Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках - Вавилов В.С.
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
Автор: Вавилов В.С.Другие авторы: Кив А.Е., Ниязова О.Р.
Издательство: М.: Наука
Год издания: 1981
Страницы: 368
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135
Скачать:
В.С.Вавилов, А.Е.Кив, О.Р.Ниязова
МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ И МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ В
ПОЛУПРОВОДНИКАХ
М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1081— 368 с.
В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. Особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных данных о диффузионно-контролируемых реакциях в полупроводниках. Показано, что эти данные могут быть согласованы благодаря единому подходу к процессам
возникновения и миграции дефектов в полупроводниках.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие 5
Принятые сокращения 8
Глава 1. Представления о простейших дефектах 9
§ 1. Точечные дефекты 9
$ 2. Методы расчета электронной структуры дефектов в кристаллах 13
Глава 2. Элементарный акт образования п миграции дефектов 24
§ 1. Дефектообразопаипе (общие вопросы) 24
§ 2. Допороговое образование дефектов 40
§ 3. Термофлуктуацнонное смещение атомов 45
§ 4. Теоретические модели высокотемпературной диффузии 53
§ 5. Квантовые эффекты в диффузии атомов 59
§ 6. Понятие о низкотемпературной стимулированной диффузии (НСД) 63
Глава 3. Современные представления об образовании и миграции 69
дефектов в кристаллах § 1. Новые конфигурации дефектов в алмазной решетке 69
§ 2. Эксперименты по низкотемпературной миграции и 78
фотостимулированньтм процессам § 3. Радиационно-стимулированная диффузия 89
Глава 4. Допороговое дефектообразование в атомарных полупроводниках 98
§ 1. Допороговые эффекты в Ge и Si 99
§ 2. Общие закономерности допорогового эффекта 112
§ 3. Взаимодействие радиационных дефектов с примесями 131
Глава 5. Допороговое дефектообразование в бинарных полупроводниках 143
§ 1. Образование и миграция радиационных дефектов в CdS 143
§ 2. Радиационные изменения в CdS в процессе возбуждения когерентного 160 излучения
§ 3. Допороговые эффекты в InSb и других бинарных материалах 167
§ 4. Фотостимулированные процессы образования и преобразования 178
дефектов в CdS
§ 5. Допороговые эффекты в облучаемых ионами полупроводниках 182
Глава 6. Влияние излучения на диффузию в полупроводниках 189
§ 1. Влияние радиационных дефектов на термическую диффузию 189
§ 2. Экспериментальные проявления стимулированной излучением 202
диффузии атомов
§ 3. Низкотемпературная миграция атомов в Si 215
§ 4. Влияние электронных возбуждений на низкотемпературную 236
миграцию атомов
§ 5. Низкотемпературная миграция при воздействии ионов малой и 259
средней энергии
§ 6. Особенности низкотемпературной миграции атомов 268
Глава 7. Активационные процессы при ионной имплантации 279
§ 1. Физические основы ионно-лучевого легирования полупроводников 279
§ 2. Дефекты структуры в полупроводниках, подвергнутых ионной 285
бомбардировке, и явление аморфизации § 3. Синтез полупроводниковых соединений и структур с использованием 289 ускоренных ионов
§ 4. Электрические свойства ионно-легированных полупроводников 292
§ 5. Лазерный и электронно-лучевой отжиг имплантированных слоев в 302
полупроводниках
Глава 8. Образование и миграция атомных дефектов в некоторых 309
прикладных задачах § 1. Деградация полупроводниковых излучателей оптического диапазона 310
§ 2. Влияние ударной волны на полупроводниковые материалы 316
§ 3. Микромеханизмы естественного старения полупроводниковых 319
материалов и приборов § 4. Низкотемпературная стимулированная адгезия 323
§ 5. Вопросы радиационной стойкости при воздействии 325
низкоэнергетических излучений Заключение 330
Литература 332
Дополнение при корректуре 361
