Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
InS -6 [10] —7,9 [294] 0,4 [294] - 50 [294] - - 15,2 [2Э4]
InSe —4,2 [288] 0,12—0,16 [294] 0.5(X с) [294] 1.B (Ilc) 900 [294] 1,4-10' Т~2/3 (X с) [294] 5,4 (? И с) 8,6 (?х с) 4,9 (? И с) [294] 6,2 (Exc)
InTe TlS - 0,09 [294J 0,07 [294] 0,26 [294] 0,11 (map) [294] -^=0,75 V-p [294] ^-=0,4 hp [294] 150 [294] 20 [294] 14,7 (?|| с) [294] 14 (Е і с)
TlSe TlTe -4,5 [288] —3,9 [32] 0,3 (mdn) [32] 0,03 (man) [294] 0,6 (mdp) [32] 0,5 (mdp) [294] JUL ~ 0,4 hp [288] 15—150 [288] 60 [294] 1120 (4,2 К) 15—20 (Е Il с) 34—44 (ЕА-С) 12 [294]
Таблица 22.18. Полупроводниковые соединения A'11B^1
Кристаллическая структура дЕJdT, 10~4эВ/К
Соединение Система. группа а, Ь, с, нм р, г/см3 Гпл, К Egt эВ cmV(B-c)
ct-Al2O3 K-Al2S3 H-Al2Se3 AI2Te3 P-Ga2S3 Геке, D\d Геке., Cg Моноклин., C4 Геке., Ctv То же 0,4758 (о); 1,295 (с) [242] 2,3—2,5 [288] 1,168 (с); 0,673 (Ь)\ 0,733 (с); P = 121,1° [150] 0,408 (о); 0,694 (с) [150] 0,3685 (а); 0,6028 (с) ioqri 2,32 [242] 3.91 [150] 4,5 [150] 3,65—3,74 [1501 4.92 [150] 5,57 [150] 7,04 [132] 5,92 [150] 5,67 [150] 2323 [242] 1373 [242] 1253 [150] 1168 [150] 1398 [150] 2,5 [242] 4,1 [242] 3.1 [150] 2.2 [150] 2.3 [123] 2,84 [123] —11,5 [242] -11,2 [101 -7 [58] 28 1150]
0-Ga2Se3 01-Ga2Teg1 In2O3 P-In2S3 ct-In2Se3 Моноклин. , C34 Куб.. T2d Куб. Куб., 0Л5 Гскс. I^00I 1,114 (а); 0,641 (Ь)\ 0,704 (с); р = 121,2° [150] 0,589 (а) [150] 1,012 (а) [132] 1,072 (с) [150] 1,60 (а); 1,924 (с) [150] 1,840 (а) [121] 1293 [150] 1065 [1501 2270 [132] 1363 [150] 1173 [150] 1,75 [150] 1,56 [31] 1,4 [150] 2,8 [132] 1.1 [150] 1.2 [10] -5 [16] —6 [242] -8 [132] -7 [Ю] -4 [10] 10 [16] 340 [123] 270 [60] <100 [150] 125 [150]
K-In2Te*8 Куб., T2 5,8 [121] 940 [150] 1,02 [150] 1,12 [16] —4 [242] 10 [150] 15-70 [16]
«1 U =26 см*/(В-с); mn/n,„ =0.39: т Inia = 0.23 [123].
•*тап/т0 = 0,53 [60].
•* InnJm0 = 0,7; тJmc = 1,1 [150]. Таблица 22.19. Электрофизические свойства галогенидов таллия [294]
Соеди- Кристаллическая структура Tn , Eg, эВ mn/m» трК
Система, группа а, нм г/см= К К CMV(B-C) см*/?В "то
TlCl Куб., Ofl 0,384 7,02 704 393 3,2 0,5—0,7 0,6—1 20 5000 (4,2 К) 67 000 (4,8 К) 32,7 4,76
TlBr То же 0,399 7,45 733 290 2,64 (4,2 К) 0,5 0,7 30 40 000 (1,8 К) 4 35 000 (1,8 К) 30,6 5,34
* Поляронная масса.
к
Рис. 22.126. Зонная структура GaN1 GaAs1 GaSb1 InN1 InP, InAs, InSb 1121, 170, 171]
V/ ^f
г
*
1
а)
< Z о
Т*г/ /
Z
/ > «г;
3ZrtK-1
200 ?00600 Г, К
Рис. 22.129. Температурные зависимости концентрации электронов (а) и их холловской подвижности (б) в монокристалле BP [247]
Рис. 22.127. Зонная структура BP, AIP, AlAs, AlSb [121, 170-172]
t
Рис. 22.128. Температурная зависимость удельного сопротивле-Z 5 8 11 ния монокристалла п-ВР IO3ZrjK-1 [247]
Рис. 22.130. Температурные зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления п-А1Р [248]
505
5-IOmCH3 \ V
I / Ч\
TJ(ЗОВК) = Z -IO17Cn3 V
1000 500 300
Рис. 22.131 Температурная зависимость холловской подвижности электронов в AlSb [250]
р(ЗООК)-10 Ctf
—I—
Рис. 22.132. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в AlSb [251]
\
\
-л 1 г У-
о • •• •• • • о о » о
* ? Єі W3/Г, К'7
Рис. 22.134. Температурная зависимость концентрации электронов для кристаллических пленок GaN [253]:
iu
SBj 0 • I * о .2
• о •
jH Q
If
о !
о Г
Рис. 22.133. Зависимость подвижности дырок в AlSb при Г=293 К от их концентрации [170]:
сплошная линия — расчет для комбинированного рассеяния на акустических фононах и ионизированных примесях
Рис. 22.135. Температурная зависимость холловской подвижности электронов для двух кристаллов GaN [253]:
кристаллы те же. что на рис. 22.134
506 ч V- —
-X— • °V V. \
Г
X > V
L \
\ I |Г
\ \ Vя -GfiAs
\ \ n-GsAs
ч ч
\ ч X
Hn 10K Wls 1о" W13 10го ы->
Л,Р,CrT3
Рис. 22.138. Зависимости удельного сопротивления п- и р-GaAs при Г=300 К от концентрации электронен или дырок [257]
Г, К
Рис. 22.136. Температурные зависимости холловской подвижности электронов в различных кристаллах GaP [256]:
точки — данные разных работ; сплошная линия — расчет
= 0,Б7-10 "77CM1 Zn
1,3 -10~11 ZS -38 • 1Z0 Iff-f^ ZIO • 10~^ ^ }
T
ч. о
X N. J
ч \
ч N.
г
/ J
у
Г
К"
nD ° С г Si V
/
/ л L
V
Л \
4
Г л
Z *¦ в 810 г
є SfO г ч- є S 10е 2 ? в Г, К
BglOz Z
г, к
S SlO3 Z
Рис. 22.139. Температурная зависимость холловской
__ _ „ подвижности электронов в GaAs:
