Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
Таблица 22.25. Полупроводниковые соединения Av Bv
Кристаллическая структура
дЕ IdT, IO-4 эВ/К
пп/то
As2S3 As2Se-
Sb2S3
Sb2Se3 Sb2Te3 Bi2S3 Bi2Se
Bi2Te3 BiSe
Моноклин. , Cfft То же
Орторомб., Dgft
То же Триг., Dh Орторомб., D^1 Триг., Dld
То же Геке., DL
1,147 (а); 0,957 (Ъ);
0,424 (с) [1]
1,205 (а); 0,989 (6);
0,428 (с) 1288]
1,44 (а); 0,992 (Ь); 0,405 (с) [1] 1 ,12 (а); 1,128 (Ь); 0,386 (с) [1]
1,158 (а); 1,168 (Ъ); 0,398 (с) [1] 1,043 (а); а = 23°23' [294]
1,113 (а); 1,127 (Ь); 0,397 (с) [1] 0,984 (а); а =24°24' [132]
1,048 (а); а=24°9' [117]
0,418 (а); 2.28(c)
3,43 [123] 4,75 [216]
6,1 [123] 4,64 [123]
5,81 [123]
6,5 [198] 6,57 [114] 6,73 [123] 6,81 [294] 7,40 [114] 7,68 [294]
7,86 [117]
598 [123] 633 [216]
635 [116] 819 [116]
885 [116]
895 [118]
1036 [294] 1123 [116] 979 [116]
853 [116] 880 [123]
2.5 [123]
2.6 [294]
1.8 [114] 1,85 [294]
1.9 [107] 0,5 [288]
1.0 [123] 1,62 [12] 1,72 [114] 1,88 [294]
1.1 [294]
1.2 [123] 0,19 [48] 0,22 [294] 1,25 [16]
1.3 [116] 0,16 [294] 0,2 [288]
0,13 [117] 0,16 [45] 0,4 [123]
-5,6 [10] -7 [294]
—5,7 [114] —9 [294]
—5,5 [294] -7 [114] —1 [288]
—8 [288]
—2 [168]
—0,95 [117] —1,5 [294]
0,36 (mdn) [15]
2,2 [288] 0,37 (mdn) [15]
0,02 (Tns) 0,13 (т її) [294] 0,15 (mdTl) 0,27 [294] 0,32 (mdn){\23\
Продолжение табл. 22.25
As2S3
As2Se3
As2Te3 Sb2S3
Sb2Se3
Sb2Te3
Bi2S3
В J2Se3
Bi2Te3
BiSe
0,Ь(тар) [15]
1,4 [288]
0,3 [294] 0,34 (mdp) [15]
0,12 [294]
0,24 [123] 0,35 (т*г) [294]
- 1 [294] 20—80 [294]
170 [15] 15 [115]
75 [16]
200 [123]
600—2000 [114] (со T-7/') 1200 [13] Т-\Г) 20 [288]
-10 [288]
80 [15] 45 [115]
45 [16]
400 [44]
10 000 (4,2 К) [294]
40 [294]
600 (со T-2) [13]
5.7—8,8 7,5 [184]
8.8—10,5 6,0 [184]
7,2 (X с)
9,5 (||с) 13,7 (X с) 15,1 (||с) 32,5 (X с) 51 (||с) 13 (Il с) 9 (X с) 29 (X с)
50 (Il с) 85 (X с)
Ч 1294]
5,9—12 9,7 [184] 12,4—13,9 8,9 [184]
180 ( И с) 15 (X с) 120 ( И с)
168 с) 36,5 (Цс) 38 (X с) 120 ( Il с) 113 ( с) 100 [288] 360 [288]
34*
631 Z, О 3,5 5,0 5,5 S.0 5,5 11,0 IO3ZTtK'1
Рис. 22.222. Температурные зависимости дрейфовой подвижности электронов (поперек слоев) в различных кристаллах As2Se3 [261]:
отношение концентрации ловушек К эффект »МіОЙ плотности состояний в зоне проводимости: О — 10—5; ^—2-Ю—5; ф — 9-10-5; д-з-ю-«
т,к т,к
Рис. 22.225. Температурная зависимость удельного сопротивления (а) вдоль (рзэ) и поперек (рц) оси с и коэффициентов Холла (б) в геометрии /||c_LS (?^) и
/±с||Я (Rm) для Sb2Te3 [206] f
г,є г,8 3,0 3,z 3,t з,в з,8 W3ZrtK'1
Рис. 22.220. Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок (поперек слоев) в двух кристаллах As2S3 [268]:
в кристалле 2 — ббльшая, чем в кристалле 1, концентрация ловушек
10~№
Рис. 22.221. Температурная зависимость проводимости (поперек слоев) для As2Se3
3*55789 10 W3ZT, УС1
Рис. 22.223. Температурные зависимости проводимости Sb2S3 вдоль осей а, Ь, с [258]
Зоо 350 ?00 ?30 Г, К
2,9- Z,f ZJ
IO3ZrtK-1
Рис. 22.224. Температурные зависимости проводимости (вдоль оси с) и ширины запрещенной зоны Sb2Se3 [248]
532 Рис. 22.226. Температурные зависимости удельного сопротивления (поперек осн с) кристаллов K-Bi2Se3 (а) и
P-Bi2Se3 (б) [203]:
концентрация носителей растет от і к 4
Рис. 22.227. Температурные зависимости коэффициента Холла в геометрии I\\cLB для кристаллов H-Bi2Se3 (а)
и P-Bi2Se3 (б) [203]:
кристаллы те же, что на рис. 22.226
533 1 З 5
IO3ITtYT1
Рис. 22.228. Температурные зависимости удельного сопротивления (поперек оси с) и коэффициента Холла в reoj метрии /||ci? для K-Bi2Se3 в области собственной •проводимости [203]
13 S 7 S 11 13
IO3ITyK'1
Рис. 22.230. Температурные зависимости проводимости (поперек оси с) для кристаллов Bi2Te3 п- и р-типа [203]:
числа у кривых — атомное содержание Те, %
Рис. 22.229. Температурные зависимости холловской подвижности электронов (а) и дырок (б) в кристаллах R-Bi2Se3 (а) и P-Bi2Se3 (б) [203]:
концентрация носителей, 10" см-3: О — 1,6 (а); 0,69 (б): ф — 1,2 (а); 5,4 (б); Д—0,87 (а); 6,7 (б); Д - 5,4 (а); 0,72 (б)
534 г, к
Рис. 22.231. Температурная зависимость холловской подвижности носителей поперек оси с в кристаллах K-Bi2Te3 (пунктирные линии) и P-Bi2Te3 (сплошные линии) [1281:
числа у кривых ¦— атомное содержание Те, %
BZ,5% Те
0,7 О,Б
5 0,5
0,3 0,2
у ЯЧІ
/ 1
200 300
т, к
Рис. 22.232. Температурные зависимости ,-.г »ффициента Холла для Bi2Te3 в геометрии /J_c||? (О* и /±cJ_? (О) [174]
22.3.6. Соединения типа AviBiv-AviBv^
Известно полупроводниковое соединение типа Л yiSyi P-CrSi2C очень малой подвижностью дырок (?0=1,3 эВ [16])
Таблица 22.26. Полупроводниковые соединения AviBvl
Кристаллическая структура
Соединение Система, группа Eg, эВ v-ni v-p> cmS'(b'c>
CrO3 Куб., С\1 0,5743 (о); 0,8557 ф); 0,4789 (с) [242] 1,4 [242] -
