Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
29. В. С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники. М., Физ-матгиз, 1963.
30. В. С. Вавилов, Н. А. Ухии. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М., Атомиздат, 1969.
31. Действие излучений на полупроводники и изоляторы. М., ИЛ, 1954.
32. В. Д. Ткачев, В. И. У р е и е в. О термодефектах в кристаллах чистого германия. ФТП, 4, 2190, 1970.
33. М. Т. Л а п п о, В. Д. Т к а ч е в. О дивакаисии в кремнии, облученном быстрыми нейтронами. ФТП, 4, 2192, 1970.
34. В. Д. Т к а ч е в, В. И. Уренев. Об эффективности образования и природе радиационных дефектов структуры в германии. ФТП, 4, 2405, 1970.
35. А. С. П а п е й к о, Э. Е. Р а д о в с к и й, В. Ф. С т е л ь м а х, В. Д. Т к а-ч е в. Радиационные нарушения в арсениде галлия, легированном медью. ФТП, 4, 142, 1970.
36. В. Д. Ткачев, А. Ф. Плотников, В. С. Вавилов. О природе локальных центров с глубокими уровнями в кремнии, облученном быстрыми электронами. ФТТ, 5, 3188, 1963.
37. А. Н. С е в ч е н к о, В. Д. Т к а ч е в, П. Ф. Л у г а к о в. Энергетический спектр радиационных нарушений в кремнии. ДАН СССР, 169, 562, 1966.
38. А. И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. М.—Л., Физ-матгиз, 1962.
39. Дж. 3 а й м а н. Современная квантовая теория. М., «Мир», 1971.
40. И. М. Ц и д и л ь к о в с к и й. Электроны и дырки в полупроводниках. Энергетический спектр и динамика. М., «Наука», 1972.
41. П. С. Киреев. Физика полупроводников, 1—2. Томск, М., «Высшая школа», 1969.
42. И. И. Петровский. Электронная теория полупроводников. Введение в теорию. Минск, «Высшая школа», 1964.
43. В. Гайтлер. Квантовая теория излучения. М., ИЛ, 1956.
44. Д. И. Б л о х и н ц е в. Основы квантовой механики. М., «Высшая школа», 1963.
45. F. Bloc h. Ober die Quantenmechanik der Elektronen in Kristallgittern. Zeitschr. f. Physik, 52, 555, 1928.
46. Дж. 3 а й м а н. Вычисление блоховских функций. М., «Мир», 1973.
47. Дж. 3 а й м а н. Принципы теории твердого тела. М., «Мнр», 1966.
48. Ч. К и т т е л ь. Квантовая теория твердых тея. М., «Наука», 1967.
49. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М., Физматгиз, 1963.
50. М. А. Е л ь я ш е в и ч. Атомная и молекулярная спектроскопия. М., Физматгиз, 1962.
51. А. В. Соколов, В. П. Широковский. Метод теории групп в квантовой физике твердого тела (точечная симметрия). УФН, 60, 617, 1956 (пространственная симметрия). УФН, 71, 485, 1960.
52. Г. Я. Любарский. Теория групп и ее ирименеиие в физике. М., Физматгиз, 1957.
53. Е. В и г н е р. Теория групп. М., ИЛ, 1961.
53а. Г. Л. Бир, Г. Е. П и к у с. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М., «Наука», 1972.
54. L. Boukaert, R. Smolychowski, Е. Wigner. Theory of Bril-louin zones and symmetry properties of wave function in crystals. Phys. Rev., 50, 58, 1936.
420
55. Дж. Каллуэй. Теория энергетической зонной структуры. М., «Мир»,
1969.
, 56. Полупроводники. М., ИЛ, 1962.
57. В. Л. Бонч-Бруевич. Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников. В кн.: Физика твердого тела. М., Изд-во АН СССР, 1965, стр. 127—236.
58. Н. Мотт, У. Туз. Теория проводимости по примесям. УФН, 79, 691,
1963.
59. G. Lucovsky. Mechanism for radiative recombination in GaAs p—ti junctions. Phys. Quant Electronics, Conf. Proc. N. Y., San. Francisco, Toronto, London, Sydney, McGran-Hill, Book Company, 1966, p. 467.
60. О. В. E м e л ь я н e н к о, Т. С. Лагунова, Д. Н. Н а с л е д о в, Г. К. Талалакин. Образование и свойства примесной зоны в п-GaAs. ФТТ, 7, 1315, 1965.
61. R. Eymard, G. Duraffourg. The impurity density-of-states tails in neutral semiconductors: application to the diffusion current in GaSb p—n junctions J. Phys. D: Appl. Phys., 6, 66, 1973.
62. E. О. Kane. Thomas — Fermi approach to impure semiconductor band structure. Phys. Rev., 131, 79, 1963.
63. F. S t e r n. Effect of band tails on stimulated emission of light in semiconductors. Phys. Rev., 148, 186, 1966.
64. Л. В. Ke л ды ш, Г. П. Прош ко. Инфракрасное поглощение в сильно легированном германии. ФТТ, 5, 3378, 1963.
65. Т. N. М о г g а п. Broadening of impurity bands in heavily doped semiconductors. Phys. Rev., 139 A, 343, 1965.
66. В. I. H a 1 p e r i n, M. L a x. Impurity band tails in the high-density limit. I. Minimum counting methods. II. Higher order corrections. Phys. Rev., 148, 782, 1966; II. Phys. Rev., 153, 802, 1967.
67. M. Lax, В. I. H a 1 p e r i n. Impurity band tails in degenerate semiconductors. J. Phys. Soc. Japan, 21, 218, 1966,
68. C. J. Hwang. Properties of spontaneous and stimulated emission in GaAs junction lasers. I. Densities of states in the active regions. Phys. Rev. B: Solid State, 2, 4117, 1970.
69. Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос. Хвосты плотности состояний в сильно легированных полупроводниках. ФТП, 4, 305, 1970.
70. С. J. Hwang. Calculation of Fermi energy and band tail parameters in heavity doped and degenarate re-type GaAs. J. Appl. Phys., 41, 2668,
1970.
71. Дж. Блек mo p. Статистика электронов в полупроводниках. М., «Мир», 1964.
