Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С.М. -> "Физика полупроводниковых приборов" -> 223

Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов — М.: Энергия, 1973. — 656 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov1973.djvu
Предыдущая << 1 .. 217 218 219 220 221 222 < 223 > 224 225 226 227 .. 228 >> Следующая

Germanium and Silicon at 77 °K and 300 CK", Phys. Rev., 99, 1151 (1955).
39. Melchior H., Lynch W. T. "Signal and Noise Response of High Speed
Germanium Avalanche Photodiodes", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13,
829 (1966).
39a. Emmons R. B., Lucovsky G. "The Frequency Response of Avalanching
Photodiodes", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13
(1966).
40. Rietz R. P. "High Speed Semiconductor Photodiodes", Rev. Sci. Int.,
33, 994 (1962).
41. Cartner W. W., "Depletion Layer Photoeffects in Semiconductors",
Phys. Rev, 116, 84 (1969).
42. Sawyer D. E., Rediker R. H. "Narrow Base Germanium Photodiodes",
Proc. IRE, 46, 1122 (1958).
43. Jordan A. G., Milnes A. G. "Photoeffect on Diffused p-n Junctions
with Internal Field Gradients", IiRE Trans. Electron Devices, ED-7, 242
(1960).
44. Linch W. T. Unpublished results.
45. Ahlstrom E., Gartner W. W. "Silicon Surface-Barrier Photocells", J.
Appl. Phys., 33, 2602 (1962).
46. Schneider М. V. "Schottky Barrier Photodiodes with Antirefiction
Coating", Bell Syst. Tech. J., 45, 1611 (1966).
47. Для рассмотрения явлений переноса горячих электронов смотри С. R.
Crowell and S. М. Sze, "Hot Electron Transport and Electron Tunneling in
Thin Film Structures", a chapter of Physics of Thin Films, vol. 4, p 325-
371, ed. R E. Thun. New York, Academic Press, 1967.
48. Johnson К. M. "High-Speed Photodiode Signal Enhancement at Avalanche
Breakdown Voltage", IEEE Trans. Electron Devices, ED-12, 55 (1965).
49. Campbell R. B., Chang H. C. "Detection of Ultraviolet Radiation Using
Silicon Carbide р-ti Junctions", Solid State Electron, 10, 949 (1967).
50. Melchior H., Lepselter M. P., Sze S. M. "Metal-Semiconductor
Avalanche Photodiode", paper presented at IEEE Solid-State Device
Research Conf, Boulder, Colorado (June 17-T9, 1968).
51. Rediker R. H., Qust Т. М., Lax B. "High Speed Heterojunction
Photodiodes and Beam-of-Light Transistors", Proc. IEEE, 51, 218
(1963).
52. Sharpless W. M. "Cartridge-Type Point Contract Photodiode", Proc.
IEEE, 52, 207 (1964).
53. Klbler L. U. "High-Speed Point Contract Photodiode", Proc. IEEE, 50,
1834 (1962).
54. Anderson L. K., McMullin P. G., D'Asaro L. A., Goetzberger A.
"Microwave Photodiodes Exhibiting Microplasma - Free Carrier
Multiplication", Appl. Phys. Letters, 6, 62 (1965).
55. Sze S. М., Gibbons G. "Effect of Junction Curvature on Breakdown
Voltage in Semiconductors", Solid State Electron., 9, 831 (1966).
56. Baertsch R. D. "Noise and Ionization Rate Measurements in Silicon
Photodiodes", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 987 (1966).
57. McIntyre R. J. "Noise Theory for Read Type Avalanche Diode", IEEE
Trans. Electron Devices, ED-13, 164 (1966).
58. Lepselter M. P., Sze S. M. "Silicon Schottky Barrier Diode with Near-
Ideal I-V Characteristics", Bell Syst. Tech. J., 47, 195
(1968).
Дополнительная литература
1. Рыбкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.,
Физматгиз, 1963.
2. Свечников С. В. Элементы оптоэлектроники. М., "Советское радио", 1971.
3. Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых
фотоэлектрических приборов. Пер. с польск. Под ред. Б. Т. Коломий-ца. М.,
"Советское радио", 1970.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ГЛ. 13
1. Gordon J. P., Zeiger Н. J., Townes С. Н. "Molecular Microwave
Oscillator and New Hyperfine Structure in the Microwave Spectrum of
NII3", Phys. Rev., 95, 282 (1954).
2. Schawlow A. L., Townes С. H. "Infrared and Optical Masers", Phus.
Rev., 112, 1940 (1958).
3. Maiman Т. H. "Stimulated Optical Radiation in Ruby Masers", Nature,
187, 493 (1960).
4. Sorokin P. P., Stevenson M. J. "Stimulated Infrared Emission from
Trivalent Uranium", Phys. Rev. Letters, 5, 577 (1960).
5. Javan A., Bennet W. B., Jr., Harriott D. R. "Population Inversion and
Continuous Optical Maser Oscillation in a Gas Discharge, Containing a He-
Ne Mixture", Phys. Rev. Letters, 6, 106 (1961).
6. Nishizawa J. I., Watanabe Y. Japanese Patent, April 1957. Also
Electronics, p. 117 (December 11, 1967).
7. Basov N. G., Erokhin O. N., Popov Y. M. Soviet Physics Uspek-hi, 3, 7
(1961).
8. Aigrain P. Unpublished lecture at the "International Conference on
Solid State Physics in Electronics and Telecommunications", Bruxells
(1958). The same idea was suggested independently by N. G. Basov, O. N.
Krokhin, and Y. M. Popov, Second International Conference on Quantum
Electronics.
9. Dumke W. P. "Interband Transitions and Maser Action", Phys. Rev., 127,
1559 (1962).
10. Bernard M. G. A., Duraffourg G. "Laser Conditions in Semiconductors",
Physica Status Solidi, 1, 699 (1961),
11. Hall R. N., Fenner G. E., Kingsley J. D., Soltys T. J., Carlson R. 0.
"Coherent Light Emission from GaAs Junctions", Phys. Rev. Letters, 9, 366
(1962).
12. Nathan М. I., Dumke W. P., Burns G., Dill F. H., JR., Lasher G. J.
"Stimulated Emission of Radiation from GaAs p-n Junction", Appl. Phys.
Letters, 1, 62 (1962).
13. Quist Т. М., Rediker R. H., Keyes R. J., Krang W. E., Lax B.,
Предыдущая << 1 .. 217 218 219 220 221 222 < 223 > 224 225 226 227 .. 228 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed