Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
118. М. Н. Аленцев, В. В. А н т о н о в-Р о м а н о в с к и й, Б. И. Степанов, М. В. Фок. О выходе резонансной флуоресценции атомов. ЖЭТФ, 28, 253, 1955.
119. Б. И. Степанов. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции сложных молекул. ДАН СССР, 112, 839,
1957.
120. Н. А. Борисевич. Возбужденное состояние сложных молекул в газовой фазе. Минск, «Наука и техника», 1967.
121. Б. И. Степанов. О границах применимости универсального соотношения между спектрами поглощения и люминесценции сложных молекул. ЖПС, 17, 245, 1972.
122. Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Об аналогии оптических свойств сложных молекул и полупроводников. Опт. и спектр., 27, 583,
1969.
123. Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Применение понятия химического потенциала для описания оптических свойств сложных молекул. Изв. АН СССР, сер. физич., 34, 513, 1970.
124. В. П. Грибковский, Б. И. Степанов. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции в полупроводниках при больших интенсивностях возбуждения. ДАН СССР, 183, 67,
- 1968.
125. W. Van Roosbroeck, W. Shoclev. Photon-radiative recombination of electrons and holes in germanium. Phys. Rev., 94, 1558, 1954; Проблемы физики полупроводников. М., ИЛ, 1957, стр. 122.
126. Y. P. Varshni. Band-to-band radiative recombination in groups IV, VI, and III—V semiconductors. I. Phys. Status. Solidi, 19, 459, 1967. Band-to-band radiative recombination in groups IV, VI and III—V semiconductors. II. Phys. Status. Solidi, 20, 9, 1967. Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М., «Наука», 1972, стр. 9—124.
127. В. В. А н т о н о в-Р о м а н о в с к и й, Б. И. Степанов, М. В. Фок,
А. П. X а п а н ю к. Выход люминесценции системы частиц с тремя уровнями энергии. ДАН СССР, 105, 50, 1955.
128. Б. И. Степанов. Отрицательная люминесценция н отрицательный фотоэффект. Опт. и спектр., 1, 125, 1956.
129. Б. И. Степанов. Отрицательная люминесценция. Тр. Ин-та физики и матем. АН БССР, вып. 1, Минск, 1956, стр. 46.
130. Б. И. Степанов. Основы спектроскопии отрицательных световых потоков. Минск, Изд-во Б ГУ, 1961.
423
131. Б. И. С т е п а н о в, Я- С. X в а щ е в с к а я. Получение спектров поглощения с помощью холодных источников света. ДАН СССР, 116, 588,
1957.
132. Б. И. Степанов, Я- М. X в а щ е в с к а я. Спектроскопия отрицательных потоков лучистой энергии. Изв. АН СССР, сер. физич., 22, 1089,
1958.
133. С. М. Рыбкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., Физматгиз, 1963.
134. С. И. Вавилов. Выход флуоресценции растворов красителей. Собр. соч., I. М., Изд-во АН СССР, 1954, стр. 150.
135. С. И. Вавилов. Выход люминесценции растворов красителей в зависимости от длины волны возбуждающего света. Собр. соч., I. Мм Изд-во АН СССР, 1954, стр. 222.
136. С. И. В а в и л о в. Выход и длительность флуоресценции. Собр. соч., I. М., Изд-во АН СССР, 1954, стр. 424.
137. В. Л. Л е в ш и н. Фотолюминесценция жидких и твердых веществ. М., ГИТТЛ, 1951.
138. Б. И. Степанов. Люминесценция сложных молекул. Минск, Изд-во АН БССР, 1955.
139. В. Л. Л е в ш и н. Замечания о понятиях «выход», «средняя длительность» и «закон затухания» люминесценции и их применение. Опт. и спектр., 11, 362, 1961.
140. G. С. Do usman is, С. W. Mueller, H. Nelson, К. G. Petrin-g e г. Evidence of refrigerating action by means of photon emission in semiconductor diodes. Phys. Rev., 133A, 316, 1964.
141. M. A. Weinstein. Thermodynamic Limitation on the conversion of heat into light. JOSA, 50, 594, 1960.
142. Ю. H. Николаев, М. В. Фок. Принципы преобразования электрической энергии в световую. Тр. Физич. института АН СССР, 50,
106, 1970.
143. С. И. Вавилов. Люминесценция и ее длительность. Собр. соч., 2. М., Изд-во АН СССР, 1952, стр. 293.
144. Ф. А. Бутаева, В. А. Фабрикант. Влияние параметров разряда на интенсивность линий 1850 и 2537 А в люминесцентных лампах. Изв. АН СССР, сер. физич., 13, 271, 1949.
145. Ф. А. Бутаева, В. А. Фабрикант. Чувствительность люминофоров для люминесцентных ламп в коротковолновом ультрафиолетовом излучении. Изв. АН СССР, сер. физич., 21, 541, 1957.
146. Методы расчета оптических квантовых генераторов под ред. Б. И. Степанова, т. I. Минск, «Наука и техника», 1966.
147. К- И. Б р и ц ы н, В. С. Вавилов. О процессе фотоионизации в кремнии. Опт. и спектр., 8, 851, i960.
148. И. Н. Б р о н ш т е й н, К. А. С е м е н д я е в. Справочник по математике. М., «Наука», 1964.
L49. В. П. Г р и б к о в с к и й, П. А. А п а н а с е в и ч, Б. И. С те па но в. Оптические свойства гармонического осциллятора. Тр. Ин-та физики и матем. АН БССР, вып. 3, 131, 1959.
150. Р. Бью б. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЛ, 1962.
151. A. Many, R. Bray. Life time of excess carriers in semiconductors. Prog. Semicond., 3, 117, 1958.
152. А. Э. Ю н о в и ч. Излучательная рекомбинация в р—га-переходах в полупроводниках. Сб. «Инжекционная электролюминесценция». Тарту, Изд-во ТГУ, 1968.
153. W. P. Dumke. Spontaneous radiative recombination in semiconductors. Phys. Rev., 105, 139, 1957.
