Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бабичев А.Н. -> "Физические величины" -> 285

Физические величины - Бабичев А.Н.

Бабичев А.Н., Бабушкина Н.А. Физические величины — M.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizicheskievelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 279 280 281 282 283 284 < 285 > 286 287 288 289 290 291 .. 561 >> Следующая


Рис. 22.137. Температурная зависимость холловской линин_расчет без учета (-) и с учетом (---> рассея.

подвижности дырок в различных легированных Zn Ния электронов на ионизированных примесях; точки — данные кристаллах GaP при разной концентрации Zn [256] разных работ [2S8J

507 o0V
о, ' о о P
г tX0

?

• 4
V


• •


А
• •
і \
о А V ? dt 4а\ Aa \ .
AXU. »

Рис. 22.142. Зависимость холловской подвижности дырок при T=300 К от концентрации дырок в GaAs: сплошная лнння — расчет [2591; точки — данные разных работ

Г, К

1273573 373273 173 123 93

г ч- es 10 г V-Т, К

Рис. 22.140. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в GaAs [259]:

концентрация акцепторов и доноров ~1 А и Nd, 10" см-8: О —3,3 и 1,8; Л— 11 и 3; ф —7 н 5,5

З Є 3 1Z

103/Т,К~7 д.)

TtK

1273573373273 173 1Z3 33 103

1

_ 0,8 4

^ о, Є Ч 0,2

Oo кд э °
^ о "4q^ So-O-
\ »
N >о


З Є 3 1Z M3/Т,к~1 o) Рис. 22.141. Зависимость холловской подвижности электронов при T=300 К от концентрации электронов в ле- Рис. 22.143. Температурные зависимости коэффициента тированных Sn кристаллах GaAs: Холла (а) и проводимости (б) кристаллов GaSb [170]:

пнння — расчет [260] концентрация растет от і к 4

508 1 Z Ь Б 8

Рис. 22.144. Температурные зависимости подвижности

носителей в GaSb с различной концентрацией носителей п- и р-' (нижняя кривая) типа [127]

V г (у , Z "
j f га % I - J -1
-h f А г
\t f
у
Ч1 '"і
/

1 г <h в 810 2 Ч- BSlOz 2 ? е 10s

г, к

Рис. 22.146 Температурная зависимость холловской

подвижности электронов в InP [262]: п (300 К), IO15 CM-3: 1—2 (Cu): 2—5 (Fe); 3-5 (Те. Cu); 4—10 (Со)

!

ю3

\

Рис. 22.145. Температурная зависимость холловской

подвижности электронов InP: сплошная линия — расчет [261]; п (300 К), Ю'5 см-3: щ — 2; Л — 1.7; О — 4: Л — 6

10 Z t Є 810Z Z feW3

Т,К

Рис. 22.147. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в InP [263]:

о (300 К), Ю 17 CM-3: 1—0.7; 2—1; 3—3; 4-13; 5-30; 6-56; 7—85

\
N
ч-
Ш \
Uli
•А ь=
-А- к
о

20 ? В 8 10Z Z * Є 8 1113 Z Т, К

509
*
"i44I
X

є г юг

г, к

S 8 103 Z

Рис. 22.148 Температурные зависимости холловской

подвижности электронов в InAs: сплошная линия — расчет (255]; п (300 К), IOle см-3; А — 1,7; О — 4; А — 0.4

0,07
0,06
0,05
0
0,04
Er 0,03
OtOZ
Ofll

Рис. 22.151. Зависимость эффективной массы электронов

в n-InSb от концентрации электронов [264]: сплошная линия — расчет по теории Кейна; точки — данные из разных работ




• о% AA Л * IfU д д • і S л і 0 - •
• < it


+ б 8 107

Рис. 22.149. Зависимость холловской подвижности электронов при T=300 К от концентрации электронов в кристаллах InAs с различной степенью компенсации K=NaINd [247]:

Зплошная линия — расчет; О — К<0,15; А — 0,15<К<0,3; ф — К>0,3


• о J ОС 0O^o л д

W



Рис. 22.150. Зависимость холловской подвижности электронов при T=77 К от концентрации электронов в кристаллах InAs [247]:

сплошная линия — расчет; ф — нелегнров&вный образец; О — легирован Cu; А — легирован Sn—Zn; ^ • эпитаксиальные пленки

1 W5

Ч. 8 6

У JO-C
1/ г- V
J / P д
/ Z -у / к
' J /
> / ?
/

т, к

Є 8 10і

Рис. 22.152 Температурные зависимости подвижности электронов в чистом (/) и легированном (2) (концентрация примеси >1014 см-3) кристаллах InSb [265]

510

и /Г Э-О-
Jf / „ р _х ^ ¦о S^E о 1 _
/ г
і г 2
/ /, п J \ 7
4 f А
J

6 Wz

! № j образца I nD-nA . см"» nD + "Л . CM-3 NAIND Р-п (30 К), CMs/(B-c)
t 1,2- I0«4 6,5- IO14 0,50 830 000
2 1,9- 10" 1,3- 10« 0,75 480 000
3 9,8-IOis 1,6- IOis 330 000
1.4- 10'» 2,3- 10« 0,'э9 160 000
5 1,6- 10« 2,6- 10" 0.99 150000
S 3.6-10" 1,9- 101» 150 000
7 6,2- 10» 2,7-10" О!Э9 92 000

-3 IOfs

S N
\ N \ і 2 3
і \ \ / /
h \ > \ Sr- /
і і N N ь
Г я с III

« 10-? 1 5 t

Ч. ,

Рис. 22.155. Температурная зависимость хол- Ю ловской подвижности дырок в InSb [268]


\
\
vJ -1,8
К

\ \
X


608 10г Z 4-Є Т, K

10 "о" е

Рис. 22.153. Температурные зависимости подвижности электронов в кристаллах InSb с различной концентрацией примесей




¦ ч о.)
л ч

7м 107* Wis 101В 1017 101й 101Э IOzoWzi р,Ы3

10*

\ / .72 3 Ч/ —
S)
ы
4 /

I17 IOlg 101ЭЮго

р,сн~

Рис. 22.156. Зависимости подвижности дырок в InSb при 7=290 К (а) и Г=77 К (б) от концентрации дырок [268—270]:

сплошные линни (б) •— расчет с учетом рассеяния дырок на оптических фононах (/), примесных ионах (2), акустических фоионах (3-Е,=7 эВ; 4—E1 = 21 эВ), примесях и акустических фононах (5); точки — данные из разных работ
Предыдущая << 1 .. 279 280 281 282 283 284 < 285 > 286 287 288 289 290 291 .. 561 >> Следующая
Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed