Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Грибковский В.П. -> "Теория поглощения и испускания света в полупроводниках" -> 155

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.

Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках — М.: Наука и техника , 1975. — 464 c.
Скачать (прямая ссылка): teoriyapoglosheniyaiispuskaniya1975.djvu
Предыдущая << 1 .. 149 150 151 152 153 154 < 155 > 156 157 158 159 160 161 .. 176 >> Следующая

230 Е Н a g a. Infrared absorption of semiconductor at low temperatures. J. Phys. Soc. Japan, 19, 2030, 1964.
231. E. Haga. Optical properties due to donor electrons in semiconductors. J. Phys. Soc., Japan, 20, 735, 1965.
232. R. A. Chapman, W. G. Hutchinson. Photoexcitation and photo-ionization of neutral manganese acceptors in gallium arsenide. Phys. Rev. Lett., 18, 443, 1967.
233. С. H. Henry, K. Nassau, J. W. S h i e v e r. Optical studies of shallow acceptors in CdS and CdSe. Phys. Rev. B: Solid State, 4, 2453, 1971.
234. O. Christensen. Absorption from Neutral Acceptors in GaAs and
GaP. Phys. Rev. B: Solid State, 7, 1426, 1973.
235. E. М. Гершензон, Г. H. Гольцман, Н. Г. Птицына. Исследование возбужденных состояний доноров в GaAs. ФТП, 7, 1870, 1973.
236. А. Д. Решенюк, Л. Г. Забелина, Ю. И. Уха нов, В. М. Тучке в и ч, Ю. В. Ш м а р ц е в. Поглощение инфракрасного излучения в фосфиде галлия «-типа. Тр. IX Междун. конф. по физике полупроводников, 1. Л., «Наука», 1959, стр. 236.
237. И. А. К у р о в а, В. А. Морозова, В. М. Я р Д е в. О сеченйи фотоионизации акцепторных уровней золота в германии «-типа. ФТП, 7, 1712, 1973.
238. Э. П. Синявский, В. А. Коварский. Квазиклассическая оценка поперечников многофононного захвата в некондоновском приближении для деформационного взаимодействия. ФТТ, 9, 1464, 1967.
239. G. L и с о v s к у. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors. Solid State Communs, 3, 299, 1965.
240. В. Л. Бонч-Бруевич. К теории захвата носителей заряда глубокими 'ловушками в гомеополярных полупроводниках. Вестник МГУ, Физика, астрономия, 12, 5, 1971.
241. W. Shockley, W. Т. Read. Jr. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons. Phys. Rev., 87, 835, 1952.
242. В. П. Грибковский. Becui АН БССР, сер. ф1з.-матэм. навук. № 4.
95, 1966.
243. D. М. E a g 1 e s. Optical absorption and recombination radiation in semiconductors due to transitions between hydrogen-like acceptor impurity levels and the conduction band. J. Phys. Chem. Solids., 16, 76, 1960.
244. Я- E. Покровский, К- И. Свистунов а. Некоторые особенности излучательного захвата электронов на атомы индия и галлия в кремнии. ФТТ, 5, 1880, 1863.
245. Я. Е. Покровский, К- И. Свистунов а. Излучательный захват носителей заряда на примесные атомы в кремнии и германии. ФТТ, 6, 19, 1964.
246. G. Lucovsky. Gaussian impurity bands in GaAs. Solid State Communs, 3, 105, 1965.
247. А. Л. Эфрос. Плотность состояний и межзонное поглощение в сильно легированных полупроводниках. УФН, 111, 451, 1973.
248. J. J. Hopfield, D. G. Thomas, М. Gershenzon. Pair spectra in GaP. Phys. Rev. Lett., 10, 162, 1963.
249. D. G. Thomas, M. Gershenzon, F. A. Trumbore. Pair spectra and «edge» emission in gallium phosphide. Phys. Rev., 133A, 269, 1964.
250. Л. Меркам, Ф. Вильямс. Конфигурационное взаимодействие
428
и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар. Изв. АН СССР, сер. физич., 37, 803, 1973.
251. F Williams. Donor-acceptor pairs in semiconductors. Phys. Stat. Sol., 25, 493, 1968.
252. А. Э. Юновкч. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия. Сб. «Излучательная рекомбинация в полупроводниках». М., «Наука», 1972, стр. 224.
253. S. S h i о п о у a. Luminescence of Lattices of the ZnS type. Luminescence of inorganic solids. Academic Press. New York and London, 1966, p. 205.
254. G. H. D 6 h 1 e r. The Kinetics of donor—acceptor Transitions in ZnS type phosphors. Phys. Status. Solidi, 45, 705, 1971.
255. D. G. Thomas, J. J. H о p f i e 1 d, W. M. A u g u s t у n i a k. Kinetics of radiative recombination at randomly distributed donors and acceptors. Phys. Rev., 140A, 202, 1965.
256. E. Закс, А. Г альперин. Энергетический сдвиг излучения донорно-акцепторных пар. Изв. АН СССР, сер. физич., 37, 551, 1973.
257. Е. Z а с к s, А. Н а 1 р е г i n. Dependence of the Peak Energy of the Pair Photoluminescence Band on Excitation Intensity. Phys. Rev. B: Solid State, 6, 3072, 1972.
258. В. А. Добрего. Расчет люксампериых характеристик прыжковой фотопроводимости. ФТТ, 8, 3506, 1966.
259. В. П. Д о б р е г о, И. С. Ш л и м а к. Межпримесная излучательная рекомбинация в компенсированном германии. ФТП, 1, 1478, 1957.
260. U. Heim. Evidence for donor-acceptor recombination in InP by time-resolved photoluminescence spectroscopy. Solid State Communs. 7, 445,
1969.
261. A, H. Пихиин, Д. А. Я с ь к о в, Г. Ф. Глинский. Кинетика меж-примвсной излучательной рекомбинации в фосфиде галлия. ФТТ, 12,
386, 1970.
262. Н. Y. Fa n. Infrared absorption in semiconductors. Rept. Progr. Phys.,
19, 107, 1956.
263. H. Y. F a n, W. S p i t z e r, R. J. С о 11 i n s. Infrared absorption in n-type germanium. Phys. Rev., 101, 566, 1956.
264. H. J. G. Meyer. Infrared absorption by conductor electrons in germanium. Phys. Rev., 112, 298, 1958.
265. R. Rosenberg, M. Lax. Free-carrier absorption in «-type Ge. Phys. Rev., 112, 843, 1958.
266. W. P. Dumke. Quantum theory of free carrier absorption. Phys. Rev.,
Предыдущая << 1 .. 149 150 151 152 153 154 < 155 > 156 157 158 159 160 161 .. 176 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed