Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Вавилов В.С. -> "Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках" -> 126

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках — М.: Наука, 1981. — 368 c.
Скачать (прямая ссылка): mehanizmiobrabotki1981.pdf
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 130 131 132 .. 135 >> Следующая


67. Pautrat J. L., Bensahel D., Katircioglu B. et al.— Rad. Eff., 1976 v. 30, p. 107.

68. Nishi H., Sakurai Т., Akamatsa Т., Furuya T.— Appl. Phys Lett., 1974, v. 25, № 6, p. 337.
350

ЛИТЕРАТУРА

70. Hart R. R., Dunlap H. L., Marsh 0. J.— J. Appl. Phys., 1975, v. 46, № 5, p. 1947.

71. Itoh Т., Inada Т., Kanekawa K.— Appl. Phys. Lett., 1968, v. 12, p. 244.

72. Rower R. W., Baron R., Mayer J. W., Marsh O. J.— Appl. Phys. Lett., 1966, v. 9, p. 203.

73. МаЪу E. W.— J. Appl. Phys., 1976, v. 47, p. 830; Jap. J. Appl. Phys., 1979, v. 18, p. 647.

74. Васильев М. А., Ковалев Г. Г., Косячков А, А. и др.— В кн.: Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия.— Харьков, 1980, с. 37.

Луалиш С., Варуги П., Лукас К. и др.— В кн.: Тез. докл. Межд. копф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов.— Киев: Наукова думка, 1979,

с. 12.

75. McCaughan D. V., Kushner R. A., Murphy V. Т. et al.— IEEE Trans. Nucl. Sci., 1972, NS-19, p. 249; Phys. Rev. Lett., 1973, v. 30, p. 614; Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, p. 403.

Beezhold W.— Appl. Phys. Lett., 1974, v. 24, p. 540; IEEE Trans. Nucl. Sci., 1974, v. NS-21, p. 62.

76. Meyer O., Mayer J. W.— J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 4166. Мустафин Т. H., Попов В. П., Серяпин В. Г.— В кн.: Тез. докл. Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родствепных материалов,— Киев: Наукова думка, 1979, с 55

77. Williams R.— J. Vac. Sci. and Tech., 1974, v. 11, p. 1025. Williams R., Woods М. H.— J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 695. Topich J. A.— J. Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, p. 968.

78. Sigmon T. WChu W. К., МйИет H. М., Mayer J. W.~ In: Ion Implant, in Semicond. Sci. and Tech. Ed. S. Namba.— N. Y.— L.: Plenum Press, 1975, p. 633.

79. Chu W. K., Muller H. М., Mayer J. W.— Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, p. 297.

80. Vavilov V. S., Kiv A. E., Niyazova O. R.— Phys. Stat. Sol. (a),

1975, v. 32, p. 11.

Schmidt P. F., McCaughan D. V., Kuchner R. A.— Proc. IEEE, 1974, v. 62, p. 1220.

Cheng Li-Jen, Corbett J. W.— Proc. IEEE, 1974, v. 62, p. 1208.

81. Babaev V. G., Bykov J. V., Guseva М. B.— Thin Sol. Films, 1977, v. 38, p. 1.

Бабаев В. Г. Автореф. канд. дисс.— М., 1977.

82. Jacobson R. L., Wehner G. К.— J. Appl. Phys., 1965, v. 36, p. 2674.

83. Маннанова X. X., Ниязов X. P., Ниязова О. P.— В кн.: Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах,— Ташкент: Фан, 1969, с. 41; ФТП, 1971, т. 5, с. 275,

Канеев М. А., Маннанова X. X., Ниязов X. Р., Ниязова О. Р.— В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках.— Минск: Изд-во Б ГУ, 1972, с. 181.

84. Маннанова X. X. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1972.

85. Блаунштейн И. М., Ленченко В. М.— В кн.: Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах.— Ташкент: Фан, 1969, с. 47.
ЛИТЕРАТУРА

351

86. Стародубцев С. В., Михаэлян В. И.— В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах.— Ташкент: Изд-во АН УзССР, 1963,

с. 32.

87. Жиц М. М., Климкова О. А., Ниязова О. Р., Попов Н. В.— В кн.: Методы радиационных воздействий в исследовании твердых тел.— Ташкент: Фан, 1971, с. 117.

Zhits М. М., Klimkova О. A., Niyazova О. R., Popov N. V.— Phys. Stat. Sol. (a), 1972, v. 10, p. K23.

88. Акурпеков II., Районов 10. А., Лютович А. С. и др.— Изв. АН КазССР: Сер. физ.-мат., 1975, № 2, сс. 17, 21.

89. Fowkes F. М., Witherall F. Е.~ IEEE Trans. Nucl. Sci., 1974, v. NS-21, p. 67.

90. Repace J. L.— IEEE Trans. Electron. Devic., 1978, v. ED-25, p. 492.

91. Emmett P. II., Livingston P., Zeldes H., Kokes R. J.— J. Pbys. Chem., 1962, v. 66, p. 921.

Brandt W. W.— J. Nucl. Mater., 1975, v. 57, p. 212.

92. Tuaukc Ю. E., Лея Г. В., Готлиб В. И. и др.— Ученые записки Латв ру 1972 с 5

93. Серяпин В. Г., Серяпина Н. В., Смирнов Л. С. и др.— ФТП, 1973, т. 7, с. 183.

94. Biersack J. P., Fink D.— In: Ion Implant, in Semicond. Sci, and Tech./Ed. S. Namba.— N. Y.— L.: Plenum Press, 1975, p. 211.

95. Saidon D., Hoshi A., Itoh T.— J. Phys. Soc. Jap., 1975, v. 39, P. 49.

96. Kobayakawa М., Tanemura S., Niwa H., Saitoh K.— J. Appl. Phys., 1976, v. 15, p. 2233.

Lodding A.— J. Microsc. et Spectrosc. Electron., 1977, v. 2, p. 91.

97. Igras E.— Bull. Wojsk. Akad. Tech., 1975, v. 24, p. 47; Thin Sol. Films, 1976, v. 34, p. 124.

98. Choudhury A., Palmer D. W., Amsel G. et al.— Sol. State Com-mun., 1965, v. 3, p. 119.

Palmer D. W.— Nulc. Instr. and Methods, 1965, v. 38, p. 187.

99. Sosin A.— In: Proc. of the 27-th Annual Simposium of frequency control.— New Jersey, 1973, p. 136.

100. Маннанова X. X., Ниязов X. P.— В кн.: Методы радиационных воздействий в исследовании твердых тел.— Ташкент: Фан, 1971, с. 72.

101. Витовский Н. А., Вихлий Г. А., Машовец Т. В.— ФТП, 1972, т. 6, с. 1995.

102. Абдуллаев А. А., Витовский II. А., Машовец Т. В. и др.— ФТП, 1974, т. 8, с. 1049; 1975, т. 9, с. 68.

Абдуллаев А. А. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1975.
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 130 131 132 .. 135 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed