Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
72. В. И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники. М., «Наука»,
73. Л. Л. К о р е н б л и т, А. А. Штейиберг. Графический метод определения химического потенциала в полупроводниках. ЖТФ, 26, 938,
1956.
74. С. И. П е к а р. Неприменимость распределения Ферми—Дирака к электронам примесных центров в полупроводниках и кристаллофосфорах. ЖЭТФ, 26, 238, 1956.
75. С. И. П е к а р. Исследования по электронной теории кристаллов. М.—¦ Л., Гостехиздат, 1951.
76. А. Эйнштейн. Теория излучения Планка и теория удельной тепло-
емкости. Собрание трудов, 3. М., «Наука», 1966, стр. 184- Ann. Phys.,
22, 180, 1907. .
77. Дж^ Слэтер. Диэлектрики, полупроводники, металлы. М., «Мир»,
78. Дж. 3 а й м а н. Электроны и фононы. М., ИЛ. 1962.
79. Ф. И. Федоров. Теория упругих волн в кристаллах. М., «Наука»,
421
80 Л.*С. Стильбанс. Физика полупроводников. М., «Советское радио», ' 1967.
81. И. В. Смирнов. Курс высшей математики, т. 2. М., «Наука», 1967.
82. А. Пуле, Ж-П. М а т ь е. Колебательные спектры и симметрия кристаллов. М., «Мир», 1973.
83. Л. Д. Ландау, Е. М. Л и ф ш и ц. Теория поля. М., «Наука», 1973.
84. Л. Д. Ландау, Е. М. Л и ф ш и ц. Статистическая физика. М., «Наука», 1964.
85. М. В. В о л ь к ен шт ей н, Л. А. Г р и б о в, М. А. Е л ь я ш е в и ч, Б. И. С т е п а н о в. Колебания молекул. М., «Наука», 1972.
86. Дж. Б л е к м о р. Физика твердого состояния. М., «Металлургия», 1972,
87. Б. И. Степанов, В. П. Г р и б к о в с к и й. Введение в теорию люминесценции. Минск, Изд-во АН БССР, 1963; В. I. S t ер a no v, V. Р. Gribkovskii. Theory of Luminescence. English translation. London, ILIFFE. Books. LTD, 1968. London. Gordon and Breach, 1971.
88. Л. Д. Ландау, E. М. Лифшиц. Квантовая механика, ч. 1. М., Физматгиз, 1963.
89. Д. Пайн с. Элементарные возбуждения в твердых телах. М., «Мир»,
• 1965.
90. Я- И. Френкель. О превращении света в тепло в твердых телах.
1, II. Собрание избранных трудов, 2, М.—Л., Изд-во АН СССР, 1956, стр. 126, 157; Phys, Rev., 37, 17, 1931; 1276, 1931.
91. Е. Ф. Г р о с с, Н. А. К а р р ы е в. Поглощение света кристаллами закиси меди в инфракрасной и видимой части спектра. ДАН СССР, 84,
261, 1952.
92. Е. Ф. Гросс, Н. А. К а р р ы е в. Оптический спектр экситона. ДАН СССР, 84, 471, 1952.
93. В. М. Агранович, В. Л. Гинзбург. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. М., «Наука», 1965.
94. Polarons and Excitons. The Proceeding of the Scottish University Summer School in Theoretical Physics, 1962.
95. P. H о к с. Теория экситонов. М., «Мир», 1966.
96. А. С. Д а в ы д о в. Теория молекулярных экситонов. М., «Наука», 1968.
97. В. М. А г р а н о в и ч. Теория экситонов. М., «Наука», 1968.
98. Б. Захарченя, Р. Сей с ян. Диамагнитные экситоны в полупроводниках. УФН, 97, 193, 1969.
99. Е. Ф. Грос с. Спектр возбуждения экситонов в кристаллической решетке. УФН, 63, 575, 1957.
100. Е. Ф. Гросс. Экситон и его движение в кристаллической решетке. УФН, 76, 433, 1962.
101. Е. Ф. Гросс, С. А. П е р м о г о р о в, Б. С. Р а з б и р и н. Аннигиляция экситонов и экситон-фононное взаимодействие. УФН 103 431,
1971.
102. Экситоны в полупроводниках. М., «Наука», 1971.
103. Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. Механика. М., «Наука», 1973.
104. J. Appel. Polarons. New York—London, Acad. Press, 1968; Solid State Physics, 21, 193, 1968.
105. F. Stern. Elementary Theory of the optical Properties of Solids Solid States Physics, 15, 299, 1963.
106. G. Lasher, F. Stern. Spontaneous and stimulated recombination radiation in semiconductors. Phys. Rev., 133A, 553, 1964.
107. T. P. Mc. Lean, B. Se., Ph. D. The absorption edge spectrum of semiconductors. Progress in semiconductors. 5, 53, 1960.
108. J. Bardeen, F. J. Blatt, L. H. Hall. Indirect Transitions from the Valence to the Conduction Bands. Photoconductivity Conference. New York, 1954/1956, p. 146—154.
109. H. Y. Fan, M. L. Shepherd, W. S p i t z e r. Infrared Absorption and
422
Energy-Band Structure of Germanium and Silicon. Photoconductivity Conference. New York, 1954/1956, p. 184.
110. Т. Мосс. Оптические свойства полупроводников. М., ИЛ, 1961.
111. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. М., «Мир»,
1973.
112. С. И. В а в и л о в. Вступительное слово на совещании по вопросам люминесценции, созванном физико-математическим отделением АН СССР 5—10 октября 1944 г. Собр. соч., 2, 186, 1952.
113. Б. И. Степанов, П. А. Апанасевич. О классификации вторичного свечения. ДАН СССР, 116, 772, 1957.
114. Б. И. Степанов, А. П. Апанасевич. О понятиях фотолюминесценции и рассеяния. Изв. АН СССР, сер. физич., 22, 1380, 1958.
115. Б. И. Степанов, П. А. Апанасевич. Классификация вторичного свечения. Опт. и спектр., 7, 437, 1959.
116. К- К- Р е б а н е. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М., «Наука», 1968.
117. Е. Ф. Г р о с с, С. А. Пермогоров, В. В. Т р а в н и к о в, А. В. Селькин. Вторичное свечение экситонов в кристаллах CdS. Сб. «Физика примесных центров в кристаллах». Таллин, Изд-во АН ЭССР, 1972, стр. 627.
