Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бабичев А.Н. -> "Физические величины" -> 290

Физические величины - Бабичев А.Н.

Бабичев А.Н., Бабушкина Н.А. Физические величины — M.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizicheskievelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 284 285 286 287 288 289 < 290 > 291 292 293 294 295 296 .. 561 >> Следующая


Таблица 22.25. Полупроводниковые соединения Av Bv

Кристаллическая структура

дЕ IdT, IO-4 эВ/К

пп/то

As2S3 As2Se-

Sb2S3

Sb2Se3 Sb2Te3 Bi2S3 Bi2Se

Bi2Te3 BiSe

Моноклин. , Cfft То же

Орторомб., Dgft

То же Триг., Dh Орторомб., D^1 Триг., Dld

То же Геке., DL

1,147 (а); 0,957 (Ъ);

0,424 (с) [1]

1,205 (а); 0,989 (6);

0,428 (с) 1288]

1,44 (а); 0,992 (Ь); 0,405 (с) [1] 1 ,12 (а); 1,128 (Ь); 0,386 (с) [1]

1,158 (а); 1,168 (Ъ); 0,398 (с) [1] 1,043 (а); а = 23°23' [294]

1,113 (а); 1,127 (Ь); 0,397 (с) [1] 0,984 (а); а =24°24' [132]

1,048 (а); а=24°9' [117]

0,418 (а); 2.28(c)

3,43 [123] 4,75 [216]

6,1 [123] 4,64 [123]

5,81 [123]

6,5 [198] 6,57 [114] 6,73 [123] 6,81 [294] 7,40 [114] 7,68 [294]

7,86 [117]

598 [123] 633 [216]

635 [116] 819 [116]

885 [116]

895 [118]

1036 [294] 1123 [116] 979 [116]

853 [116] 880 [123]

2.5 [123]

2.6 [294]

1.8 [114] 1,85 [294]

1.9 [107] 0,5 [288]

1.0 [123] 1,62 [12] 1,72 [114] 1,88 [294]

1.1 [294]

1.2 [123] 0,19 [48] 0,22 [294] 1,25 [16]

1.3 [116] 0,16 [294] 0,2 [288]

0,13 [117] 0,16 [45] 0,4 [123]

-5,6 [10] -7 [294]

—5,7 [114] —9 [294]

—5,5 [294] -7 [114] —1 [288]

—8 [288]

—2 [168]

—0,95 [117] —1,5 [294]

0,36 (mdn) [15]

2,2 [288] 0,37 (mdn) [15]

0,02 (Tns) 0,13 (т її) [294] 0,15 (mdTl) 0,27 [294] 0,32 (mdn){\23\

Продолжение табл. 22.25

As2S3

As2Se3

As2Te3 Sb2S3

Sb2Se3

Sb2Te3

Bi2S3

В J2Se3

Bi2Te3

BiSe

0,Ь(тар) [15]

1,4 [288]

0,3 [294] 0,34 (mdp) [15]

0,12 [294]

0,24 [123] 0,35 (т*г) [294]

- 1 [294] 20—80 [294]

170 [15] 15 [115]

75 [16]

200 [123]

600—2000 [114] (со T-7/') 1200 [13] Т-\Г) 20 [288]

-10 [288]

80 [15] 45 [115]

45 [16]

400 [44]

10 000 (4,2 К) [294]

40 [294]

600 (со T-2) [13]

5.7—8,8 7,5 [184]

8.8—10,5 6,0 [184]

7,2 (X с)

9,5 (||с) 13,7 (X с) 15,1 (||с) 32,5 (X с) 51 (||с) 13 (Il с) 9 (X с) 29 (X с)

50 (Il с) 85 (X с)

Ч 1294]

5,9—12 9,7 [184] 12,4—13,9 8,9 [184]

180 ( И с) 15 (X с) 120 ( И с)

168 с) 36,5 (Цс) 38 (X с) 120 ( Il с) 113 ( с) 100 [288] 360 [288]

34*

631 Z, О 3,5 5,0 5,5 S.0 5,5 11,0 IO3ZTtK'1

Рис. 22.222. Температурные зависимости дрейфовой подвижности электронов (поперек слоев) в различных кристаллах As2Se3 [261]:

отношение концентрации ловушек К эффект »МіОЙ плотности состояний в зоне проводимости: О — 10—5; ^—2-Ю—5; ф — 9-10-5; д-з-ю-«

т,к т,к

Рис. 22.225. Температурная зависимость удельного сопротивления (а) вдоль (рзэ) и поперек (рц) оси с и коэффициентов Холла (б) в геометрии /||c_LS (?^) и

/±с||Я (Rm) для Sb2Te3 [206] f

г,є г,8 3,0 3,z 3,t з,в з,8 W3ZrtK'1

Рис. 22.220. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок (поперек слоев) в двух кристаллах As2S3 [268]:

в кристалле 2 — ббльшая, чем в кристалле 1, концентрация ловушек

10~№

Рис. 22.221. Температурная зависимость проводимости (поперек слоев) для As2Se3

3*55789 10 W3ZT, УС1

Рис. 22.223. Температурные зависимости проводимости Sb2S3 вдоль осей а, Ь, с [258]

Зоо 350 ?00 ?30 Г, К

2,9- Z,f ZJ

IO3ZrtK-1

Рис. 22.224. Температурные зависимости проводимости (вдоль оси с) и ширины запрещенной зоны Sb2Se3 [248]

532 Рис. 22.226. Температурные зависимости удельного сопротивления (поперек осн с) кристаллов K-Bi2Se3 (а) и

P-Bi2Se3 (б) [203]:

концентрация носителей растет от і к 4

Рис. 22.227. Температурные зависимости коэффициента Холла в геометрии I\\cLB для кристаллов H-Bi2Se3 (а)

и P-Bi2Se3 (б) [203]:

кристаллы те же, что на рис. 22.226

533 1 З 5

IO3ITtYT1

Рис. 22.228. Температурные зависимости удельного сопротивления (поперек оси с) и коэффициента Холла в reoj метрии /||ci? для K-Bi2Se3 в области собственной •проводимости [203]

13 S 7 S 11 13

IO3ITyK'1

Рис. 22.230. Температурные зависимости проводимости (поперек оси с) для кристаллов Bi2Te3 п- и р-типа [203]:

числа у кривых — атомное содержание Те, %

Рис. 22.229. Температурные зависимости холловской подвижности электронов (а) и дырок (б) в кристаллах R-Bi2Se3 (а) и P-Bi2Se3 (б) [203]:

концентрация носителей, 10" см-3: О — 1,6 (а); 0,69 (б): ф — 1,2 (а); 5,4 (б); Д—0,87 (а); 6,7 (б); Д - 5,4 (а); 0,72 (б)

534 г, к

Рис. 22.231. Температурная зависимость холловской подвижности носителей поперек оси с в кристаллах K-Bi2Te3 (пунктирные линии) и P-Bi2Te3 (сплошные линии) [1281:

числа у кривых ¦— атомное содержание Те, %

BZ,5% Те

0,7 О,Б

5 0,5

0,3 0,2

у ЯЧІ
/ 1

200 300

т, к

Рис. 22.232. Температурные зависимости ,-.г »ффициента Холла для Bi2Te3 в геометрии /J_c||? (О* и /±cJ_? (О) [174]

22.3.6. Соединения типа AviBiv-AviBv^

Известно полупроводниковое соединение типа Л yiSyi P-CrSi2C очень малой подвижностью дырок (?0=1,3 эВ [16])

Таблица 22.26. Полупроводниковые соединения AviBvl

Кристаллическая структура
Соединение Система, группа Eg, эВ v-ni v-p> cmS'(b'c>
CrO3 Куб., С\1 0,5743 (о); 0,8557 ф); 0,4789 (с) [242] 1,4 [242] -
Предыдущая << 1 .. 284 285 286 287 288 289 < 290 > 291 292 293 294 295 296 .. 561 >> Следующая
Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed