Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
SnSe То же 1,157 (?); 0,419 (Ь); 0.446(c) [1] 6,18 [114] 1133 [216] 210 (80 К) [114] —
SnTe Куб., Og 0,628 [I] 0,632 [294] 6,45 [114] 1079 [114] 140 [114] —
SnO2 Тетр., Dlfl 0,472 (?); 0.317(c) [1] 6,95 [216] 1400 [216] 570 [294] 12
SnS2 Триг., Dld 0,364 (?); 0,587 (с) [1] 4,5 [216] 1038 [294] 1143 [288] — -8,6
SnSe2 То же 0,381 (с); 0,614 (с) [288] 6,01 [294] 923 [216] — —
518 Продолокение табл. 22.23
Si2Te3 GeS
GeSe
GeTe
SnS
SnSe SnTe
SnS2 SnSe2
1,89 [294] 1,65
1,74 (4,2К) [294] 1,0 [8] 1,16 [114] 0,1-0,2 [294]
1,07 [3]
0,9—0,95 I
0,19 [294] 0,26 [114]
3,54 [288] 3,97 [98]
2,07 [183] 0,97 [183]
5,4 ( И с)
0,45(/м dn)
" Значения ?0 н
0,30(/ИХ) 0,23 (/Мц) 0,22(md„)[69]
0,4
2,9(mdn)
зависят от взаимной ориентации E и оси с.
тр/то
5,4 ( И С) [294] 0,3—0,7 [294]
1,15 (тр1) [114] 5,0 (тр2) 0,95 (mdp) [127] 0,2 (т±) 1,0 (,Inli) 0,15 (тар) 115] 0,07 [288] 0,13 (тр1) 0,09 (тIp2) [294] 3 (mdp j)
260
8800 (77 К) 50
27 [183] 66 (77 К)
2 • IO"8 (||с) Г294] 90 [294]
70 (coT~z) [114] 60 [8] 150 [126!
90 (хс) [127] IxIla-hib f^lia/^llc —5,5
1700 (,X1) [181] 50 Ы [114] 3500 (100К) [114] 300 [69]
6O 1294]
25—30 22—30 40 [288]
1770 1200
6—20 10—21
Pne 22.179, Зависимость дрейфовой подвижности электронов в ci-SiC при T=300 К от концентрации электронов [295]
U- 2V ^n/" \/1 ,в ,7 \
<
і t
/ J % К
\
\
T3 К
Рис. 22.180. Температурная зависимость дпейгіювой под вижности дырок в кристаллах a-SiC [296]:
3,2 3б'7
23
Добавка Cl к мосфере Ar То же
Добавка СО к мосфере Ar Добавка Cl к
519 <111>
Рис. 22.18!. Зоні (значения
0,ZSI-----
о 80 1Б0 ZfO 320 т
Т, к
Рис. 22.182. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны PbS [297]
Рис. 22.183. Температурная зависимость собст-SO 150 250 350 венной концентрации т, К носителей в PbS [297]
концентрация носителей растет от і к 7
520 г 10"2
6 8 10 12 14-103/Т, К'7
! I IeereV. + —I -+-
m IV и 1 V \ Z J
г I Л "и л
\ ? \ S
S)
Є 8 10 1Z 14-W3/Т, Y'1
Рис. 22.185. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) н коэффициента Холла (б) кристаллов
P-PbS [228]: концентрация растет от / к 5
— /л -I -J -
К - ? -5 В 7
/ , /
ч '
U' Illh I /
Jlli7
L'L
' I
1/Т, К~
0,1
О,Є
О,W 0,35 OJO 0.25
0,15 L
W 160 ZfO 320 tI-OO TfK
Рис. 22.187. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны PbSe [297]
Рис. 22.186. Температурные зависимости холловских подвижностей электронов н дырок в кристаллах PbS [117]:
концентрация носителей, 10" см-3: 1—2,66 (р); 2—4,25 (л); 3-7.45 (л); 4 — 4.63 (л); 5—2,72 (л); 5 — 0.184 (л); 7—0,164 (л)
521 150 250 300 Т, К
Рис. 22.188. Температурная зависимость собственной концентрации носителей в PbSe [297]
1 JTtYC
Рис. 22.190. Температурная зависимость холловской подвижности электронов и дырок в кристаллах PbSe [117]: концентрация носителей, IO18 см-3: /—0,16 («); 2—0,11 (р); 3 — 3,6 (п); 4 — 4.3 (P); 5 — 1,4 (р); 6 — 3,5 (р); 7-2,4 (и)
522 hiZCO
/ /?
fv* Zx
д' \
О 80 1Є0 ZW 3Z0 ?00 Ty к
Рис. 22.191. Температурная зависимость ширины запрещенной зоиы PbTe [297]
Рис. 22.192. Температурная зависимость собственной концентрации носителей в PbTe [297]
Рис. 22.193. Температурные зависимости удельного сопротивления (о) и коэффициента Холла (б) различных
кристаллов PbTe 11171: 1, 2— почти собственные образцы; 3—9 — р-РЬТе; концентрация носителей растет от 1 к 9
523 • \ \» - • \» • \ • \ йГ* ю- 5
I •\Л2К U.10-*
_ \ т.
в1— \ к щ-7
л V \ D 10
-Л+X. • V\ 77К +V \ vT 10-'
—. *• Ч \ • • \ Ч • \ •Ч \ ю~1г ю-13 10
\
\
\
I
\ \
\ 2 \ ч
\
\
Рис. 22.195, PbTe при
Зависимости подвижности электронов в 7=77 н 4,2 К от их концентрации [125]:
точки — данные разных авторов
103/Т, YC1
Рис. 22.197. Температурные зависимости проводимости кристаллического (1, поперек осн с) и аморфного (2) GeS [299]
24 г, к
2,472,48 2,49 2,50 2,51 Z,5Z 2,53 2,542.55 lg T
Рис. 22.198. Температурная зависимость подвижности дырок для пленки GeS толщиной 730 нм [300]
\ ч
\
ч
Ч X \ M
А а)
5 75 ? _
\
Г\ 0
\
з^-о-
ю
ZSO 330 380 ?30 480 280 330 380 430 480
Г,К г,к
Рис. 22.200. Температурные зависимости удельного сопротивления (о) вдоль осей a i#) и b (О) и коэффициента Холла (б) в плоскосм (001) для GeSe [302]
IOs
IO3/т, к'
I
-1 /с •
4 г 4-t О п
I *
5)
f
J J
j Г о о° §
-I /і
0OO
/"1 Я)
f.
В)
W3/T, к
Рис. 22.199. Температурные зависимости удельного сопротивления (а), коэффициента Холла (б) и подвижности дырок (в) поперек осн с для различных кристаллов р-GeSe стехиометричсского состава [301]
