Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Скачать (прямая ссылка):
Пантелеев В. А., Сгерхов В. А.— В кн.: Диффузпонпые процессы в полупроводниках.— Горький, 1969, с. 115.
33. Клоцман С. М.— Автореф. докт. дисс.— Свердловск, 1969.
348
ЛИТЕРАТУРА
34. McKay J. W., Klontz E. E., Gobeli G. W.— Phys. Rev. Lett.,
1959, v. 2, p. 146.
McKay J. W., Klonr E. E.— Z. Appl. Phys., 1959, v. 30, p. 1269.
Jacobson R. L., Wehner G. K.— J. Appl. Phys., 1965, v. 36, p. 2674.
35. Стародубцев С. Б., Ниязова О. Р.— Изв. АН УзССР: Сер. физ.-мат., 1959, № 3, с. 72; В кн.: Труды Ташкентской коиф. по мирному использованию атомной энергии, 1961, т. 1, с. 155; Изв. АН УзССР: Сер. физ.-мат., 1960, № 1, с. 40; 1960, № 4, с. 92; ДАН УзССР, 1960, № 8, с. 17.
36. Ниязова О. Р.— Автореф. капд. дисс.— Ташкент, 1960.
37. Стародубцев С. 13. Полное собрание научных трудов.— Ташкент: Фан, 1971, т. IV.
38. Kulp В. A., Kelley R. Н.— J. Appl. Phys., 1960, v. 31, p. 1057; 1961, v. 32, p. 1290.
39. Kulp B. A.— Phys. Rev., 1962, v. 125, p. 1865.
40. Стародубцев С. В., Ниязова О. Р., Канеев М. А.— ФТТ, 1963, т. 5, с. 2731; В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах.— Ташкент: Изд-во АН УзССР, 1963, с. 141; В кн.: Тез. докл. на I Всесоюз. совегц. по диффузии в полупроводниках.— JL, 1964, с. 22.
Стародубцев С. ВНиязова О. Р., Канеев М. А.— ФТТ, 1967, т. 9, с. 872.
Стародубцев С. В., Ниязова О. Р., Канеев М. А., Койф-ман А. И.— В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах и жидкостях.— Ташкент: Фан. 1967. с. 43, 57.
41. Канеев М. А.— ФТТ, 1968, т. 10, с. 922.
42. Канеев М. А. Автореф. канд. дисс.—Ташкент, 1969.
43. Канеев М. А., Ниязова О. Р., Ниязов X. Р.— В кн.: Радиацион-по-стпмулировапные процессы в твердых телах.— Ташкент: Фаи, 1969, с. 63.
Канеев М. АНиязова О. Р.— В кн.: Диффузионные процессы в полупроводниках.— Горький, 1969, с. 122.
44. Chen У., Abraham М. Ж,—Phys. Rev. Lett., 1976, v. 37, № 26, p. 1757.
Chen Y„ Abraham М. М., Templeton L. С.—J. Amer. Ceramic Soc., 1977, v. 60, p. 101.
45. Извозчиков В. A.— Изв. вузов: Сер. физ., 1976, № 2, с. 146. Извозчиков В. А., Лаптев В. В.— ФТТ, 1976, т. 18, с. 3726.
46. Заитов Ф. А., Алексеев П. В., Поповяп Г. 3.—Неорганические материалы, 1971, т. 7, с. 145.
47. Готлиб В. И., Кристапсон Я. Ж., Шварц К. К., Экманис Ю. А.— В кн.: Радиационная физика.— Рига: Зинатне, 1973, с. 143. Готлиб В. И. Автореф. канд. дисс,— Рига, 1972.
48. Андроникашвили Э. Л., Цецхладзе Т. В., Емельянов К. А.-— В .кн.: Тез. докл. Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов.— Киев: Наукова думка, 1979, с. 68.
49. Ниязова О. Р., Канеев М. А.— В кн.: Тез. докл. на II Всесоюз. симп. по процессам роста и синтеза кристаллов и пленок.— Новосибирск: Наука, СО, 1969, с. 122.
ЛИТЕРАТУРА
349
Канеев М. А., Ниязова О. Р., Салахитдинов А. Я,—В кн.: Ра-диационпо-стямулировапные процессы в твердых телах. Ташкент: Фан, 1969, с. 96.
Канеев М. А., Ниязова О. Р., Силахитдииов А. Н., Стародубцев С. В,— В кн.: Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах.— Ташкент: Фан, 1969, с. 89.
50. Койфман А. II., Нигзова О. Р.— В кн.: Методы радиационных воздействий в исследования твердых тел.— Ташкент: Фан, 1971, с. 52; В кп.: Радиационные эффекты в полупроводниках.— Минск: Изд-во БГУ, 1972, с. 62.
51. Boisser-Chermette М.— In: Thesis Universite de Lyon, 1974. Adda Y., Beyeler М., Brebec G.—Thin Sol. Films, 1975, v. 25, p. 107.
52. Нистирюк И. В., Серегин П. 77.— ФТП, 1976, т. 8, с. 1170.
53. Schmidt P. F.— Appl. Phys. Lett., 1966, v. 8, p. 264.
Schmidt P. F., McCaughan D. V., Iiushner R. A.— Proc. IEEE,
1974, v. 9. p. 1220.
54. Beniere F„ Agrawal V. K.— J. Phys. Lett.. 1978, v. 39, p. 257.
55. Oldham W. G.— Trans. Met. Sos. AIME, 1969, v. 245. p. 505.
56. Радиациоипо-актпвациопные процессы, в кремнип/О ту. под. М. С. Юнусов,— Ташкент: Фан, 1977.
57. Белоусов В. МИзв. вузов: Сер. физ., 1969, № 4, с. 188; 1969. № 1, г. 7; 1969, № 5, с. 128.
Белоусов В. М. Автореф. канд. дисс.— Одесса, 1972.
58. Nemoto К.— Denki Kogaku Oyohi Butsuri Kagaku, 1972, v. 40, p. 376.
59. Ерматов С. E., Цхай В. А., Токжигитов К.— В кн.: Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы.— М.: Наука, 1976. с. 70.
60. Garland J. К., Schroeder J. W.— J. Phys. Chem., 1968, v. 72, p. 2277.
61. Курин М. П., Мальцев Г. И., Кошелев Ф. П. и др.— Изв. вузов: Сер. физ., 1977, т. 13, с. 122.
62. Багданова Е. А., Колбаиовекий Ю. А., Надыкто Б. Т.— В кн.: Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы.— М.: Наука, 1976, с. 17.
63. Спивак Г. В., Комолова Л. Ф., Ефременкова В. М., Сапа-рин Г. В.— Изв. АН СССР: Сер. физ., 1977, т. 41, с. 933. Ефременкова В. М. Автореф. канд. дисс.— М., 1977.
64. Григорьев А. Н., Дикий Н. П., Матяш П. П. и др.— ФТП, 1975, т. 9, с. 1147.
65. Armitage S. A.— J. Phys. D: Appl. Phys., 1975, v. 8, p. 2034. Eldrige G., Chernow F., Ruse G.— J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 3858.
66. Engel P. F., Chernow F.— In: Ion Implant, in Semicond. Sci. and Tech./Ed. S. Namba.— N. Y.— L.: Plenum Press, 1975 p. 267.
