Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бабичев А.Н. -> "Физические величины" -> 289

Физические величины - Бабичев А.Н.

Бабичев А.Н., Бабушкина Н.А. Физические величины — M.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizicheskievelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 283 284 285 286 287 288 < 289 > 290 291 292 293 294 295 .. 561 >> Следующая


525 /1 L 1\ Г Z
Г К* I ~0,25з В

Рис. 22.201. Зонная iaD_ структура GeTe [294] 30

Рис. 22.203. Температурные зависимости холловской подвижности (2, 3) и концентрацнн дырок (2', 3') в поликристаллических образцах и монокристаллических пленках (/, /') GeTe [304]:

температура осаждения пленок на стеклянной подложке, °С: 2, 2' — 250; 3, 3' — 300

X
V о «о Лож

с
ч •* »

oV W
Я-
Oo А "5— "2S 3 о * J3
о • Э,о

\ \ ч
\ Ъ \ iv о • ,
/ ^
/А \
/ M
RH(77K) Г \ \
Rh (JOC ' К) /W Ц ч л \
Ч л

? Є BlOzi г ? є 1022 Р(зоои), см"3

Рис. 22.202. Зависимости холловской подвижности дырок и удельного сопротивления от концентрации дырок в пленках GeTe с различным содержанием Те: О — 54% (неотожженный образец); остальные символы — 51,5% (после нескольких процессов отжига) [3031

р,сн 3

Рис. 22.204. Зависимости холловской подвижности дырок при температурах 77 (О) и 300 К (Л) и отношения коэффициентов Холла для тех же температур от концентрации дырок в кристаллических пленках GeTe, полученных осаждением на подложках с различной температурой [304]. Значення Rh (300 К) для различных пленок различаются; для объемных поликристалличес-кнх образцов Rh (300 К) = 6,5-10~3 см3/Кл

526 Z

1ГЄ

I I
\
—^
— kY
N V
V
I _ I 1 j \
! і \
I-jN
I І і г\
I «¦•її !Iil1

Рис. 22.207. Температурная зависимость концентрации цырок в SnS [306]

г,с V zrp г,з z,z J,? 1Р3П, к~-

Рис. 22.205. Температурная зависимость проводимости монокристалла SnS [305]

U Т-2.І /
/ ъ /
/ к Л
\
\
\

\
1 у,
К


т, К

ю3

f03/T, к-'

Рис. 22.208 Температурные зависимости удельного сопротивление и коэффициента Холла в кристаллах Рис. 22.206. Температурная зависимость холловской n-SnSe после выращивания (7), отжига (2) и закал-подвижности дырок в SnS поперек оси с [306J ки (3) [307]

527

І Рис. 22.209. Температурные зависимости подвижности дырок вдоль оси [001] и концентрации дырок в кристаллах SnSe с низкой (а) и высокой (б) концентрацией дырок [308]

607 BSlO1 Z 3 ?5 6 7 BW3

Т, К

Рис. 22.212. Температурная зависимость проводимости различных кристаллов SnTe [309]:

концентрация дырок при Г-77 К, 10й см-8: V — 2,1; 3,48; Л - 8,05; О — 18,8; ф — 17,6

?



_I_
s»^
S •
.4 ч V ?
Si-

10і" г ? 6 Я10" Z ?-5 810" Z ?

р,с M"3

Рис. 22.210. Зависимость холловской подвижности дырок вдоль оси [001] при T = 77 К от их концентрации в SnSe после выращивания (О) и отжига (#) [308]

000O0, I
Рч Ьо
о о

Л

о > О 00O0c °о 1
ч о о г
О с О о P о< і Sri
ч» 'с* "о о
V,3
1 0O

? в 810 г ? в в 10 г * Т, К

Рнс. 22.213. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в различных кристаллах SnTe [310]: Рис. 22.211. Зонная структура SnTe вблизи точки L концентрация дырок при T-4.2 к. IO2" см-3: 1—1.4; 2-7,73; зоны Бриллюэна [294] •> — 1.74

528 • 33-2159

529 Л

,?,2 К

\ \ C1 &
77К \ Л і і ?.Z К /
к fv А у
о eeA
ч «N eJh
ZSJK V ЧЛ 4d І
о о CP і \ •м.
^ А -—
f& ч*
«8 \ \
X ?

Б 8 70го

р(77К), <

Рис. 22.214. Зависимость холловской подвижности дырок при различной температуре от их концентрации при T=77 К для кристаллов SnTe [309, 310]


N
/ \
/ \
\
I \
I T--W- \
\ а;

-
I
_ I
ї
V
v
N
\
\
I 6)

V Z50 ЗОО ?00

т, к

г,Б 3,0 3,? 3,8 103П, к-'

Рис. 22.217. Температурная зависимость холловской подвижности электронов поперек (а) и вдоль (б) оси с в SnS2 [312]

W1

И


/
/

1,0 ^ i,zs Z

1,8В j

о

2,5^

7 9 103!Т, к-'

Рис. 22.218. Температурная зависимость удельного сопротивления (проводимости) поперек оси с для кристалла SnSe2 с концентрацией электронов п —1,57-IO18 см-3 при T=290 К [36]

Рис. 22.216. Зонная структура SnS2, SnSe2 [294]:

6, эВ: SnS2-0,8; SnSe2 — 0.65

J L і I
2 к- J
1 Л
Ч а)

ZDD Г, К

Рис. 22.219. Температурные зависимости подвижности электронов в базисной плоскости (а) и перпендикулярном ей направлении (б) в кристалле SnSe2 [270]

22.3.5. Соединения типа AvBv-AVB™

Известно полупроводниковое соединение SbI типа AvBvi1, кристаллизующееся в гексагональной решетке (а=0,748 нм, с=2,09 нм, ?є=2,5 эВ [242]).

530 Таблица 22.24. Электрофизические свойства сплавов Bi^xSbjr [293]

Кристаллическая структура
Система а, Ь, с, нм rD- К Eg, эВ mnlmo CMV(BC) см*/?В-с) (4,2 К)
Ромбоэдр. 0,474—0,450 (a, X = O-H 1); 1,186—1,154 (с, X = O-i-0,5) 128,5 (* = 0,1) 6-Ю-3 (х = 0,06) 8-Ю-3 (х = 0,068) 0,025 (тг, X = 0,05) 0,75 (m2, X= 0,05) 0,0065 (т3, х=0,05) 3,97-104 (X = 0,03) 4,73- IO4 (X = 0,03) 360 (jc=0,072) 175 0е=0,092)
Предыдущая << 1 .. 283 284 285 286 287 288 < 289 > 290 291 292 293 294 295 .. 561 >> Следующая
Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed