Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С.М. -> "Физика полупроводниковых приборов" -> 215

Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.

Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов — М.: Энергия, 1973. — 656 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov1973.djvu
Предыдущая << 1 .. 209 210 211 212 213 214 < 215 > 216 217 218 219 220 221 .. 228 >> Следующая

49. Senhouse L. S. "А Unique Filamentary-Transistor Structure", IEEE -
Electron Device Meeting Paper 23.6, Washington, D. C. (Oct. 1967).
50. Lesk I. A., Mathis V. P. "The Double-Base Diode - A New Semiconductor
Device", IRE Conv. Rec. Part. 6, p. 2 (1953).
51. Trofimenkoff F. N., Huff G. J. "DC Theory of the Unijunction
Transistor", Int. J. Electronics, 20, pp. 217-225 (1966).
52. Clark L. E. "New, New Unijunction Geometries", Electronics, 38, pp.
93-97 (1965).
53. Scharfetter D. L., Jordan A. G. "Reactive Effects in Semiconductor
Filaments Due to Conductivity Modulation and an Extension of the Theory
of the Double-Base Diode", IRE Trans. Electron Devices, ED-9, 461 (1962).
54. Sylvan T. P. The Unijunction Transistor Characteristics and
Applications, Application Note, Semiconductor Products Department,
General Electric Co. (May 1965).
Дополнительная литература
1. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Изд.
2-е М., "Энергия", 1967.
2. Спиридонов Н. С., Виноградов В. И. Дрейфовые транзисторы. М.,
"Советское радио", 1964.
3. Самохвалов М. М. Германиевые сплавные диффузионные триоды. М.,
Госэнергоиздат, 1962.
4. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. Изд. 2-е. М.,
"Советское радио", 1969.
5. Мозель Е. 3. Мощные транзисторы. М., "Энергия", 1969.
6. Трутко А. Ф. Методы расчета транзисторов. Изд. 2-е. М., "Энергия",
1971.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ГЛ. 7
1. Шокли В. Теория электронных полупроводников. Приложение к теории
транзисторов. Пер. с англ. Под ред. В. П. Жузе. М., Изд-во иностр. лит.,
1953.
2. Shockley W. "А Unipolar Field-Effect Transistor", Proc. IRE, 40, .1365
(1952).
3. Ebers J. J. "Four-Terminal p-n-p-n Transistors", Proc. IRE, 40, 1361
(1952).
4. Moll J. L., Tanenbaum M" Godley J. М., Hoionyak N. "р-п-р-п
Transistor Swiches", Proc. IRE, 44, 1174 (1956).
5. Gentry F. E., Gutzwieler F. W., Hoionyak N. H., Von Zast-
row E. E. Semiconductor Controlled Rectifiers, Prentice Hill, Inc.,
Englewood Cliffs, N. Y., 1964.
6. Dacey G. С., Ross L. M. "The Field-Effect Transistor", Bell Syst.
Tech. J., 34, 1149 (1955), and "Unipolar Field-Effect Transistor", Proc.
IRE, 41 970 (1953).
7. Bockemuehl R. R. "Analysis of Field-Effect Transistors With Arbitrary
Charge Distribution", IEEE Trans. Electron Devices, ED-10, 31 (1963).
8. Sevin L. J. Field Effect Transistor. New York, McGraw-Hill Book Co.,
1965.
9. Gentry F. E. "Turn-on Criterion for p-n-p-n Devices", IEEE Trans.
Electron Devices, ED-11, 74 (1964).
10. Yang E. S., Voulgaris N. C. "On the Variation of Small-Signal Alphas
of a p-n-p-n Device With Current", Solid State Electron., 10, 641 (1967).
^
11. Kawana Y., Misawa Т. "А Silicon p-n-p-n Power Triode", J. Electronics
and Control, 6, 324 (1959).
12. Gibbons J. F. "Graphical Analysis of the I-V Characteristics of
Generalized p-n-p-n Devices", Proc. IEEE, 55, 1366 (1967).
13. Gibbons J. F. "А. Critique of the Theory of p-n-p-n Devices". IEEE
Trans. Electron Devices, ED-11, 406 (1964).
•14. Herlet A. "The Maximum Blocking Capability of Silicon Thyristors",
Solid State Electron", 8, 655 ('1965).
iMa. Fuiop W. "Three Therminal Measurement of Current Amplification
Factors of Controlled Rectifiers", IEEE Trans. Electron. Devices, ED-10,
120 (1963).
15. Sze S. М., Gibbons G. "Avalanche Breakdown Voltages of Abrupt and
Linearly Graded p-n Junctions in Ge, Si, GaAs, and GaP", Appl. Phys.
Letters, 8, 111 (1966).
16. Crowell C. R., Sze S. M. "Temperature Dependence of Avalanche
Multiplication in Semiconductors", Appl. Phys. Letters, 9, 242 (1966).
17. Yang E. S. "Turn-off Characteristics of p-n-p-n Devices", Solid State
Electron, 10, 927 (1967)
18. Sundresh T. S. "Reverse Transient in p-n-p-n Triodes", IEEE Trans.
Electron. Devices, ED-14, 400 (1967).
19. Middlebrook R. D., Richer I. "Limits on the Power - Law Exponent for
Field - Effect Transistor Transfer Characteristics", Solid State
Electron., 6, 542 (1963).
20. Wedlock B. D. "On the Field - Effect Transistor Characteristics",
IEEE Trans. Electron Devices, ED-15, 181 (1968).
21. Hauser J. R. "Characteristics of Junction Field - Effect Devices
wi'th Small Channel Length - to - Width Radios", Solid State Electron,
10, 577 (1967).
22. LeMce J. M. "Influence of Carrier Mobility and Design Parameters on
Field - Effect Transistor Characteristics", IEEE Trans. Electron Devices,
ED-15, 110 (1968).
23. Halladay H. E., Van Der Ziel A. "DC Characteristics of Junction Field
- Effect Transistors", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 531 (1966).
24. Sah С. T. "Theory of Low - Frequency Generation Noise in Junction -
Gare Field-Effect Transistors", Proc IEEE, 52, 795
(1964).
25. Klaassen F. M. "High - Frequency Noise of the Junction Field-Effect
Transistor", IEEE Trans. Electron. Devices, ED-14, 368 (1967).
26. Bruncke W. C., Van Der Ziel A. "Thermal Noise in Junction - Gate
Field-Effect Transistors", IEEE Trans. Electron Devices, ED-13, 323
Предыдущая << 1 .. 209 210 211 212 213 214 < 215 > 216 217 218 219 220 221 .. 228 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed