Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
ф — гексагональный ZnS, легированный Al и отожженный при 1050 К; О — кубический ZnS, легированный I и отожженный при 950 К
Рис. 22.103. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в ZnSe [208]
? IOn
-&000 к
: ?
- Ґ /
? V
J Л і
/ X
Г *
/
г ми
ZO 30 50
7", К
Рис. 22.102. Температурные зависимости концентрации электронов (а) и их холловской подвижности (б) в кристаллах п-ZnSe с различной концентрацией доноров
и акцепторов [138]: Nd, Na, 10" см-8: Л —0,34 (ND), 0.13 (Na)- | -1,8 (JV0), 0,5 (N ); ?—1,05 (Nd), 0,75 (W4); Щ -3,7 <#D), 6,5 (Na);
О -7.4 (Nd), 3.4 (Na) -
о
г,5 : К о 3J м
Рис. 22.104. Температурная зависимость холловской подвижности в ZnSe [210]
494.Рис 22 105 Температурные зависимости проводимости (а)' коэффициента Холла (б) и подвижности дырок (в) в кристаллах p-ZnTe [235J:
nvHKTHD - теоретическая зависимость; легирующая примесь: Л-Cs? D-Te- Д-Р: •— Li; концентрация носителей V т \пп и /-5-І?- 2-3 2-Ю'6; 3-5,1 • Ю1"; 4-6,9Х
ХРЮ- 5-7 9К- Ю™ 6—2,8-10 ; ' 7-2.1-10- 8-2-10»; Ш • Ю~. XlO , 5 Г,J УО—4,5- IOlb;, Jl-6,3-10'8
495.г, к
33,3 ZO 1?,3 11,1 9
м3!т,W1
Рис. 22.106. Температурные зависимости коэффициента Холла (О) и холловской подвижности электронов (#) в нелегярованном кристалле CdS [213]
\
\
\
\
¦ I \ ¦ ¦ - К !
1. ^ * .T-V
I і ^
к
I NJ
т, К
ZOO 300 Wb tOO
Рис. 22.109. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в CdSe [138]:
концентрация доноров Ga. см-3:Ч--1-1016 (нелегированный образец); ¦ —1,4-10"; ф - .'9-Ю18; кривая — расчет
ода*
T-Vz """"
>
у "і »
г f4jN V
/ / / г
/
Z ? е S io IZ W3ZTtK-1
Рис. 22.107. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в различных кристаллах CdS [215]
? j *** ч
1 P > «»т
-103/т, К-7
Рис. 22.108. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок в разных образцах CdS [217]
W3
-
N
о <>о с'--
п
4і,
Рис. 22.110. Зависимость холловской подвижности электронов в CdSe при T= 77 К от их концентрации:
пунктир — расчет I218J
496Рис.22. 112. Температурные зависимости холловской подвижности электронов в n-CdTe [138]. Обозначения см. в подписи к рис. 22.111; сплошная и пунктирная линии — расчет по разным моделям
1П16
10's
10*
и*
югз
,:а
10"
Рис. 22.1 П. Температурная зависимость концентрации электронов в я-CdTe [138]:
+, О, X. О. А — нелегированные образцы, прошедшие зонную очистку; О — отжиг в избытке Cd
Рис. 22.113. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в p-CdTe [138]:
/, 2 —расчет по формулам: ц=57 exp [(252/1)-1] п |1-4-105Х Х7"—3/2; упельное сопротивление образцов при T =293 К, Ом-см: ф 2.2-102; О—1,5-IOj; X — 1,9-10»; Л — 2,1 - IO2
• 33-2159 32SSO - 60 - 55
500 ?50 - 50 - ?5
- ?0
ю - 13S
^300
ZSO 200 - ZS - 20
150 100 - 15 - 10
Ч
"л, /
\ /
\ /
Vl
j/ Л
Y \
OO-O OO*- -б ч >
-0,16
-0,22
Ii
/
/
Ґ
/
0,02
о о
о 0°
о %
Рис. 22.116. Зависимость эффективной массы электронов в HgSe при Г = 300 К от их концентрации [224]
О SO 100 ISO ZOO ZSO 300 T1K
Рис. 22.114. Температурные зависимости удельного сопротивления, подвижности электронов и их концентрации в пленке ?-HgS толщиной 11,5 мкм [222]
Ч. 2
'Ы °° і L
«•аааа а _ I ° „ Ot Ъ:
*•< •в..
'а я
* а
О SO 100 ISO ZOO ZSO 300
г, к
Рис. 22.117. Температурная зависимость подвижности электронов в HgSe [227]. Кристалл подвергался последовательным процессам отжига для получения различных электронных концентраций п, см~3, при 7=4,2 К:
3,60-10'»; Д — 1,89-10"; О — 3.78 • IO'7; ?-3,92-1018
О 30 60 90 120
т, к
Рис. 22.118. Температурная зависимость собственной Рис. 22.115. Температурная зависимость ширины запре- концентрации носителей в HgTe:
- щенной ЗОНЫ B HgSe [223] сплошная лнння — расчет [243]; точки — данные разных авторовS / п
- O-0-00-0
1
~~ з , J
: Vf _ г
IO3
Рис. 22.119. Температурные зависимости коэффициента Холла (о) и проводимости (б) в HgTe [239]:
концентрация носителей возрастает от образца 1 к образцу 5
1Z
a І і
iiu в A
§ \ 1 V 2 /
/ V
X
в L^s
і 'О15 10 16 ю" 10 77, CM"3 » //7»
10s
Л X
t
И \ \
\ l\ \
\Д \ И \ л
" "Л; -— \ "¦ч
\
-Л \
о", V \
* VNn \ -1
г» О
\ '2
&
-
\ г \
• I
л Ъ \
3 \ V
&
& Д
к
Рис 22.120. Зависимость подвижности электронов в HgTe при T=4,2 К от их концентрации. Расчет без учета (пунктирная кривая 1) и с учетом (сплошная кривая 2) экранирования заряженных центров за счет межзонных переходов [240]