Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.
Скачать (прямая ссылка):
6. Фононный спектр, оптические, тепловые свойства полупроводников и их
поведение в сильных электрических
полях...........................................56
7. Основные уравнения, необходимые при расчете полупроводниковых
приборов.................................69
Глава третья. Плоскостные диоды.......................76
1. Введение............................................76
2 Основы технологии.....................................76
3. Обедненный слой н его емкость........................82
4. Вольт-амперные характеристики........................91
5. Пробой р-п перехода.................................104
6. Импульсные свойства и шумы..........................119
7. Функциональные возможности..........................123
8. Гетеропереходы 130
Глава четвертая. Туннельные и обращенные диоды 135
1. Введение............................................135
2. Эффекты, обусловленные сильным легированием . 136
3. Механизм туннелирования . 140
4. Избыточный ток......................................149
5. Влияние различных факторов на вольт-ампериые характеристики туннельных
переходов.........................153
6. Эквивалентная схема............................................164
7. Обращенный диод................................................167
Глава пятая. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД) . 169
1. Введение................................... . 169
2 Статические характеристики .................................... 171
3. Основные динамические характеристики . . 182
4. Обобщенный малосигнальный анализ .... 188
5. Анализ работы на большом сигнале . . . . 199
6. Шумы....................¦......................................205
7. Эксперименты...................................................207
Глава шестая. Плоскостные транзисторы .... 219
1. Введение..................................................... 219
2. Статические характеристики ... . 220
3. СВЧ-транзисторы................................................232
4. Мощные транзисторы.............................................246
5. Переключающие транзисторы......................................251
6. Транзисторы с одним переходом..................................257
Глава седьмая. Четырехслойные р-п-р-п приборы и полевые приборы с
затвором в виде р-п перехода . . 261
1. Введение.......................................................261
2. Диодный и триодный тиристоры...................................263
3. Полевые транзисторы с затвором в виде р-п перехода и ограничители
тока..................................280
4. Статические характеристики.....................................291
5. Динамические характеристики 294
ЧАСТЬ III. ПРИБОРЫ, ОСНОВАННЫЕ НА КОНТАКТЕ МЕТАЛЛ -ПОЛУПРОВОДНИК И
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ПРИБОРЫ
Глава восьмая. Приборы на основе структуры металл -
полупроводник ......................................... 298
1. Введение . 298
2. Эффект Шоттки........................................299
3. Зонная диаграмма контакта металл - полупроводник - 303
4. Барьеры Шоттки и теория переноса носителей заряда 312
5. Измерение высоты барьера Шоттки..............326
6. Барьеры Шоттки в транзисторах и диодах . . . 338
7. Барьер Мотта, точечно-контактный выпрямитель и омический
контакт.......................................341
8. Диод с ограничением тока пространственным зарядом
..................................................35
Глава девятая. Диоды со структурой металл - диэлек-
1.
Введение...............................................................34
7
2. Идеальный диод со структурой металл - диэлектрик - полупроводник
(МДП)...............................348
3. Поверхностные состояния, поверхностный и пространственный
заряды.....................................362
4. Влияние различных факторов на характеристики МДП-
структур.............................................380
5. Поверхностные варакторы, лавинные, туннельные и электролюминесцентиые
МДП-диоды . . . . ¦ 389
6. Явление переноса в пленках изолятора . . 400
I лава десятая. Полевые транзисторы с изолированным
затвором (IGFET) и связанные с ними поверхностные
полевые
эффекты...........................................................406
1. Введение...........................................406
2. Область поверхностного объемного заряда в неравновесных условиях .
...................407
3. Проводимость канала................................412
4. Основные характеристики прибора....................414
5. Общие
характеристики...................................................420
6. Барьеры Шоттки в качестве областей истока и
стока.......................................... 437
7. Полевой транзистор с плавающим затвором - элемент
памяти.....................................440
8. Действие поверхностного поля на р-п переходы и приборы с контактом
металл - полупроводник 444
Глава одиннадцатая. Тонкопленочные приборы . . 449
1.
Введение...............................................................44
9
2. Тонкопленочные полевые транзисторы с изолированным затвором
