Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.
Физика полупроводниковых приборов
Автор: Зи С.М.Издательство: М.: Энергия
Год издания: 1973
Страницы: 656
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228
Скачать:
ФИЗИКА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
ПЕРЕВОД С АНГЛИЙСКОГО ПОД РЕДАКЦИЕЙ А. Ф. ТРУТКО
э
"ЭНЕРГИЯ"
МОСКВА 1973
6Ф0.32 3 59
УДК 621.382.2/?
Зи С. М.
3 59 Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А. Ф.
Трутко: М., "Энергия", 1973. 656 с. с ил.
В книге изложены физические принципы и описаны рабочие характеристики
полупроводниковых приборов. Приведено большое количество справочных
данных (номограммы, графики и таблицы) для расчета различных приборов.
Подробно рассмотрены новые приборы, такие, как диоды Шоттки, ЛПД.
полупроводниковые лазеры, диоды Ганна.
Книга рассчитана на читателей, имеющих сведения в области физики твердого
тела, полупроводников и теории полупроводниковых приборов, а также может
служить в качестве учебного пособия для студентов вузов.
^ 3312-278
051(01)-73 223-73 6Ф0.32
(6) Перевод на русский язык, издательство "Энергия", 1973.
ПРЕДИСЛОВИЕ К РУССКОМУ ИЗДАНИЮ
Прошло уже более четверти века с момента появле* ния первых
полупроводниковых приборов, а темпы разработки новых типов
полупроводниковых приборов и новых технологических методов их создания не
ослабевают. В настоящее время разнообразие номенклатуры и областей
применения полупроводниковых приборов уже не уступает разнообразию
номенклатуры и областей применения электровакуумных приборов.
Настоящие революционные преобразования претерпела н радиотехника, которая
сейчас основывается на применении многочисленных полупроводниковых
приборов, позволивших коренным образом повысить надежность,
экономичность, уменьшить габариты, вес и улучшить качественные показатели
радиотехнических устройств.
Быстрое развитие полупроводниковой техники приводит к тому, что
существующая литература в этой области столь же быстро стареет,' не
охватывает все важнейшие типы приборов. Помимо того, теория работы и
конструктивные особенности приборов в значительной мере изменяются. Новые
сведения о приборах рассеяны по многочисленным публикациям, и проследить
за ними становится трудно. Поэтому необходимость в книге, в которой были
бы на современном уровне изложены сведения по наиболее важным видам
полупроводниковых приборов, не подлежит сомнению. Предложенный вниманию
читателя перевод в значительной мере решает эту задачу. Автор книги Зи -
ученый, известный по двоим многочисленным работам в области
полупроводниковых приборов. При написании книги им были использованы опыт
ведущей организации в этой области - фирмы "Белл Телефон" - и советы
многих выдающихся ученых, работающих в лабораториях фирмы. Поэтому в
книге не только собран богатый материал, основанный на литературных
данных, но и имеется много оригинального и нового.
В книге изложены физические основы работы и рассмотрены свойства наиболее
важных полупроводниковых приборов, включая микроволновые приборы и, в
частно-
стй, СВЧ-трайзисторы, лавинио-йролетныс диоды, диоды Ганна,
оптоэлектроиные устройства, полупроводниковые лазеры, диоды Шоттки,
полевые приборы.
Книга может быть использована и как учебное пособие для студентов,
специализирующихся в области полупроводников. Обилие конкретных данных о
свойствах материалов н приборов позволяет использовать книгу как
справочник.
Особенностью книги являются обширные перечни важнейших работ, приводимые
в каждой главе. Эти перечни дополнены работами, опубликованными на
русском языке.
Некоторые неточности в изложении отмечены в примечаниях редактора
перевода.
Особенности структуры книги предопределили необходимость сохранения при
переводе индексации глав и разделов, принятых автором, а также системы
обозначений, иногда не совпадающей с общепринятой.
Перевод выполнен:
глава 1 - А. М. Шутовым;
главы 2 и 9 - канд. физ.-мат. наук Ю. А. Концевым;
глава 3 - канд. техн. наук Е. Н. Атаковой;
глава 4 - канд. техн. наук П. Б. Константиновым;
глава 5 - канд. физ.-мат. наук В. М. Вальд-Пер-
ловым;
глава 6 - канд. техн. наук В. Я. Ваксеибургом;
глава 7 - канд. техн. наук В. Г. Маранцем;
глава 8 - канд. физ.-мат. наук Н. М. Ройзиным;
глава 10 - канд. техн. наук О. В. Соповым;
глава 11 - канд. техн. наук Ю. С. Тиходеевым;
главы 12 и 13 - Е. А. Георгиевской;
глава 14 - канд. техн. наук А. М. Зубковым.
предисловие автора
В книге рассматриваются физические принципы действия и рабочие
характеристики полупроводниковых приборов. Книга может быть использована
в качестве учебного пособия для студентов электротехнических факультетов
и факультетов прикладной физики, а также как руководство для
специалистов, работающих в области исследования и разработки
твердотельных приборов. Предполагается, что читатель уже обладает
начальными сведениями по физике твердого тела и теории транзистора.
Полупроводниковый прибор определен в этой книге как устройство,
изготовленное частично или целиком из полупроводникового материала,
которое может выполнять необходимые функции в электронной аппаратуре.
После изобретения' транзистора в 1948 г. появилось множество различных
