Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
16,1 [254] 14,4 [254] 6000 (77 К) 3600 (77 К)
InN — 9,3 20—200 — (000)
InP 14 [27] 10,9 [170] 4600 [27] 150 [27]
12,4 [254] 9,6 [254] 40 000 (77 К) 1200 (77 К) (000) [170]
InSb 16,8 15,6 [254] 78 000 [27] 750 [27]
17 [27] 15,7 1200 000 (77 К) 10000 (77 К) (000) [170]
InAs 14,5 [27] 11,6 [170] 33 000 [27J 460
14,9 [254] 12,3 [254] 82 000 (77 К) 690 (77 К) [27] (000) [170]
501 Продолокение табл. 22.23
(ООО) (Iii)
Соединение ЕК > ЭБ Егд-эв ?гл - эв т„
BP 2,0 _ _ _ _ —
AlP 2,45 2,5 (2 К) 1,1
AlAs 2,14 2,23 (2 К) 1,0 — 0,29 [173] 0,124 —
1,3 Г172] 0,75 [170] 0.09 [123]
AlSb 1,63 1,69 (4,2 К) 0,7 [171] —
GaN 3,44 __ — — 0,2—0,4 [214] —
3,50 (1,6 К)
GaP 2,27 0,35 [170] 0,25 [185] 0,08 0,12 [123] —
2,35 (0 К) 0,1 [171]
GaAs 1,43 1,52 (2 К) 0,70 0,38 0,5 [185] 0,33 [170] 0,067 [84] —
GaSb 0,4 [170] 0.08 0,75 [841 0,047 [170] 0,9 [170]
0,811 (2 К) 0,8 [171] 0,11 0,12( ) 1,3 (I!)
InN ~ 2,1 _ — — —
InP 1 34 1І42 (2 К) 0,7 [170] 0,4 [84] 0,1 [171] 0,073 [84]
InSb 0,180 — 0,45—0,5 [84] 0,98 [170] 0,014 [170] —
0,236 (4 К)
InAs 0,36 — — 0,38 184] 0,023 [170] —
0,41 (0 К) 0,43 [170]
Продолжение табл. 22.15
Соединение т(Ю0) mPi mdp т„ SEJdT, IO"4 эВ/К BE„JdP. 10-" эВ/Па
BP AlP — 0,63 0,20 0,39 [173] - - - -
AlAs 0,5 -і- 0,8 0,5 _,Eo1 СО Ot- as 1 OO OO - —4 - —
AlSb GaN 0,33 0,25 (J.) [84] 1; 1.64 (11) 0,4 [123] 0,9 [173] 0,6-И,0 [214] —3,5 —4Г[123] —3,9 [242] -6,7 — 1,6 [170] (100) —4,2 (000) -
GaP 0,22( ) [84] 1,15 (II) 0,5 [170] 0,56 [105] 0,13 [170] 0,16 — —5,5 [170] —1,7 [170] (100) —
GaAs 1,2 [170] 0,3 (X) 2,0 ( Il ) 0,475 (231) 0,5 (170) 0,89 [232] 0,5 [173] -5 (ООО) [170] -2.4 (100) 12,5 (000) [186] —8.7 (100) [1701 0,52—0,37 [84] 0,523 [170]
GaSb InN 0,23 [123] 0,36 (X) [233] 0,26 (II) [233] 0,04 0,052 [233] 0,39 [173] —3,5(000) [170] +2(111) [123] 14,5 (000) -10 (111) —9
InP InSb InAs - 0,60 [105] 0,4 [123] 0,4 [170] 0,086 [170] 0,12 [105] 0,015 [123] 0,020 [231] 0,025 [170] 0,2 [173] 0,33 [173] —2,9 [123] —4,6 [170] —2,8 [170] -2,9 [123] —2,2 [І70] —3,7 [123] 4,6 (000) [170] 15,5 (000) [170] 14,2 (000) 4,8 (000) 8,5 (000) [170] 3,2 (111) 1,3 [292] —0,6 1230] -50 [170] —48 [84] —14,7 [84]
502 Таблица 22.16. Свойства примесей в соединениях
iii v
A B [292]
Продолокение табл. 22.23
Соединение eD > ЭБ эВ
AlP - 0,15 (?) 0,37 (?)
AlAs ООО 3 S сл
AiSb 0,068 (Те) 0,147 (Se) 0,160 (?) 0,033 (?) 0,041 (?) 0,102 (?)
GaN 0,017—0,042 (1/N) 0,225 (Vca) 0,41 (Hg) 0,750 (Li) 0,37; 0,48; 0,65; 1,02; 1,42 (Zn)
GaP 0,061; 0,091 (Li) 0,072 (Sn) 0,085 (Si) 0,105 (Se) 0,107 (S) 0,204 (Ge) 0,897 (О) 0,930 (Те) 0,052 (?) 0,054 (С) 0,057 (Be) 0,060 (Mg) 0,070 (Zn) 0,102 (Cd) 0,210 (Si) 0,265 (Ge) 0,530 (Cu)
GaAs 0,058 (Si, Se, Pb, VGa) 0,059 (Ge, Si, С) 0,027 (С) 0,028 (Be) 0,029 (Mg) 0,031 (Zn) 0,035 (Si, Cd) 0,040 (Ge) 0,113 (Mn) 0,167 (Sn)
Соединение ed. эв Bai зв
GaSb 0,145 (S) ) 0,085 (Se) 0,020 (Те) J -0,3 (S) ] 0,2 (Se) \ <0,08 (Te)J (111) (100) 0,0094 (Si) 0,013—0,015 (Ge) 0,008—0,130 (?)
InP 0,106 (Tl) 1 0,175 (Si) / (Iuu) 0,031; 0,108 (Mg) 0,031; 0,143 (Be) 0,041 (С) 0,046 (Zn) 0,057 (Cd) 0,098 (Hg) 0,210 (Ge) 0,270 (Mn)
InAs 0,020—0,025 (?) 0,01 (Sn); 0,02; 0,035 (?) 0,014 (Ge) 0,02 (Si)
InSb -0,007 (S) -0,007 (Se) -0,007 (Те) 0,05 (Те) 0,15 (Se) 0,25 (S) 0,55 (?) j (000) (111) 0,008 (Со) 0,0091; 0,0099 (Zn) 0,00925 (Ge) 0,0095 (Mn) 0,0099 (Mg) 0,013 (Fe) 0,028; 0,056 (Cu) 0,030; 0,056 (Ag) 0,07 (Cr) 0,12 (?)
Кристаллическая структура
Соединение Система, группа а, Ь, с, нм р, г/см3 Гпл, К V« Eg, ЭБ
GaS GaSe GaTe InS Гекс., D46h То же Моноклин., Г1 Орто ромб., Л13 2/1 0.3585(a); 1,55 (с) [150] 0,3755 (а); 1,594 (с) [150] 6-й е- GaSe [294] 1,744 (а); 1,046 (Ь); 0,4077 (с) [294] 0,394 (л); 0,444 (Ь); 1,064 (с) [150] 3,75 [288] 5,03 [150] 5,44 [150] 5,18 [150] 1235 [288] 1211 [294] 1097 [294] 1108 [150] 965 [150] 215 [288] 190 (0 К) [294] 158 [294] 3.06 (77 К) 2,09 [294] 1.7 [152] 1.8 (0 К) [294] 1.9 [294] 2,07 (4,2 К)
InSe InTe TlS TlSe TlTe Гекс., D4h Тетр., DU То же » » 0,400 (а); ? : 1,670 (с); Y :2,495 (с) [294] 0,8437 (а); 0.7139(c) [150] 0,779 (а); 0,679 (с) [150] 0,803 (а); 0,701 (с) [150] 1,294 (а); 0,6158 (с) [150] 5,55-5,72 [150] 6,29 [150] 7,61 [150] 8,2 [288] 8,15 [294] 8,42 [150] 888 1288] 933 [150] 966 [150] 623 [150] 607 [288] 623 [294] 573 [288] 603 [150] 190 [294] 180 [294] 1,18 1,32 (ЗОК) [294] 0,26—0,36 [288] 1,36 [294] 0,75 [294] 0,7 [32]
503 Продолжение табл. 22.1
Соединение дЕ /дТ, 10""» эВ/Па (10~еэВ/ат) mTiImn mP Imо cms/(B-c) V cm2/(B-c) Eo [294] So 1294]
GaS —7,2 [288] 5 [288] - 12 [294] 80 [294] 5,9 (E Il с) 10,0(?xc) 5,3 (? Il с) 6,7 (Exc)
GaSe —4 ПО] 0,51 [288] 0,5 (X) [294] 1,6( II) [2941 1,34 [288] 0,8 (X) [294] 0,2 (II ) [294] 80 ( Il c) [294] 300 (X c) 210( Il c) [294] 60 (X c) 6 18 (?|| с) 10,6 (?х с) 5,76 (? Il с) [294] 7,44 (?хс)
GaTe -(4-5) [294] 1,34 [288] 50 [31] ~10 I-p [288] 15 [152] 40 [150] 10,58 (Е И и) 9,66 (Е і с) 7,29 (? И с) [294] 6,97 (Elc)
