Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.
Физика полупроводников
Автор: Бонч-Бруевич В.Л.Другие авторы: Калашников С.Г.
Издательство: Москва
Год издания: 1977
Страницы: 678
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295
Скачать:
В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие 10
Глава I
НЕКОТОРЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
§ 1. Кинетические явления в полупроводниках 13
а. Электропроводность (13).
б. Эффект Холла (15).
в. Изменение сопротивления в магнитном поле (17).
г. Термоэдс (18).
д. Эффект Томсона (19).
е. Эффект Пельтье (20).
ж. Эффект Нернста—Эттингсгаузена (21).
з. Эффект Риги—Ледюка (22).
и. Продольные термомагнитные эффекты (23).
§ 2. Время релаксации 23
§ 3. Элементарная теория гальваномагнитных явлений 25
а. Тензор электропроводности в магнитном поле (25).
б. Угол Холла и постоянная Холла (28).
в. Магнетосопротивление (30).
§ 4. Смешанная проводимость 32
а. Эффект Холла (32).
б. Магнетосопротивление (35).
§ 5. Некоторые экспериментальные результаты 35
а. Электронная и дырочная проводимость (35).
б. Собственная и примесная проводимость (36).
в. Запрещенная энергетическая зона (40).
г. Удельная электропроводность (42).
д. Подвижности (43).
е. Собственная концентрация электронов (45).
ж. Магнетосопротивление (47).
Глава II
ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§ 1. Кристаллические решетки 50
§ 2. Электронная конфигурация атомов 53
§ 3. Типы химической связи 56
а. Ионная связь (57).
б. Гомеополярная связь (57).
в. Ван-дер-ваальсовская связь (60).
§ 4. Строение некоторых полупроводниковых кристаллов 60
а. Ионные кристаллы (60).
б. Гомеополярные кристаллы (61).
в. Кристаллы со смешанными связями (62).
§ 5. Некристаллические полупроводники 64
а. Аморфные полупроводники (64).
б. Жидкие полупроводники (65).
в. Стеклообразные полупроводники (68).
§ 6. Запрещенная зона энергий 69
§ 7. Полупроводниковые свойства и химическая связь 70
§ 8. Полупроводники с малой подвижностью 71
§ 9. Примесные атомы 73
§10. Вакансии и междоузельные атомы 78
§ 11. Дислокации 81
Глава Ш
ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
I. ИДЕАЛЬНАЯ РЕШЕТКА
§ 1. Основные предположения 87
§ 2. Волновая функция электрона в периодическом поле 89
§ 3. Зоны Бриллюэна 94
§ 4. Энергетические зоны 100
§ 5. Метод сильно связанных электронов 103
§ 6. Закон дисперсии. Изоэнергетические поверхности 112
§ 7. Металлы и полупроводники 114
§ 8. Эффективная масса 116
§ 9. Зонная структура некоторых полупроводников 122
Глава IV
ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
II. КРИСТАЛЛЫ ВО ВНЕШНИХ ПОЛЯХ. НЕИДЕАЛЬНЫЕ КРИСТАЛЛЫ
§ 1. Средние значения скорости и ускорения электрона в кристаллической 129 решетке
§ 2. Электроны и дырки 133
§ 3. Движение носителей заряда в постоянном и однородном магнитном 137 поле (классическая теория). Диамагнитный резонанс
§ 4. Метод эффективной массы 145
§ 5. Энергетический спектр носителя заряда в постоянном и однородном 149 магнитном поле (квантовая теория)
§ 6. Движение и энергетический спектр носителей заряда в постоянном 154
электрическом поле
§ 7. Мелкие примесные уровни в гомеополярном кристалле 160
Глава V
СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ §1. Введение 167
§ 2. Распределение квантовых состояний в зонах 168
§ 3. Распределение Ферми — Дирака 169
§ 4. Концентрации электронов и дырок в зонах 170
§ 5. Невырожденные полупроводники
§ 6. Случай сильного вырождения
§ 7. Эффективная масса плотности состояний
§ 8. Плотность состояний в квантующем магнитном поле
§ 9. Концентрации электронов и дырок на локальных уровнях. Простые
центры
§10. Многозарядные центры §11. Распределение. Гиббса §12. Частные случаи
§13. Определение положения уровня Ферми
§ 14. Уровень Ферми в собственном полупроводнике
