Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
485. 7OD SDO
\ I / 6
I 1 !/ Z , / А / 9
і г / У
T V / X
Ї/ < \
J Vj WJ \ і \ Z
I W
j I
и I к
I Ii
1,0 1,5
Z,О 2,5 103/Т, К"
3,0 3,5
1,05
1,00
70 110 150 130 Z30 ZlO 310 Т,К
Рис. 22.79. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны в Zn2As2 [176]
Рис. 22.77. Температурная зависимость коэффициента Холла в ?-ZnP2 [166]:
1 — кристаллы, полученные из паровой фазы; 2 — кристаллы, полученные из жидкой фазы
?10 Z S ; S
S
/ ?
? * f
d «г
'А / ^f г
^jar"'
500
IO3ZT1K-1
Рис. 22.80. Температурные зависимости коэффициента Холла и подвижности дырок в Zn3As2 [177]:
-— Rih.___ _ цр; О — нелегироваиный образец;
Д — легирован Cu; # — легирован Те
Рис. 22.78. Температурная зависимость удельного сопротивления для трех вырезанных из одного монокристалла образцов ZnAs2 [167]:
ориентация образцов показана на вставке, направления Ь и с соответствуют кристаллическим осям, направление а' перпендикулярно Ь и с и составляет угол 12° с моноклинной осью а
486. Z1S з 103/т, К-1
Z.5 з W3ZrtK-1
Рис. 22.81. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и коэффициента Холла (б) в Zn3As2 [179]:
на ряде кривых указаны легирующие элементы, остальные кривые относятся к чистому материалу; кривая без эксперимен-
тальных точек — коэффициент Холла в собственном материале [179]
= 2
W3 г
к є
д X. V
/
,Рг 2
7 ^Д«,__^ Z
/ fv .Pu ъ»*
і \ S -? I
4N
і— 4^rv ,PJJ - *
І— 2
а) W
I \ ' R га \ R321
I
I 7
Л
w3/Ts к
Рис. 22.82. Температурные зависимости компонент тензора удельного сопротивления (а) и коэффициента Холла
(б) в ZnSb [180]
487. 1 г » є в 10 г *¦ 103/Т,К~1
Рис. 22.83. Температурная зависимость холловской подвижности дырок для трех главных направлений в ZnSb [182]
[
,/4M
* V ' ч[ 100]
/ у / / Л
г / /
/
IO3ZrtK-1
Рис. 22.85. Температурные зависимости удельного сопротивления (1, 2) и коэффициента Холла (3) в CdP4 [1
1 — монокристалл: 2, 3 — поликристаллы
0,3
о,г 0,1 о
СО
ьГ -o,s -О,В -о,У -0,8
с /
\
>
Ll 'I V1
±= с
/ \
-в -ч- -2 о г ч-б Ar, WsCtT1
Рис. 22.86. Структура энергетических зон в Cd3P2 [192] (?g=0,53 эВ, Aso = O1I эВ, P=6,7- IO-8 эВ-см, mBl= =0,5 mn) [192]:
Рис. 22.84. Зависимость холловской подвижности ды- А, В, С — разрешенные прямые межзонные переходы; Vi рок ОТ ИХ концентрации при Т = 300 К B Zn4Sb3 [187] V2. Va — валентные зоны; с — зона проводимости
р,сг\ ю3/т, к-'
W3/т, K-
Рис. 22.87. Температурные зависимости коэффициента Холла (а) и удельного сопротивления (б) в монокристаллических (1) и поликристаллических (2) образцах Cd3P2 [190]
H
ю
г. см"
Рис. 22.88. Зависимость подвижности электронов при T=77 К от их концентрации в Cd3P2 [191]:
— расчет; точки — разные экспериментальные работы __
сплошная
489. \ ? Sg Sr Є, \ ¦ 4N4L^ / У
Jii^
Рис. 22.90. Структура энергетических зон в Cd3As2 [293]:
??=0,12+3,3-10-1 T эВ; Er =0,03 эВ (10 К); ?^=0,05 эВ (4,2 К); E1 = 0,026 эВ (10 К); Afo — 0,21—0.31 эВ
4- е 8 10 IO3ITtK-1
Рис. 22.89. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и коэффициента Холла (б) для монокристаллических образцов H-CdAs2 [195]:
концентрация носителей возрастает от 1 к 6
1ЄО 24-0 SZO Ш TtK
Рис. 22.91. Температурная зависимость концентрации электронов в различных кристаллах Cd3As2 [196]: пунктирная линия соответствует собственной концентрацій
490. T3K
Рис. 22.92. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в Cd3As2 [187]
Рис. 22.94. Температурные зависимости компонент тензора удельного сопротивления и коэффициента Холла в n-CdSb, легированном Ga [205]
\
)00? О
!-Ўті.
• • + T
7 •
»
W11
Л, CM
Рис. 22.93. Зависимость подвижности электронов от их концентрации в Cd3As2 при Т=4,2 К по данным различных авторов [204]:
линии — расчет
- И ч
X
КЗ Ргг
X «іJk Pn
Рзз
I I
IO3ZTtVr1
Рис. 22.95. Температурная зависимость компонент тензора удельного сопротивления и коэффициента Холла в JO-CdSb [205]
491. 492. г, к
S Jt*
Ilc
ЛIc Illc /
У IlC X O— о а)
Wtf
102
ZOO JOO
103/TtK-1
4-00 SOO
л - Ii. с, В Il с О - Il CtBl с • - I II с,В I с
\
о І \
Л I^l 'H \ JU-H-L С Vw Il С
л
Рис. 22.100. Температурные зависимости проводимости (а), коэффициента Холла (б) и холлозской подвижности электронов (в) в ZnO при различных ориента-циях тока / и магнитного поля В относительно оси с [207]
493. Ц—
T q- А—
j
т, к
Рис. 22.101. Температурные зависимости концентрации электронов (а) и их холловской подвижности (б) в ZnS [138]:
