Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
26. EerNisse Е.— Appl. Phys. Lett., 1971, v. 18, p. 581.
27. Crowder B., Title R.~ Rad. Eff., 1970, v. 6, p. 63.
28. Stern F.— Phys. Rev. B, 1971, v. 3, p. 2636.
29. Brodsky М., Kaplan D., Ziegler J.— In: Proc. 2nd Conf. on Semicond. Phys.— Warshaw: PWN, 1972, p. 529.
30. Crowder S.—Appl. Phys. Lett., 1970, v. 16, p. 205.
31. Физические процессы в облученных полупроводниках/Под ред. Л. С. Смирнова.— Новосибирск: Наука, СО, 1977.
32. Павлов П. В.— В кн.: Физические основы ионно-лучевого леги-рования/Под ред. П. В. Павлова.— Горький: Изд-во ГГУ, 1972, с. 100.
33. Павлов П. В., Тетелъбаум Д. И.— ДАН СССР, 1967, т. 175, с. 823.
34. Morehead F., Crowder В.— Rad. Eff., 1970, v. 6, p. 27.
35. Vook F., Stein H.— Rad. Eff., 1969, v. 2, p. 23.
36. Gisen F., Welch S.—Rad. Eff., 1971, v. 7, p. 143.
37. Crowder B.— J. Electrochem. Soc., 1971, v. 110, p. 143.
38. Гусева М. И., Александрия В. В.— ЖТФ, 1961, т. 31, с. 867.
39. Городецкий A. E. и др.— ФТП, 1968, т. 2, с. 136.
40. Strong Н., Chrenko R.— .Т. Phys. and Chem., 1971, v. 75, p. 1830.
41. Parsons J.— Phil. Mag., 1965, v. 12, p. 1159.
42. Качурин Г. А., Нидаев E. В., Конышев В. В.— ФТП, 1978, т. 12, с. 2062.
43. Городецкий А. Е., Качурин Г. А., Смирнов Л. С.— ФТП, 1968, т. 2, № 7, с. 927.
44. Лифшиц И. М.— Атомная энергия, 1959, т. 6. с. 391.
45. Bradley R.— J. Colloid. Sci., 1960, v. 15, p. 525.
46. Aizenberg S., Chabot R.— J. Appl. Phys., 1971, v. 42, p. 2953.
47. Esaki L.— In: Proc. 2nd Conf. on Semicond. Phys.— Warshaw: PWN, 1972, p. 431.
358
ЛИТЕРАТУРА
48. Крузе Т. А.— В кн.: Физические основы ионно-лучевого легиро-вания/Под ред. П. В. Павлова,— Горький, 1972, с. 173.
49. Павлов П. В.— В кн.: Физические основы ионно-лучевого леги-ровапия/Под ред. П. В. Павлова.— Горький: Изд-во ГГУ, 1972, с. 169.
50 Akimchenko I. P., Kiseleva К. V., Krasnopevtsev V. V. et al — Rad. Eff., 1977, v. 33, p. 75.
51. Вопросы радиационной технологии полупроводников/Под ред. JI. С. Смирнова.— Новосибирск: Наука, СО, 1980, гл. 5—8.
52. Proc. 8th Int. Conf. Amorph. and Liquid Semicond.—Amsterdam,
1980, v. 1.
53. McCaldin J.— J. Phys. and Chem. Solids, 1965, v. 26, p. 1119.
54. Anderson W.— Sol. State Electron., 1968, v. 11, p. 481.
55. Tokuyma Т.— In: Proc. IBMM (abstract).—Albany.—N. Y., 1980.
56. Павлов П. ВТетенбаум Д. П., Зорин Е. И.— ДАН СССР, 1965, т. 163, с. 1128.
57. McCaldin ]., Widmer A.— J. Appl. Phys., 1964, v. 35, p. 1985.
58. Bertolotti М., Vitali G — In: Proc. Int. Conf. on Rad. Efi'.— London, 1979, p. 454.
White C. W., Christie W. H., Pronko P. P. et al.— In: Proc. 1st Conf. on Ion Beam Modif. of Materials.—Budapest, 1979, c. 839.
59. Вавилов В. С., Конорова Е. А.— УФН, 1976. т. 118, с. 610.
60. Custers J. F. Н.— Physica, 1959, v. 18, p. 489.
61. Huggins С., Cannon P.— Nature, 1962, v. 194, p. 829.
62. Верещагин Л. Ф., Слесарев В. H.— ДАН СССР, 1970, т. 192,
с. 1015.
63. Chrenko R.— Nature, 1971, v. 229, p. 165.
64. Дерягин Б. В., Федосеев Д. В.— Природа, 1970, № 9, с. 29.
65. Антоненко А. X.— ФТП, 1976, т. 10, с. 139.
66. Wentorf R., Darrow К.— Phys. Rev., 1965, v. 137, p. 1614.
67. Marquardt R. J.— Rad. Eff., 1974, v. 23, p. 135.
68. Вавилов В. С., Гукасян М. А. и др.— ФТП, 1972, т. 6, с. 858.
69. Затолокин Б. В., Кацауров Л. Н., Краснопевцев В. В. и др.— В кн.: Физические основы ионно-лучевого легирования/Под ред. П. В. Павлова.— Горький: Изд-во ГГУ, 1972, с. 47.
70. Chernow F.— J. Appl. Phys. Lett., 1968, v. 12, p. 339.
71. Chernow F.— In: Ion Implant, in Semicond.—Jap. Sol. for Pro-mot. of Science, 1972.
72. Краснопевцев В. В., Вавилов В. С., Милютин Ю. В., Чан Ким Лой.— В кн.: Краткие сообщения по физике.— М.: ФИАН, 1972, №¦10, с. 54.
73. Агринская Н. Б., Аркадьева Е. И., Гусева М. И. и др.— В кн.: Физические основы ионно-лучевого легирования/Под ред. П. В. Павлова.— Горький: Изд-во ГГУ, 1972. с. 227.
74. Георгобиани А. Я., Котляревский М. В., Злобин В. И. и др.— В кн.: Физические основы ионно-лучевого легирования/Под ред. П. В. Павлова.— Горький: Изд-во ГГУ, 1972, с. 231.
75. Оптические свойства соединений А3В5/Под ред. Е. Ф. Гросса.— М.: Мир, 1970.
76. Алферов Ж. И,— УФН, 1972, т. 108, с. 596.
77. Зелевинская В. М., Качурин Г. А., Смирнов Л. С.— В кн.: Физические основы ионно-лучевого легирования/Под ред. П. В. Павлова,— Горький: Изд-во ГГУ, 1972, с. 219.
ЛИТЕРАТУРА
359
78. Foyt A.— J. Appl. Phys. Lett., 1969, v. 14, p. 372.
79. Aukerman L.— J. Appl. Phys., 1963, v. 23, p. 3590.
80. Gamo K., Aoki K. et al.— Jap. J. Appl. Phys., 1971, v. 10 p 1118.
81. Бредов M.M.— ЖТФ, 1955, т. 25, с. 2104.
Балабанова Л. А., Бредов М. М.—'ЖТФ, 1957, т. 27, с. 1401.
82. Блинов Л. М., Вавилов В. С. и др.— ФТП, 1967, т. 1, с. 1351.
83. Хайбуллин И. Б., Качурин I’. А.— В кн.: Труды Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов.— Киев: Наукова думка, 1980.
