Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
124, 1813, 1961.
267. А. А. Г p и н б e p г, H. А. Б p ы н с к и х. Теория поглощения света свободными носителями тока в полупроводниках, охватывающая квантовую и классическую области частот. ФТП, 5, 1271, 1971.
268. И. Г. Ланг. К теории инфракрасного поглощения свободными носителями тока. ФТТ, 15, 2136, 1973.
269. 3. А. Демиденко. О поглощении света свободными носителями в полупроводниках с непараболическей зоной. ФТП, 4, 2106, 1970.
270. Т. А. А л и е в, Ф. М. Г ашимзаде. К теории поглощения света свободными носителями в полупроводниках с непараболйческой зоной. ФТП, 6, 458, 1972.
271. В. Л. Гуревич, И. Г. Ланг, Ю. А. Фирсов. О роли оптических фононов в инфракрасном поглощении свободными носителями в полупроводниках. ФТТ, 4, 1252, 1952.
272. S. Visvanathan. Free carrier absorption due to polar modes in the III—V compound semiconductors. Phys. Rev., 120, 376, 1960.
273. E. H a ga, H. Kimura. Free-carrier infrared absorption and determination-potential constant in re-type InSb. J. Phvs. Soc. Japan, 18, 777,
1963.
429
274. Haga, H. Kimura. Free-carrier infrared absorption in III—V semiconductors. II InAs. J. Phys. Soc. Japan, 19, 471, 1964.
275. E. Haga, H. Kimura. Free-carrier infrared absorption in III—V semiconductors. III. GaAs, InP, GaP and GaSb. J. Phys. Soc. Japan, 19,
658, 1964.
276. E. Haga, H. Kimura. Free-carrier infrared absorption in III—V semiconductors IV. Inter-conduction band transitions. J. Phys. Soc. Japan,
19, 1596, 1964.
277. W. P. Dumke, M. R. Lorenz, G. D. Pettit. Intra- and interband free carrier absorption and the fundamental absorption edge in «-type InP. Phys. Rev. B: Rev. Solid State, 1, 4668, 1970.
278. H. Y. Fan. Effects of free carriers on the optical properties. Semicond.
a Semimetals, 3, 405, 1967.
279. E. П. P а ш e в с к а я, В. И. Ф н с т у л ь. Инфракрасное поглощение арсенида галлия с примесями VI группы. ФТТ, 9, 3618, 1967.
280. Y. В. Arthur, А. С. В а у n h a m, W. Fawcett, Е. G. S. Paige. Optical absorption due to free holes in germanium: a comparison of theory and experiment. Phys. Rev., 152, 740, .1967.
281. 3. А. Аджимурадов, Г. Б. Багдуев. Поглощение на свободных носителях в теллуре прн высоких температурах. ФТП, 3, 1338, 1969.
282. О. В. Вакуленко, М. П. Л и с н ц а, Я. Ф- К о н о н е ц. Инфракрасное поглощение носителями в сернистом свинце. ФТТ, 8, 1698, 1966.
283. S. Yamada, Y. Kawasaki, О. Nishida. Free carrier absorption in и-type CdTe crystals. Phys. Stat. Solidi., 26, 77, 1968.
284. С. И. P а д а у ц а н, A. E. Ц у p к а н. Теллурид цннка. Кишинев, изд-во «Штиинца», 1972.
285. Б. М. В у л, А. Ф. Плотников, В. М. С а л ь м а и, А. А. Соколова, В. А. Чапннн. Поглощение света свободными носителями в кристаллах re-GdTe. ФТП, 2, 1243, 1968.
286. М. П. Лисица, В. Н. М а л и н к о, Е. В. Пндлисный, Г. Г. Ц е-б у л я. Поглощение свободными носителями в GaAs, InAs и Ge. ФТП, 3, 1439, 1969.
287. М. П. Лисица, В. Н. Малин ко, В. С. Н и к о н ю к, Н. Е. Нево-лецкий, Г. Г. Цебуля. Поглощение свободными носителями в CdTe «-типа. ФТП, 3, 1576, 1969.
288. F. Herman, J. Callaway. Electronic structure of the germanium crystal. Phys. Rev., 89, 518, 1953.
289. W. Kaiser, R. J. Collins, H. Y. Fan. Infrared absorption in p-type germanium. Phys. Rev., 91, 1380, 1953.
290. H. В. В r i g g s, R. C. Fletcher. Absorption of infrared light by free carriers in germanium. Phys. Rev., 91, 1342, 1953.
291. W. G. Spitser, Y. M. Whelan. Infrared absorption and electron effective mass in n-type gallium arsenide! Phys. Rev., 114, 59, 1959.
292. R. Brauns tein, E. O. Kane. The valence band structure of the III—V compounds. Jour. Phys. Chem. Sol., 23, 1423, 1912.
293. W. M. Becker, A. K. R a m d a s, H. Y. Fan. Energy band structure of gallium antimonide. Journ. Appl. Phys. Suppl. 32, 2094, 1961.
294. W. J. Turner, W. E. Relse. Infrared absorption in га-type aluminium antimonide. Phys. Rev., 117, 1003, 1960.
295. G. W. G obeli, H. Y. Fan. Infrared absorption and valence band in
indium antimonide. Phys. Rev., 119, 613, 1960.
296. G. D. С 1 a r k, J r. N. H о 1 о n у a k. Jr. Optical properties of gallium arsenide-phosphide. Phys. Rev., 156, 913, 1967.
297. A. N. Kahn. Theory of the infrared absorption of carriers in germanium and silicon. Phys. Rev., 97, 1647, 1955.
298. E. O. Kane. Energy band structure in p-type germanium and silicon. J. Phys. and Chem. Solids., 1, 82, 1956.
299. Ю. B. HI м a p ц e в, А. Д. P e м e н ю к. Поглощение инфракрасного нз-
430
лучения в фосфиде галлия «-типа. III. О структуре зоны проводимости. ФТП, 3, 1697, 1969.
300. В. Н. Мурзин. Низкотемпературное поглощение в германии, обусловленное переходами в валентной зоне. ФТП, 7, 1610, 1973.
301. S. S. Mitra. Vibration spectra of solids. Solid State Phys., 13, 1, 1962.
302. А. А. Марадулин, Э. Монтролл, Дж. Вейс. Динамическая теория кристаллической решетки в гармоническом приближении. М., «Мир», 1965.
303. К- Б. Толныго. Состояние теории поляризационных и валентных кристаллов. УФН, 74, 269, 1961.
