Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С.М. -> "Физика полупроводниковых приборов" -> 219

Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов — М.: Энергия, 1973. — 656 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov1973.djvu
Предыдущая << 1 .. 213 214 215 216 217 218 < 219 > 220 221 222 223 224 225 .. 228 >> Следующая

(1967).
61. O'Dwyer J. J. "Current - Voltage Characteristics of Dielectric
Films", J. Appl. Phys., 37, 599 (1966).
62. Sze S. M. "Current Transport and Maximum Dielectric Strength of
Silicon Nitride Films", J. Appl. Phys., 38, 2951 (1967).
63. Hu S. M. "Properties of Amorphous Silicon Nitride Films", J.
Electrochemical Soc., 113, 693 (1966).
64. O'Dwyer J. J. The Theory of Dielectric Breakdown of Solids, Clarendon
Press, Oxford, England, 1964.
65. Mead C. A. "Electron Transport Mechanisms in Thin Insulating Films",
Phys. Rev., 128, 2088 (1962).
65a. Френкель Я. И. К теории электрического пробоя в диэлектриках и
электронных полупроводниках.- ЖТФ, 1938, 5, 685.
also "On Pre - Breakdown Phenomena in Insulators and Electronic
Semiconductors", Phys. Rev., 54, 647 (1938).
66. Hatman Т. E., Blair J. C., Bauer R. "Electrical Conduction Through
Si02 Films", J. Appl. Phys., 37, 2468 (1966).
67. Klein N. "The Mechanism of Self - Healing Electrical Breakdown in MOS
Structures", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 788
(1966).
Дополнительная литература
1. Ржанов А. В. Электронные процессы на поверхностях полупроводников. М.,
"Наука", 1972.
2. Литовченко В. Г. и др. Исследование некоторых электрических и
рекомбинационных свойств системы Si - Si02.- "Украинский физический
журнал", 1971, т. 16, № 11, с. 1792-1805.
3. Золотарев В. М. и др. Исследование методом МНПВО диэлектрических
пленок с сильными полосами поглощения - "Оптика и спектроскопия", 1971, №
1, с. 77-81.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ГЛ. 10
1. Lilienfeld J. Е. U. S. Patent № 1,745, 175 (1930).
2. Heil О. British Patent № 439, 457 (1935).
3. Shockley W., Pearson G. L. "Modulation of Conductance of Thin Films of
Semiconductors by Surface Charges", Phys. Rev., 74, 232 (1948).
4. Kahng D., Atalla М. M. "Silicon - Silicon Dioxide Field Induced
Surface Devices", IRE Solid - State Device Research Conference, Carnegie
Inst, of Tech., Pittsburg, Penn, 1960.
5. Ihantola H. K. J. "Design Theory of a Surface Field - Effect
Transistor", Stanford Electronics Laboratories Technical Report № 166-1
(1961).
6. Ihantola H. K. J., Moll J. L. "Design Theory of a Surface Field -
Effect Transistor", Solid State Electron., 7, 423 (1964),
7. Sah С. T. "Characteristics of the Metal - Oxide - Semiconductor
Transistor", IEEE Trans. Electron Devices, ED-11, 324 (1964).
8. Hofstein S. R., Heiman F. P. "The Silicon Insulated - Gate Field-
Effect Transistor", Proc. IEEE, 51, 1190 (1963).
9. Wallmark J. Т., Johnson H. Field Effect Transistor, Physics,
Technology, and Applications, Prentice - Hall, 1966.
10. Shockley W. "А Unipolar Field - Effect Transistor", Proc. IRE, 40,
1365 (1952).
TI. Weimer R. K. "An Evaporated Thin Film Triode", IRE-AIEE Solid - State
Device Research Conference, Stanford U., Stanford, California (June
1961).
12. Chang L. L., Yu H. N. "The Germanium Insulated - Gate Field - Effect
Transistor (FET)", Proc. IEEE, 53, 316 (1965).
13. White М. H., Cricchi J. R. "Complementary MOS Transistor", Solid
State Electron., 9, 961 (1966).
13a. Kamins Т. Т., Muller R. S. "Statistical Considerations in MOSFET
Calculations", Solid State Electron., 10, 423 (1967).
13b. Heiman F. P., Miller H. S. "Temperature Dependence of n-Type MOS
Transistors", IEEE Trans. Electron Devices, ED-12, 142
(1965).
14. Becke H., Hall R., White J. "Gallium Arsenide MOS Transistors", Solid
State Electron., 8, 813 (1065).
15. Grove A. S., Fitzgerald T. J. "Surface Effects on p-n Junctions:
Characteristics of Surface Space - Charge Regions Under Nonequilibrium
Conditions", Solid State Electron., 9, 783 (1966).
16. Leistiko O.,Grove A. S., Sah С. T. "Electron and Hole Mobilities in
Inversion Layers on Thermally Oxidized Silicon Surfaces", IEEE Trans.
Electron Devices, ED-12, 248 (1965).
17. Schrieffer J. R. "Effective Carrier Mobility in Surface-Space Charge
Layers", Phys. Rev., 97, 641 (1955).
18. Frankl D. R. Electrical Properties of Semiconductor Surfaces, Chap.
4, pp. 93-141, Pergamon Press, 1967.
19. Pao H. C., Sah С. T. "Effects of Diffusion Current on Characteristics
of Metal - Oxide (Insulator) - Semiconductor Transistors", Solid State
Electron., 10, 927 (1966).
20. Reddi V. G. K., Sah С. T. "Source to Drain Resistance Beyond Pinch -
Off in Metal - Oxide-Semiconductor Transistors (MOST)", IEEE Trans.
Electron Devices, ED-12, 139 (1965).
21. Fischer W. "Equivalent Circuit and Gain of MOS Field - Effect
Transistors", Solid State Electron., 9, 71 (1966).
22. Kennedy F. J. "Gate Leakage Current in MOS Field - Effect
Transistors", Proc IEEE 54, 1098 (1966).
23. Gallagher R. C., Corak W. S. "А Metal - Oxide - Semiconductor (MOS)
Hall Element", Solid State Electron., 9, 571 (1966).
24. Lukes Z. "Characteristics of the Metal - Oxide - Semiconductor
Transistor in the Common - Gate Electrode Arrangement", Solid State
Electron., 9, 21 (1966).
25. Vadasz L., Grove A. S. Temperature Dependence of MOS Transistor
Предыдущая << 1 .. 213 214 215 216 217 218 < 219 > 220 221 222 223 224 225 .. 228 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed