Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.
Скачать (прямая ссылка):
"Ionization Rates of Holes and Electrons in Silicon", Phys. Rev., 134,
A761 (1964).
66. Logan R. A., Sze S. M. Avalanche Multiplication .in Ge and GaAs p-n
Junctions", Proc. International Conference on the Physics of
Semiconductors, Kyoto, and J. Phys. Soc. Japan Supplement, vol. 21, p.
434 (.1966).
67. Logan R. A., White H. G. "Charge Multiplication in GaP p-n
Junctions", J. Appl. Phys., 36, 3945 (1965).
68. Baraff G. A. "Distribution Junctions and Ionization Rates Hot
Electrons in Semiconductors", Phys. Rev., 128, 2507 (1-962)..
69. Crowell C. R., Sze S. M. "Temperature Dependence of Avalanche
Multiplication in Semiconductors", Appl. Phys. Letters, 9, 242 (1966).
70. Шокли В. Теория электронных полупроводников. Пер. с англ. Под ред. В.
Н. Жузе. М., Изд-во иностр. лит, 1953.
71. Haynes J. R., Shockley W. "The Mobility and Life of Injected Holes
and Electrons in Germanium", Phys. Rev., 81, 835 (1951).
Дополнительная литература
1. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. М.- Л., ГИФМЛ, 1962.
2. Киреев П. С. Физика полупроводников. М., "Высшая школа", 1969.
3. Шалимова К. В. Физика полупроводников. М., "Энергия", 1971.
4. Болтакс Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.,
"Наука", 1972.
5. Ковтонюк Н. Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых
материалов. М., "Металлургия", 1970.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ГЛ. 3
1. Шокли В. Теория электрических полупроводников. Пер. с англ. Под ред.
В. П. Жузе. М., Изд-во иностр. лит., 1953.
2. Sah С. Т., Noyce R. N., Shockley W. "Carrier Generation. and
Recombination in p-n Junction and p-n Junction Characteristics", Proc.
IRE, 45, 1228 (1957).
3. Moll J. L. "The Evolution of the Theory of the Current-Voltage
Characteristics of p-n Junctions", Proc. IRE, 46, 1076 (1958)..
4. For example, see A. G. Grove, Physics and Technology of Semiconductor
Devices, New York, John - Wiley and Sons, Inc., 1967.
5. Hall R. N., Dunlap W. C. "p-п Junctions Prepared by Impurity
Diffusion", Phys. Rev., 80, 467 (1950).
6. Tanenbaum М., Thomas D. E. "Diffused Emitter and Base Silicon
Transistors", Bell Syst. Tech. J., 35, 1 (1956).
7. Froseh С. J., Derrick L.. "Surface Protection and Selective Masking
During Diffusion in Silicon", J. Electrochem. Soc., 104, 547 (1957).
8. Hoerni J. A. "Planar Silicon Transistor and Diodes", IRE Electron
Devices Meeting, Washington, iD. C., I960.
9. Theurer H. C., Kleimack J. J., Loar H. H., Christenson H. "Epitaxial
Diffused Transistor", Proc. IRE, 48, i'642 ,(,1960).
10. Jordan E. L. "А Diffusion Mask for Germanium", J. Electrochem. Soc.,
108, 478 (1961).
11. Schmidt P. F., Michel W. "Anodic Formation of Oxide Films on
Silicon", J. Electrochem. Soc., 104, 230 (,1957).
12. Ligenza J. R. "Silicon Oxidation in an Oxigen Plasma Excited by
Microwaves", J. Appl. ,Phy,s., 36, 2703 (1965).
13. Atatla М. M. "Semiconductor Surfaces and Films; the Silicon - Silicon
Dioxide System", in Properties of Elemental and compound Semiconductors,
H. Gatos, Ed., vol. 5, pp. 463-181, Interscience, 1960.
14. Deal В. E., Grove A. S. "General Relationship for the Thermal'
Oxidation of Silicon", J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965).
15. Flatley D., Goldsmith N., Scott J. "А Zinc Diffusion Mask", presented
at the Electrochemical Society meeting, Toronto, Canada,. May 1964.
16. Карслоу Т., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. Пер" с англ. Под
,ред. А. Л. Померанцева. М., "Наука", 1964.
17. Kendall D. L., Diffusion in III-V Compounds with Particular Reference
to Self - Diffusion in InSb, Report №. 65-29, Dept, of Material Science,
Stanford University, Stanford, August 1965.
18. Sze S. М., Gibbons G. "Effect of Junction Curvature on Breakdown
Voltages in Semiconductors", Solid State Electron., 9,831
(1966).
19. Lee T. P., Sze S. M. "Depletion Layer Capacitance of Cylindrical and
Spherical p-n Junctions", Solid State Electron., 10, DOS'
(1967).
20. Gummel H. K., Scharfetter D. L. "Depletion - Layer Capacitance of p+n
Step Junction", J. Appl. Phys., 38, 2148 (1967).
21. Gummel H. K. "Hole-Electron Product of p-n Junctions",. Solid State
Electron., 10, 209 (1967).
22. Общее рассмотрение дается в книге J. L. Moll, Physics of
Semiconductors, New York, McGraw--Hill Book Co., 1964.
23. Strutt M. J. O. Semiconductor Devices, vol. 1, Semiconductor and
Semiconductor Diodes, New York, Academic Press, Ch. 2 (1966).
24. Schiff J. L. Quantum Mechanics, 2nd Ed., New York, McGraw - Hill Book
Co., 1955.
25. Sze S. М., Gibbons G. "Avalanche Breakdown Voltages of Abrupt and
Lineary Graded p-n Junctions in Ge, Si, GaAs, and GaP", Appl. Phys.
Letters, 8, 111 (1966).
26. Kressel H. "А Review of the Effect of Imperfections on the Electrical
Breakdown of p-n Junctions", RCA Review, 28, 175 (1967).
26a. Crowell С. R., Sze S. M. "Temperature Dependence of Avalanche
Multiplication in Semiconductors", Appl Phys. Letters, 9, 242
(1966).
27. Goetzberger A., McDonald. B., Haitz R. H., Scarlet R. M.
