Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
77. Zdanowich W., Wojkowski A.//Phys. Stat. Sol. 1965. Vol. 8. P. 569—574.
78. Douglas R.//J. Phys. Chem. Sol. 1965. Vol. 21. P. 329—334.
79. Richard D.//Ibid. 1965. Vol. 26. P. 439—443.
80. Busch G., Vogt 0.//Helv. Phys. Acta. Ш60. Vol. 33. P. 437—447.
81. Wooten J., Condas Y. A.//Phys. Rev. 1963. Vol. 131. P. 657—662.
82. Tamura H., Masumi T.//S0I. Stat. Commun. 1973. Vol. 12. P. 1183—1185.
83. Hall R. F., Wright H. c:.//Brit. J. Appl. Phys. 1967. Vol. 18. P. 33—38.
84. Цпдильковскнй И. M. Электроны и дырки в полупроводниках. M.: Наука. 1972.
85. Орлова Н. И., Шишкин П. Т.//Изв. АН СССР. Сер. физ.-мат. 1964. Л» 4. С. 53—59.
86. Winker H.//Helv. Phys. Acta. 1955. Vol. 28. P. 633—639.
87. Meli H.. Stuke J.//Pbys. Stat. Sol. 1971. Vol. 45. P. 163—167.
88. Сорокин Г. П.//ІІЗВ. вузов. Сер. физ. 1965. № 4_ С. 140—144.
89. Wallis Y.'/Ann. Phys. 1956. Vol. 17. P. 401—403.
90. Pollack Y. P., Trivich D.//J. Appl. Pnys. 1975. Vol. 46. P. 163—165.
91. Okamoto K-, Kawai S.//Jap. J. Appl. Phys. 1973. Vol. 12. P. 1130—1138.
92. Воскаиян А. А., Инглизян П. H., Лалыкин С. П.// Физ. и техн. полупроводников. 1978. Т. 12. С. 2096—2099.
93. Горбачев В. В., Путилин И. M.//Phys. Stat. Sol. (а). 1973. Vol. 16. P. 553—559.
94. Сорокин Г. П., Пеншев Ю. M., Оуш П. Т.//Физика твердого тела. 1965. Т. 7. С. 2244—2245.
95. Ксендзов Я. M., Драбкин И. А. Там же. 1965. Т. 7. С. 1884—1887.
96. Fortin E., Weichman F. L.//Phys. Stat. Sol. 1964. Vol. 5. P. 515—519.
97. Junod P. e. a.//Phil. Mag. 1977. Vol. 36. P. 941—
952.
98. Алиев С. А., Суюнов У. X., Араслы Д. Г., Алиев М. И.//Физ. и техн. полупроводников 1973. Т. 7. С. 1086—1091.
99. Aulich E., Brebner J. L., Mooser E.//Phys. Stat. Sol. 1969. Vol. 31. P. 129—137.
100. Угай Я. А., Завальский Ю. П., Угай В. А.//Докл. АН СССР. 1965. Т. 163. С. 663—666.
101. Junod P.//Hdv. Phys. Acta. 1959. Vol. 32. P. 567, 601—604.
102. Davlen V. R. M.//Phys. Rev. 1966. Vol. 143. P. 666—669.
103. Komiga H.//Ibid. 1964. Vol. A133. P. 679—687.
104. Minder R., Ottaviani G., Canali C.//J. Phys. Chem. Sol. 1976. Vol. 37. P. 417—424.
105. Leotin J., Barbaste R., Askenazy S. e. a.//Sol. Stat. Commun 1974. Vol. 15. P. 693—699.
106. Wassher J. D., Seuter R. M. J., Haas C.//Intern, Conf. Semicond. Phys. Paris. 1964. P. 1269—1275.
107. Коломиец Б. Т., Лебедев E. А., Мазек Ф. Т. и др. —Ibid P. 1283—1286.
108. Wood C., Harrap C.. Kane W. M.//Phys. Rev. 1961. Vol. 121. P. 978—983.
109. Masumi T., Ahrenkiel R. K., Brown F. C.//Phys. Stat. Sol. 1965. Vol. 11. P. 163—167.
110. Ponpon L. P.//IEEE Trans. Nucl. Sei. 1975. Vol. S—22. P. 182—186.
111. Beyer W., Meli H., Stuke J.//Phys. Stat. Sol. (b). 1971. Vol. 45. P. 153—162.
112. Krevs V. E., Lutsiv R. V., Pashovskii M. B., Rat-rov P. P./'/'Ibid. 1974. Vol. 65. P. K43—K45.
113. Hanson R. C.//J. Phys. Chem. 1962. Vol. 66. P. 2376—2383.
114. Абрикосов H. X. и др. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. M.: Наука. 1967.
539 115. Reimherr A.//General Survey of the Semiconductor Field. National Bureau of Standarts. Technical Note. 1962. P. 153—157.
116. Полупроводники/под ред. H. Б. Хенней: Пер. с англ. и нем. M.: Изд-во иностр. лит. 1962.
117. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах/Под ред. К. Хоггарта: Пер. с англ. M.: Мир. 1968.
118. Theniiophysical Properties of High Temperature Solid Materials. Purdue Univer. 1967.
119. Burnham D. C., Brown F. C., Knox R. S.//Phys. Rev. 1960. Vol. 119. P. 1560—1568.
120. AhrenkieI R. K.//Phys. Rev. 1969. Vol. 18. P. 180—
188.
121. Горюнова H. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. M.: Советское радио. 1968
122. Wagrur R. J., Ewald К. A.//J. Phys. Chem. Sol. 1971. Vol. 32. P. 697—673.
123. Родо M. Полупроводниковые материалы: Пер. с франц. M.: Металлургия. 1971.
124. Добролеж С. А. Карбид кремния. Киев: Гос. изд-во техн. лит. УССР. 1963.
125. Равич Ю. И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца. — M.: Наука. 1968.
126 Коломиец Н. В., Лев Е. Я., Сысоева Л. М.//Фи-зика твердого тела. 1963. Т. 5. С. 2871 -2878.
127. AIbers W. е. a. /J. Appl. Phys. Suppl. 1961. Vol. 32. Р. 2220—2231.
128. Champness С. H., Kipling A. L.//Can. J. Phys. 1966. V. 44. P. 769—773.
129. Соболев В. В.//Физика твердого тела. 1970. Т. 12. С. 2687—2693.
130. Cuhen М. L., Au-Yang М. T.//Phys. Rev. 1969. Vol. 178. P. 1358—1362.
131. Winkler H.//Helv Phys. Acta. 1955. Vol. 28. P. 663—669
132. Agrain P., BaIkansky M. Table de constante des Semiconducteurs. Paris: Pergamon Press, 1961.
133. Turner W. J., Fisher A. S., Reese W. E.//J. Appl. Phvs. 1961. Suppl. Vol. 32. P. 2241—2249.
" 134. Heller M. W. Damelson Y. C.//J. Phys. Chem. Sol. 1962. Vol. 23. P. 601 608
135. Redin R. D., Morris R. G., DanieIson G. C.//Phys. Rev. 1958. Vol. 109. P. 1916—1920.
136 Li P. W., Lee S. N.. Danielson G. C.//Ibid. 1972. Vol. B6. P. 442 -453.
