Физика полупроводниковых приборов - Зи С.М.
Скачать (прямая ссылка):
получаем hUi между выводами 3 и 4, где k - константа. Если же напряжение
U, приложено к выводам 3 и 4, на зажимах 1 и 2 мы получим - kU\. Если
использовать внешнее шунтирующее сопротивление, то гиратор может
выполнять функции элемента развязки (изолятора), т. е. несимметричного
четырехполюсника, у которого одно из переходных сопротивлений равно нулю.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ГЛ. 2
1. Данлэп У. Введение в физику полупроводников. Пер. с англ. Под ред. В.
Л. Бонч-Бруевича. М., Изд-во иностр. лит., 1959.
2. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V
групп. Пер. с англ. Под ред. Б. И. Болтакса. М., "Мир", 1967.
3. Moll J. L. Physics of Semiconductors, McGraw - Hill Book " Co., 1964.
4. Смит P. Полупроводники. Пер. с англ. Под ред. В. П. Жузе. М., Изд-во
иностр. лит., 1962.
5. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. Пер. с англ. Под ред. А.
А. Гусева. М., Гостехиздат, 1957; М., Физматгиз, 1962.
6. Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроводники типа А ш Bv Пер. с аигл. Под
ред. Н. П. Сажина и Г. В. Захватанна. М., Изд-во иностр. лнт., 1963.
7. Willardson R. К., Beer А. С. Ed. Semiconductors and Semi-metals, vol.
2, Physics of II-V Compound, New York, Academic Press, 1966.
8. Pearson W. B. Handbook of Lattice Spacings and Structure of Metals and
Alloys, Pergamon Press, 1967.
9. Brillouin L. Wave Propagation in Periodic Structures, Dover
Publication, 2nd ed., New York, 1953.
10. Зейтц Ф. Современная теория твердого тела. Пер. с англ. Под ред. Г.
С. Жданова. М.- Л., Гостехиздат, 1949.
11. Ziman J. М. Principles of the Theory of Solids, Cambridge University
Press, 1964.
12. Cohen M. L. "Pseudopotential Calculations for II-VI Compounds", a
chapter of II-VI Semiconducting Compounds, Edited by D. G. Thomas, W. A.
Benjamin, Inc., New York, 1967, p. 462.
13. Киттель Ч. Квантовая теория твердых тел. Перев. с англ. А. А. Гусева.
М., "Наука", 1967.
,14. Herring С. "А New Method for Calculating Wave Functions in
Crystals", Phys. Rev, 57, 1169 (1940).
15. Herman F. "The Electronic Energy Band Structure of Silicon &
Germanium", Proc. IRE, 43, 1703 (4955).
15a. Allen L. С. "Interpolation Scheme for Energy Bands in Solids", Phys.
Rev., 98, 993 (il955).
16. Phillips J. C. "Energy - Band Interpolation Scheme on a
Pseudopotential", Phys. Rev., .112, 685 (1958).
17. Cohen M. L., Bergstresser Т. K. "Band Structures and Pseudopotential
From Factors for Fourteen Semiconductors of the Diamond and Zinc - blende
Structures", Phys. Rev., 141, 789 (.1966).
18. Compiled from Data Sheets of Electronic Properties Information Center
(EPIC), Hughes Aircraft Co., Culver City, California.
¦18a. Neuberger M. Germanium Data Sheets, DS-143 (Feb. 1965) and
Germanium Bibliographic Supplement, DS-143 (Supplement 1) (Oct. 1966).
18b. Neuberger M. Silicon Data Sheets DS-137 (May 1964) and Silicon
Bibliographic Supplement, DS-137 (Supplement) (July, 1968).
18c. Neuberger M. Gallium Arsenide Data Sheets, DS-144 (April 1965) and
Gallium Arsenide Bibliographic Supplement, DS-144 (Supplement 1) (Sept.
1967).
19. Zirnan J. M. Electrons and Phonons Oxford at the Clarendon Press,
1960.
20. Paut W., Warschauer D. M. Ed, Solids Under Pressures, New York,
McGraw - Hill Book Co, Inc., 1963.
21. Blakemore J. S. "Carrier Concentrations and Fermi Levels in
Semiconductors", Elec. Commun., 29, 131 (1952).
22. Morin F. J., Maita J. P. "Electrical Properties of Silicon Containing
Arsenic and Boron", Phys. Rev., 96, 28 (1954); also "Conductivity and
Hall Effect in the Intrinsic Range of Germanium", Phys. Rev., 94, 1525
(1954).
23. Hall R. N., Racette J. H. "Diffusion and Solubility of Copper in
Extrinsic and Intrinsic Germanium, Silicon, and Gallium Arsenide", J.
Appl. Phys., 35, 379 (1964).
24. Келдыш JI. В. Глубокие уровни в полупроводниках. ЖЭТФ, 1963, т. 45,
вып. 2 (8), стр. 364-375.
25. Hermanson J., Phillips J. С. "Pseudopotential Theory of Exci-ton and
Impurity States", Phys. Rev., 150, 652 (1966).
26. Callaway J., Hughes A. J. "Localized Defects in Semiconductors",
Phys. Rev., 156, 860 (1967).
27. Conwell E. M. "Properties of Silicon and Germanium, Part II", Proc.
IRE, 46, 1281 (1958).
28. Sze S. М., Irvin J. C. "Resistivity, Mobility, and Impurity Levels in
GaAs, Ge, and Si at 300 К", Solid State Electron., 11, 599 (1969).
29. Bullis W. М., "Properties of Gold in Silicon", Solid State Electron.,
9, 143 (1966).
30. Jost W. Diffusion in Solids, Liquids, Gases, Academic Press (1952).
30a. Shewmon P. G. Diffusion in Solids, McGraw - Hill - Book Co., New
York (1963).
30b. Болтакс Б. И. Диффузия в полупроводниках. М., Физматгиз, 1961.
30с. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. Пер. со 2-го англ.
изд. Под ред. А. А. Померанцева. М., "Наука", 1964.
31. См обзор J. F. Gibbons, "Ion Implantation in Semiconductors Part I,
Range Distribution Theory .and Experiments", Proc. IEEE, 56, 295 (1968).
32. Бургер P., Донован P. Основы технологии кремниевых интегральных схем.
