., Bensahel D., Katircioglu B. et al.— Rad. Eff., 1976 v. 30, p. 107.
68. Nishi H., Sakurai Т., Akamatsa Т., Furuya T.— Appl. Phys Lett., 1974, v. 25, № 6, p. 337.
350
ЛИТЕРАТУРА
70. Hart R. R., Dunlap H. L., Marsh 0. J.— J. Appl. Phys., 1975, v. 46, № 5, p. 1947.
71. Itoh Т., Inada Т., Kanekawa K.— Appl. Phys. Lett., 1968, v. 12, p. 244.
72. Rower R. W., Baron R., Mayer J. W., Marsh O. J.— Appl. Phys. Lett., 1966, v. 9, p. 203.
73. МаЪу E. W.— J. Appl. Phys., 1976, v. 47, p. 830; Jap. J. Appl. Phys., 1979, v. 18, p. 647.
74. Васильев М. А., Ковалев Г. Г., Косячков А, А. и др.— В кн.: Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия.— Харьков, 1980, с. 37.
Луалиш С., Варуги П., Лукас К. и др.— В кн.: Тез. докл. Межд. копф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов.— Киев: Наукова думка, 1979,
с. 12.
75. McCaughan D. V., Kushner R. A., Murphy V. Т. et al.— IEEE Trans. Nucl. Sci., 1972, NS-19, p. 249; Phys. Rev. Lett., 1973, v. 30, p. 614; Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, p. 403.
Beezhold W.— Appl. Phys. Lett., 1974, v. 24, p. 540; IEEE Trans. Nucl. Sci., 1974, v. NS-21, p. 62.
76. Meyer O., Mayer J. W.— J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 4166. Мустафин Т. H., Попов В. П., Серяпин В. Г.— В кн.: Тез. докл. Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родствепных материалов,— Киев: Наукова думка, 1979, с 55
77. Williams R.— J. Vac. Sci. and Tech., 1974, v. 11, p. 1025. Williams R., Woods М. H.— J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 695. Topich J. A.— J. Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, p. 968.
78. Sigmon T. WChu W. К., МйИет H. М., Mayer J. W.~ In: Ion Implant, in Semicond. Sci. and Tech. Ed. S. Namba.— N. Y.— L.: Plenum Press, 1975, p. 633.
79. Chu W. K., Muller H. М., Mayer J. W.— Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, p. 297.
80. Vavilov V. S., Kiv A. E., Niyazova O. R.— Phys. Stat. Sol. (a),
1975, v. 32, p. 11.
Schmidt P. F., McCaughan D. V., Kuchner R. A.— Proc. IEEE, 1974, v. 62, p. 1220.
Cheng Li-Jen, Corbett J. W.— Proc. IEEE, 1974, v. 62, p. 1208.
81. Babaev V. G., Bykov J. V., Guseva М. B.— Thin Sol. Films, 1977, v. 38, p. 1.
Бабаев В. Г. Автореф. канд. дисс.— М., 1977.
82. Jacobson R. L., Wehner G. К.— J. Appl. Phys., 1965, v. 36, p. 2674.
83. Маннанова X. X., Ниязов X. P., Ниязова О. P.— В кн.: Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах,— Ташкент: Фан, 1969, с. 41; ФТП, 1971, т. 5, с. 275,
Канеев М. А., Маннанова X. X., Ниязов X. Р., Ниязова О. Р.— В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках.— Минск: Изд-во Б ГУ, 1972, с. 181.
84. Маннанова X. X. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1972.
85. Блаунштейн И. М., Ленченко В. М.— В кн.: Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах.— Ташкент: Фан, 1969, с. 47.
ЛИТЕРАТУРА
351
86. Стародубцев С. В., Михаэлян В. И.— В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах.— Ташкент: Изд-во АН УзССР, 1963,
с. 32.
87. Жиц М. М., Климкова О. А., Ниязова О. Р., Попов Н. В.— В кн.: Методы радиационных воздействий в исследовании твердых тел.— Ташкент: Фан, 1971, с. 117.
Zhits М. М., Klimkova О. A., Niyazova О. R., Popov N. V.— Phys. Stat. Sol. (a), 1972, v. 10, p. K23.
88. Акурпеков II., Районов 10. А., Лютович А. С. и др.— Изв. АН КазССР: Сер. физ.-мат., 1975, № 2, сс. 17, 21.
89. Fowkes F. М., Witherall F. Е.~ IEEE Trans. Nucl. Sci., 1974, v. NS-21, p. 67.
90. Repace J. L.— IEEE Trans. Electron. Devic., 1978, v. ED-25, p. 492.
91. Emmett P. II., Livingston P., Zeldes H., Kokes R. J.— J. Pbys. Chem., 1962, v. 66, p. 921.
Brandt W. W.— J. Nucl. Mater., 1975, v. 57, p. 212.
92. Tuaukc Ю. E., Лея Г. В., Готлиб В. И. и др.— Ученые записки Латв ру 1972 с 5
93. Серяпин В. Г., Серяпина Н. В., Смирнов Л. С. и др.— ФТП, 1973, т. 7, с. 183.
94. Biersack J. P., Fink D.— In: Ion Implant, in Semicond. Sci, and Tech./Ed. S. Namba.— N. Y.— L.: Plenum Press, 1975, p. 211.
95. Saidon D., Hoshi A., Itoh T.— J. Phys. Soc. Jap., 1975, v. 39, P. 49.
96. Kobayakawa М., Tanemura S., Niwa H., Saitoh K.— J. Appl. Phys., 1976, v. 15, p. 2233.
Lodding A.— J. Microsc. et Spectrosc. Electron., 1977, v. 2, p. 91.
97. Igras E.— Bull. Wojsk. Akad. Tech., 1975, v. 24, p. 47; Thin Sol. Films, 1976, v. 34, p. 124.
98. Choudhury A., Palmer D. W., Amsel G. et al.— Sol. State Com-mun., 1965, v. 3, p. 119.
Palmer D. W.— Nulc. Instr. and Methods, 1965, v. 38, p. 187.
99. Sosin A.— In: Proc. of the 27-th Annual Simposium of frequency control.— New Jersey, 1973, p. 136.
100. Маннанова X. X., Ниязов X. P.— В кн.: Методы радиационных воздействий в исследовании твердых тел.— Ташкент: Фан, 1971, с. 72.
101. Витовский Н. А., Вихлий Г. А., Машовец Т. В.— ФТП, 1972, т. 6, с. 1995.
102. Абдуллаев А. А., Витовский II. А., Машовец Т. В. и др.— ФТП, 1974, т. 8, с. 1049; 1975, т. 9, с. 68.
Абдуллаев А. А. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1975.