Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бабичев А.Н. -> "Физические величины" -> 286

Физические величины - Бабичев А.Н.

Бабичев А.Н., Бабушкина Н.А. Физические величины — M.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizicheskievelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 280 281 282 283 284 285 < 286 > 287 288 289 290 291 292 .. 561 >> Следующая


Рис. 22.154. Зависимости подвижности электронов в InSb при 7"= 300 К (а) и T=77 К (б) от концентрации электронов [267]:

сплошные линии — расчетные зависимости дрейфовой подвижности при значениях {ND++NA-)/(n+p)~ 1 (/); 2 (2); 5 (3); точки — данные из разных работ

511

Рис. 22.157. Зонная структура GaS1 GaSe, InS, TlS (а), GaTe (б), InSe (е) [294]:

Соединение GaS GaSe GaTe InS JnSe TlS
г, SB - 0,025 - j 0,55 0,076 0,2




д \ \ \ \\
\
\—
Л к
\ ч


\

X

Г, К

Рис. 22.159. Температурная зависимость холловской подвижности носителей в кристаллах GaS (ток —вдоль слоев, магнитное поле—поперек слоев).

Метод получения и тип кристалла:

йодный транспорт, tt-тигі; ф — осаждение нз газовой фазы, «-тип; Л, О — осаждение из газовой фазы, р-тип [272, 2731

1,в г г,? г,8 3,z

Рис. 22.158. Температурные зависимости проводимости кристаллов и-GaS и n-GaSe в плоскости слоев [271]

/ /
/ ? /
/ /
Y
п
і

103/Т,К"

Рис. 22.160. Температурные зависимости удельного сопротивления кристалла GaS вдоль (•) и поперек (О) слоев [274]

512 ioa

10s

+
J> • rV
шл. Sx* _
иг OX
\т I - +О s +?*


sjt

12 3 4 5

103}Т, K1

Рис. 22.161. Температурные зависимости коэффициента Холла для различных кристаллов p-GaSe (ток — вдоль

слоев, магнитное поле — поперек слоев) [275]: X, +, О, Д. D — нелегированные кристаллы GaSe; легирующая добавка: І ф — 10% Ge; J^ 5% Sn; — 10-3% Zn

о V 4
о « ?
ой о Qi
о « D А
у"
їґі А I • • •

1 і/
!

Г, К

Рис. 22.163. Температурные зависимости подвижности носителей в GaSe [276]:

HpJ-> Uli., Ij-P !I , (? II — ХОЛЛ0ВСКНЄ подвижности дырок н электронов вдоль и поперек слоев

о Z ? В 8 10 W3JT, VT1

Рис. 22.162. Температурные зависимости коэффициента Холла для различных кристаллов p-GaSe (ток — вдоль слоев, магнитное поле — поперек слоев) [275]: О. А. V— »елегированные кристаллы GaSe; легируюлі^ч добавка: ф. - 10% Zn; у-0,5% Zn; Jk-0,1% Zn; | X — Ю-2% Zn; +-3-10-3% Zn


fr
/ //J f
; W /
/ ja /}г/> ШP-/ W
W W
/? Q ж W г


H3П, K-'

Рис. 22.164 Температурные зависимости удельного сопротивления различных кристаллов GaTe |277]:

зачерненные символы — поперек слоев, остальные символы — вдоль слоев; кристаллы 0. . — травление; If + — слабое травление, ^ , О — холодная ^.Сработка; X — легирование Cu

• 33-2159

513 Рис. 22.167. Температурная зависимость холловской подвижности дырок для кристаллов /J-GaTe [278]:

jx_i_— вдоль слоев; — поперек слоев; концентрация носителей растет

?ilc V LAA А А LQOOOO AAA borf)o, А О о» о А 8 Д
ж пит» гхл д д Л А



о ° о
DAA-4J •Л" о

Fl *г>
'А А


!O3

\ I
с Si
\ Ic
>

Iic V,
TJ

1 1,5 2,0 2,5 J,0 3,5 О W3/Т, К'1

Рис. 22.170. Температурная зависимость проводимости InTe вдоль (|| с, О) и поперек (JL с, #) оси с [282]

0 2 ? В 8 10 12 П 103П. K''

Рис. 22.168 Температурная зависимость удельного сопротивления кристаллов InS1 выращенных из расплава [280]:

концентрация электронов (Г=300 К), 10" см—3: ^ — 9; ?\ — 6,5; О—5,5; Л -4,5

\
д\ л , і
V
V д \ X
л. \ X X
\ ч
\ Чд



J OOOOocr сгсго-о-

и
Xl





Є 8 ID3ZTjK.-1

10 12 /<<

Рис. 22.171. Температурная зависимость удельного сопротивления различных кристаллов TlS (ток — вдоль оси) [283]

1,2 IjB 2,0 2,* 2,8 3,2 \0 IO3L(Т, К"'

Рис. 22.169 Температурная зависимость проводимости различных кристаллов InSe вдоль (A) и поперек (#) оси с [281]

Л
8 к
\ Xn
Ч Oo Qtc ,



IB3ZT, К'f

Рис. 22.172. Температурная зависимость удельного сопротивления ElSe (ток —вдоль оси) [283]

515 Ъ°о°о°о 'Ooooo0 300°«>0 о
о о о 5
?
*
I
I
*
? I


Wf

<-Р З <2

о о-ё ч
Y ч
-O-O
P Л ,л-
Ji А и* I P 8и I 172 К
I I

1SO T.K

200 ZSO JOO

Рис. 22.174. Температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла для поликристаллического образца TlTe [284]. При 7=172 К происходит фазовый структурный переход от тетрагональной (при Г>172 К) структуры к орторомбической

E ¦ I I
[m]
Г m *

Z ? Є 8 1С 12 1?

то3/т, К~7

Рис. 22.173. Температурные зависимости коэффициента Холла для различных кристаллов TlSe в поле S= 13 кГс (ток — вдоль оси с, магнитное поле — поперек оси с в направлении [110]) [283]



\




\
>n
л O0 Ь
R 4 A
I \
\
\
K


К

10 і

10*

Рнс. 22.176. Температурная зависимость холловской О) и дрейфовой (A) подвижности фотовозбужденных носителей в TlCl [285]
Предыдущая << 1 .. 280 281 282 283 284 285 < 286 > 287 288 289 290 291 292 .. 561 >> Следующая
Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed