Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.
Скачать (прямая ссылка):
ЯВЛЕНИЯ В КОНТАКТАХ (МОНОПОЛЯРНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ)
§ 1. Потенциальные барьеры .........................................
§ 2. Плотность тока. Соотношение Эйнштейна..........................
§ 3. Условия равновесия контактирующих тел .........................
§ 4. Термоэлектронная работа выхода.................................
§ 5. Контактная разность потенциалов ...............................
§ 6. Распределение концентрации электронов и потенциала в слое объемного заряда .......................................................
§ 7. Длина экранирования ...........................................
§ 8. Обогащенный контактный слой в отсутствие тока..................
§ 9. Истощенный контактный слой.....................................
§ 10. Токи, ограниченные пространственным зарядом...................
§11. Выпрямление в контакте металл — полупроводник..................
§ 12. Диффузионная теория...........................................
§ 13. Сравнение с экспериментом.....................................
Глава VII НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ И ДЫРКИ
§ 1. Неравновесные носители заряда..................................
§ 2. Время жизни неравновесных носителей заряда.....................
§ 3. Уравнения непрерывности........................................
§ 4. Фотопроводимость...............................................
§ 5. Квазиуровни Ферми..............................................
§ 6. Электронно-дырочные переходы ..................................
§ 7. Обнаружение неравновесных носителей заряда.....................
§ 8. Амбиполярная диффузия и амбиполярный дрейф.....................
§ 9. Длины диффузии и дрейфа........................................
§ 10. п* — п- и р+ — р- переходы....................................
Глава VIII
ВЫПРЯМЛЕНИЕ И УСИЛЕНИЕ ПЕРЕМЕННЫХ ТОКОВ С ПОМОЩЬЮ р—«-ПЕРЕХОДОВ
§ 1. Статическая вольтамперная характеристика р —ге-перехода........
§ 2. р — «-переход при переменном напряжении .......................
§ 3. Туннельный эффект в р — n-переходах. Туннельные диоды..........
§ 4. Биполярный полупроводниковый триод.............................
§ 5. Гетеропереходы.................................................
Глава IX
СТАТИСТИКА РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК
§ 1. Различные типы процессов рекомбинации.......................
§ 2. Темп рекомбинации зона — зона..................................
§ 3. Время жизни при излучательной рекомбинации.....................
§ 4. Рекомбинация через примеси и дефекты...........................
§ 5. Нестационарные процессы.........................................
а. Монополярное возбуждение (307). б. Биполярное возбуждение (308)
§ 6. Стационарные состояния.........................................
§ 7. Многозарядные ловушки..........................................
205
207
209
210
213
216
218
220
222
226
232
236
239
243
244
247
250
255
258
261
264
268
271
274
277
282
285
289
294
295
298
303
307
310
314
6
ОГЛАВЛЕНИЕ
Глава X
ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ
§ 1. Происхождение поверхностных состояний........................... 317
§ 2. Влияние поверхностного потенциала на электропроводность .... 322
§ 3. Эффект поля..................................................... 325
§ 4. Некоторые эффекты, связанные с поверхностными состояниями .... 332
§ 5. Скорость поверхностной рекомбинации............................. 335
§ 6. Влияние поверхностной рекомбинации на фотопроводимость.......... 338
а. Стационарная фотопроводимость при объемной однородной генерации (338). б. Стационарная фотопроводимость при поверхностной генерации (340).
§ 7. Затухание фотопроводимости в тонких пластинках и нитевидных
образцах........................................................ 341
§ 8. Зависимость поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала ............................................................. 343
§ 9. Ток насыщения диодов............................................ 345
Глава XI
ФОТОЭЛЕКТРОДВИЖУЩИЕ СИЛЫ
§ 1. Роль неосновных носителей.................................... 347
§ 2. Фотоэдс в однородных полупроводниках ........................ 350
§ 3. Объемная фотоэдс............................................. 351
§ 4. Вентильная фотоэдс........................................... 355
§ 5. Вентильные фотоэлементы...........•. . . .................... 359
§ 6. Поверхностная фотоэдс........................................ 365
§ 7. Фотоэлектромагнитный эффект.................................. 366
Глава XII
