Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.
Скачать (прямая ссылка):
К главе XIX
1. И. М. Лифшиц, УФН 83 , 617 (1964); ЖЭТФ 53, 743 (1967).
2. В. Л. Бонч-Бруевич, Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников (в кн. «Итоги науки. Физика твердого тела» под ред. С. В. Тяб-ликова, ВИНИТИ, М., 1965).
3. В. И. Фистуль, Сильно легированные полупроводники, «Наука», М., 1967.
4. М. А. Афромович, Д. Редфилд, Труды IX Межд. конф. по физике полупроводников, «Наука», Л., 1969, т. I, стр. 103.
5. В. Л. Бонч-Бруевич, Квазиклассическая теория движения частиц в случайном поле (в кн. «Статистическая физика и квантовая теория поля» под ред. Н. Н. Боголюбова, «Наука», М., 1973).
6. Н. Мотт, Э. Дэвис, Электронные процессы в некристаллических веществах, «Мир», М., 1974.
7. Н. Мотт, Электроны в неупорядоченных структурах, «Мир», М., 1969.
8. В. А. Алексеев, А. А. Андрерв, В. Я. Прохоренко, Электрические свойства жидких металлов и полупроводников, УФН 106, вып. 3, 393 (1972).
ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
а — постоянная решетки (в кубическом кристалле); совокупность номера атома в элементарной ячейке и координат центра тяжести ячейки. ав — боровский радиус в кристалле, а!, а2, а3 — основные векторы решетки.
55 — вектор магнитной индукции.
bj, К, Ь3 •— основные векторы обратной решетки.
с — скорость света в вакууме.
Cs — фазовая скорость звуковых волн. й) — вектор электрической индукции.
D — коэффициент амбиполярной диффузии.
Е (р, I) — энергия носителя заряда, зависящая от квазиимпульса р и номера зоны I.
Ес — энергия дна зоны проводимости.
Ev ¦— энергия потолка валентной зоны.
Eg — ширина запрещенной зоны.
Е — собственные значения энергии электрона.
Ев — боровская энергия в кристалле, g — вектор напряженности электрического поля. е — абсолютная величина заряда электрона.
F — ? — еф — уровень Ферми (электрохимический потенциал).
Fn tp> — квазиуровень Ферми для электронов (дырок).
/ — функция распределения электронов; совокупность номера ветви и квази-волнового вектора фонона. fo — функция Ферми.
Bmp) — темп внешней генерации свободных электронов (дырок).
Н — оператор энергии (гамильтониан), й — постоянная Планка, деленная на 2л.
I — плотность потока энергии.
/ — интенсивность света.
i — сила тока.
j — вектор плотности конвекционного тока.
ЗС — вектор напряженности магнитного поля, к — квазиволновой вектор электрона. k — постоянная Больцмана; координационное число.
I — длина свободного пробега; номер энергетической зоны.
Ld — длина экранирования Дебая.
Lb — длина экранирования в общем случае; толщина слоя объемного заряда в контакте или у поверхности полупроводника.
L = УЪх —длина диффузии.
I (§) — длина затягивания неравновесных носителей заряда в электрическом поле.
т0 — масса изолированного электрона. тп (р) — скалярная эффективная масса электрона (дырки). тсф — компоненты тензора обратной эффективной массы. тл — эффективная масса для движения вдоль оси вращения эллипсоида энергии.
ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
671
Ш | — эффективная масса для движения перпендикулярно оси вращения эллипсоида энергии.
тп(1, тра — эффективная масса плотное™ состояний для электронов, дырок. та = mopt — эффективная масса электропроводности, оптическая эффективная масса.
М ь — масса /i-го атома решетки.
М — масса элементарной ячейки.
п — концентрация свободных электронов; совокупность чисел nf со всеми значениями f.
Nf — концентрация примеси (любой).
Na — концентрация доноров.
П( — концентрация связанных электронов на акцепторных уровнях. пх — характерная концентрация электронов.
nf — число фононов типа / (квантовое число гармонического осциллятора, соответствующего нормальному колебанию типа /).
Nc —эффективная плотность состояний в зоне проводимости (в валентной зоне).
Nc (v, (Е) — плотность состояний в зоне проводимости (в валентной зоне). ?Р — вектор поляризации, р — квазиимпульс электрона. р — концентрация свободных дырок.
pt — концентрация связанных дырок на донорных уровнях. р1 — характерная концентрация дырок.
Q — количество тепла.
Q — вектор смещения, q — волновой вектор фонона.
R — постоянная Холла.
Ra — тройка координат а-го атома решетки, г — тройка координат электрона.
гп — темп захвата электронов из зоны на локальные уровни, г„ — темп захвата дырок из зоны на локальные уровни.
Rn= rn—g!lT —суммарный темп рекомбинации электронов.
Rp — Гр — gpT — суммарный темп рекомбинации дырок, г — число атомов в элементарной ячейке; показатель степени в зависимости времени релаксации от энергии. г„ — радиус экранирорания.
S — энтропия; поверхность; безразмерная скорость поверхностной рекомбинации.
— компоненты тензора механического напряжения.
Sn, Sp—эффективное сечение захвата электронов, дырок на локальные уровни.
