Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бабичев А.Н. -> "Физические величины" -> 281

Физические величины - Бабичев А.Н.

Бабичев А.Н., Бабушкина Н.А. Физические величины — M.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizicheskievelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 275 276 277 278 279 280 < 281 > 282 283 284 285 286 287 .. 561 >> Следующая


ф — гексагональный ZnS, легированный Al и отожженный при 1050 К; О — кубический ZnS, легированный I и отожженный при 950 К

Рис. 22.103. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в ZnSe [208]

? IOn

-&000 к

: ?
- Ґ /
? V
J Л і
/ X
Г *
/
г ми

ZO 30 50

7", К

Рис. 22.102. Температурные зависимости концентрации электронов (а) и их холловской подвижности (б) в кристаллах п-ZnSe с различной концентрацией доноров

и акцепторов [138]: Nd, Na, 10" см-8: Л —0,34 (ND), 0.13 (Na)- | -1,8 (JV0), 0,5 (N ); ?—1,05 (Nd), 0,75 (W4); Щ -3,7 <#D), 6,5 (Na);

О -7.4 (Nd), 3.4 (Na) -




о
г,5 : К о 3J м

Рис. 22.104. Температурная зависимость холловской подвижности в ZnSe [210]

494. Рис 22 105 Температурные зависимости проводимости (а)' коэффициента Холла (б) и подвижности дырок (в) в кристаллах p-ZnTe [235J:

nvHKTHD - теоретическая зависимость; легирующая примесь: Л-Cs? D-Te- Д-Р: •— Li; концентрация носителей V т \пп и /-5-І?- 2-3 2-Ю'6; 3-5,1 • Ю1"; 4-6,9Х

ХРЮ- 5-7 9К- Ю™ 6—2,8-10 ; ' 7-2.1-10- 8-2-10»; Ш • Ю~. XlO , 5 Г,J УО—4,5- IOlb;, Jl-6,3-10'8

495. г, к

33,3 ZO 1?,3 11,1 9

м3!т,W1

Рис. 22.106. Температурные зависимости коэффициента Холла (О) и холловской подвижности электронов (#) в нелегярованном кристалле CdS [213]

\
\
\
\

¦ I \ ¦ ¦ - К !
1. ^ * .T-V
I і ^
к
I NJ

т, К

ZOO 300 Wb tOO

Рис. 22.109. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в CdSe [138]:

концентрация доноров Ga. см-3:Ч--1-1016 (нелегированный образец); ¦ —1,4-10"; ф - .'9-Ю18; кривая — расчет

ода*


T-Vz """"
>
у "і »
г f4jN V
/ / / г
/

Z ? е S io IZ W3ZTtK-1

Рис. 22.107. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в различных кристаллах CdS [215]


? j *** ч
1 P > «»т


-103/т, К-7

Рис. 22.108. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок в разных образцах CdS [217]

W3


-
N
о <>о с'--
п
4і,



Рис. 22.110. Зависимость холловской подвижности электронов в CdSe при T= 77 К от их концентрации:

пунктир — расчет I218J

496 Рис.22. 112. Температурные зависимости холловской подвижности электронов в n-CdTe [138]. Обозначения см. в подписи к рис. 22.111; сплошная и пунктирная линии — расчет по разным моделям

1П16

10's

10*

и*

югз

,:а

10"

Рис. 22.1 П. Температурная зависимость концентрации электронов в я-CdTe [138]:

+, О, X. О. А — нелегированные образцы, прошедшие зонную очистку; О — отжиг в избытке Cd

Рис. 22.113. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в p-CdTe [138]:

/, 2 —расчет по формулам: ц=57 exp [(252/1)-1] п |1-4-105Х Х7"—3/2; упельное сопротивление образцов при T =293 К, Ом-см: ф 2.2-102; О—1,5-IOj; X — 1,9-10»; Л — 2,1 - IO2

• 33-2159 32 SSO - 60 - 55
500 ?50 - 50 - ?5
- ?0
ю - 13S
^300
ZSO 200 - ZS - 20
150 100 - 15 - 10

Ч
"л, /
\ /
\ /
Vl
j/ Л
Y \
OO-O OO*- -б ч >



-0,16

-0,22

Ii
/
/
Ґ
/


0,02

о о

о 0°
о %

Рис. 22.116. Зависимость эффективной массы электронов в HgSe при Г = 300 К от их концентрации [224]

О SO 100 ISO ZOO ZSO 300 T1K

Рис. 22.114. Температурные зависимости удельного сопротивления, подвижности электронов и их концентрации в пленке ?-HgS толщиной 11,5 мкм [222]

Ч. 2



'Ы °° і L

«•аааа а _ I ° „ Ot Ъ:
*•< •в..
'а я
* а

О SO 100 ISO ZOO ZSO 300

г, к

Рис. 22.117. Температурная зависимость подвижности электронов в HgSe [227]. Кристалл подвергался последовательным процессам отжига для получения различных электронных концентраций п, см~3, при 7=4,2 К:

3,60-10'»; Д — 1,89-10"; О — 3.78 • IO'7; ?-3,92-1018

О 30 60 90 120

т, к

Рис. 22.118. Температурная зависимость собственной Рис. 22.115. Температурная зависимость ширины запре- концентрации носителей в HgTe:

- щенной ЗОНЫ B HgSe [223] сплошная лнння — расчет [243]; точки — данные разных авторов S / п
- O-0-00-0
1
~~ з , J
: Vf _ г

IO3

Рис. 22.119. Температурные зависимости коэффициента Холла (о) и проводимости (б) в HgTe [239]:

концентрация носителей возрастает от образца 1 к образцу 5

1Z
a І і
iiu в A
§ \ 1 V 2 /
/ V
X
в L^s
і 'О15 10 16 ю" 10 77, CM"3 » //7»

10s

Л X
t
И \ \
\ l\ \
\Д \ И \ л
" "Л; -— \ "¦ч
\
-Л \
о", V \
* VNn \ -1
г» О
\ '2
&


-
\ г \
• I
л Ъ \
3 \ V
&
& Д
к


Рис 22.120. Зависимость подвижности электронов в HgTe при T=4,2 К от их концентрации. Расчет без учета (пунктирная кривая 1) и с учетом (сплошная кривая 2) экранирования заряженных центров за счет межзонных переходов [240]
Предыдущая << 1 .. 275 276 277 278 279 280 < 281 > 282 283 284 285 286 287 .. 561 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed