Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
Komolova L. F., Efremenkova V. М., Saparin G. V.— Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 35, p. 1444.
137. Малкович P. HI., Нистирюк И. В.— Письма в ЖЭТФ, 1973, т. 17, с. 3; ФТТ, 1974, т. 16, с. 3192; 1975, т. 17, с. 2415.
Дидик В. А., Малкович Р. Ш,— ФТТ, 1977, т. 19, с. 1825.
138. Cheng L. Suli М., Kowall J. P. et al.— Phys. Stat. Sol. (a),
1976, v. 38, p. 321.
139. Masters B. J.— In: Proc. Silicon Dev. Process/Ed. C. P. Mars-den.— Washington — Paris, 1970, p. 132.
140. Климкова О. А., Ниязова О. P., Умарова Ф. Т.— В кн.: Тез. докл. II Всесоюз. совещ. по диффузии в полупроводниках.— Горький, 1966, с. 29.
23 в. С. Вавилов и др.
354
ЛИТЕРАТУРА
Климкова О. А., Ниязова О. Р.— В кн.: Фяэика электронно-дырочных переходов н полупроводниковых приборов.— JL: Наука, 1969, с. 286.
141. Maecawa S.— J. Phys. Soc. Jap., 1962, v. 17, p. 1592.
142. Койфман А. И., Ниязова О. P.— ФТП, 1972, т. 6, с. 757. Koifrnan А. Niyazova О. R.— Phys. Stat. Sol. (a), 1972, v. 10, p. 59.
Койфман А. И. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1973.
143. Тейлор Д. Нейтронное излучение и активационный анализ.— М.: Атомиздат, 1965.
Кузнецов Р. А. Активационный анализ.— М.: Атомиздат, 1974.
144. Юнусов М. С., Наркулое А. //., Койфман А. И.— В кн.: Структура и свойства облученных материалов.— Ташкент: Фан, 1975, с. 73.
Котов Б. А., Юнусов М. С., Шакиров У. А.— ФТП, 1976, т. 10, с. 2047.
Koifman А. Narkulov A. N., Yunusov М. S.— Phys. Stat. Sol. (а), 1975, v. 31, p. К172; 1976, v. 38, p. 439; 1976, v. 37, p. 681.
Шакиров У. А., Юнусов М. С.— ФТП, 1977, т. 7, с. 1225. Шакиров У. А. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1978.
145. Аброян И. А., Цехиовичер Л. А.— ФТП, 1968, т. 2, с. 1221. Joyce В. A., Neave J. Н.— Surf. Sci., 1973, v. 34, p. 401.
Kreutz E. W.— Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 34, p. 489.
146. Климкова О. А. Автореф. канд. дисс.— Ташкент, 1972.
147. Сирота Н. //., Бржезинский В. А., Дюков В. Г. и др.— Вестн. АН БССР: Сер. фнз.-мат., 1966, с. 106.
148. Вавилов В. С., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах.— М.: Атомиздат,
1969.
149. Конозенко И. Д., Семенюк Л. К., Хирвич В. И. Радиационные эффекты в кремнии.— Киев: Наукова думка, 1974.
150. Болтакс Б. Й., Боходырханов М. К., Городецкий С. М., Куликов Г. С. Компенсированный кремний.— М.: Наука, 1972.
151. Болотов В. В., Васильев А. В., Смирнов Л. С.— ФТП, 1974, т. 9, с. 1275.
Дефекты структуры в полупроводниках.— Новосибирск: Наука, СО, 1973, с. 208.
152. Momma N., Taniguchi II., Ura М., Ogawa Т.— J. Electrochem. Soc.: Sol. State Sci. and Tech., 1978, v. 125, p. 963.
Seidel Т. E., Meek R. L., Cullis G.— J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 600.
Cagnina S. F.— J. Electrochem. Soc., 1969, v. 166, p. 498. Губенко А. Я., Шмелев Ю. И.— Изв. АН СССР: Сер. неорг. материалы, 1971, № 7, с. 731.
Brown М., Jones С. L., Willoughby A. F.— Sol. State Electron.,
1975, v. 18, p. 763.
Chou S. L., Gibbons J. F.— l. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 1197.
Малкович P. Ш., Покоева В. A.— ФТТ, 1976, т. 18, с. 2606. Wilcox W. R., Chapelle T. J.— J. Appl. Phys., 1964, v. 35, p. 240.
Yoshida М., Saito K.— Jap. Appl., Phys., 1970, v. 9, p. 1217.
153. Matsukawa Т., Shimizu R., Harada K., Kato T.— J. Appl. Phys., 1974, v. 45, p. 733.
ЛИТЕРАТУРА
355
154. Ниязова О. Р., Койфман А. И. Обзор № 2050: ЦНИИ информации.— М., 1979.
155. Болтакс Б. И., Дидик В. А., Малкович Р. Ш.— В кн.: Тез. докл. Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов,— Киев: Наукова думка, 1979, с. 53.
156. Ниязова О. Р.— В кн.: Физические процессы в кристаллах с дефектами.— Киев, 1972, с. 47; Тез. докл. на Объединенной выездной сессии научных советов.— Киев. Препринт КИЯИ-76-24,
1976, с. 52.
157. Struthers ]. D — J. Appl. Phys., 1956, v. 27, p. 1560; 1957, v. 28, p. 516.
Madams C. J., Morgan D. V., Howes M. J.— J. Appl. Phys., 1974, v. 45, p. 5038.
Nakashima K., Iwami М., Hiraki A.— Thin Sol. Films, 1975, v. 25, p. 423.
158. Бонч-Бруевич В. JI., Звягин И. П., Миронов А. Г, Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках.— М.: Наука, 1972.
159. Музюкин Л. П., Мурыгин В. И., Сандаевская И. А., Стафе-ев В. И,— ФТП, 1970, т. 4, с. 1801.
160. Берковский Ф. М., Касымова Р. С.— Радиотехп. и электрон.,
1964, т. 9, с. 899.
Берковский Ф. М., Касымова Р. С., Рывкин С. М.— В кп.: Физика р — га-переходов.— Рига: Зинатпе, 1966, с. 41.
Касымова Р. С. Автореф. капд. дисс.— JI., 1967.
161. Сопряков В. И., Юхневич А. В., Янченко А. М.— В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов.— Киев: Науко-па думка, 1971, т. III, ч. 2, с. 193.
162. Латышев А. ВСтельмах В. Ф., Ткачев В. Д., Урепов В. И.— ФТП, 1970, т. 4. с. 1529.
Булгаков Ю. В., Разумовский С. М.— В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках.—Минск: Изд-во БГУ, 1972, с. 211. Николаевский П. Ф., Щуренков В. В.— ФТП, 1973, т. 7, с. 2265.
