Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бонч-Бруевич В.Л. -> "Физика полупроводников " -> 295

Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.

Бонч-Бруевич В.Л. , Калашников С.Г. Физика полупроводников — Москва, 1977. — 678 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikov1977.djvu
Предыдущая << 1 .. 289 290 291 292 293 294 < 295 >


§ 1. Три вопроса к зонной теории..................................... 547

§ 2. Адиабатическое приближение...................................... 548

$ 3. Приближение малых колебаний..................................... 552

§ 4. Роль колебаний решетки. Полярон................................. 553

§ 5. Метод самосогласованного поля................................... 556

§ 6. Электроны и дырки как элементарные возбуждения многоэлектронной системы в полупроводнике.......................................... 560

§ 7. Экситон......................................................... 563

а. Решения, принадлежащие непрерывному спектру (565). б. Решения, принадлежащие дискретному спектру (565).

§ 8. Мелкие локальные уровни при учете экранирования примесных

центров ......................................................... 567

§ 9. Механизмы рекомбинации.......................................... 569

Глава XVIII ОПТИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

§ 1. Поглощение и испускание света полупроводниками. Феноменологические соотношения .................................................... 576

а. Непоглощающая среда (579). б. Слабое поглощение волны достаточно большой частоты (580).

§ 2. Механизмы поглощения ........................................... 581

§ 3. Поглощение и отражение электромагнитных волн газом свободных

носителей заряда .................................г.............. 583

§ 4. Коэффициенты поглощения и излучения при оптических переходах

зона — зона................................................... 587

§ 5. Прямые и непрямые переходы ..................................... 591

§ 6. Полупроводниковые лазеры..................................... 594

§ 7. Коэффициенты поглощения при прямых переходах. Комбинированная

плотность состояний........................................... 599

§ 8. Критические точки............................................ 604

§ 9. Непрямые переходы ...............................•.............. 610

« 10. Электрооптика.................................................. 613

§11. Модуляционная спектроскопия..................................... 614

§ 12. Магнетооптика.................................................. 615

а. Магнетоплазменные эффекты (615). б. Междузонные переходы в квантующем магнитном поле (616).

Глава XIX СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

§ 1. Примесные уровни и примесные зоны............................ 617

§ 2. Особенности сильно легированных полупроводников.............. 620

§ 3. Иерархия энергий............................................. 626

§ 4. Плотность состояний.......................................... 628

§ 5. Хвост плотности состояний.................................... 632

§ 6. Междузонные оптические переходы в сильно легированных полупроводниках 635

§ 7. Некристаллические полупроводники ............................ 639
ОГЛАВЛЕНИЕ

9.

ПРИЛОЖЕНИЯ

I. К доказательству теоремы Блоха................................... 643

II. Интегралы с функциями Блоха...................................... 644

Ш. Таблица значений интеграла Ф>/................................... 646

IV. Дельта-функция................................................... 647

V. Рекомбинация через многозарядные ловушки......................... 648

VI. Интеграл поверхностной проводимости.............................. 650

VII. Диффузия неравновесных носителей заряда в магнитном поле .... 652

VIII. Вычисление суммы (XII. 2.6)...................................... 655

IX. Вывод условия ортогональности (XII.2.11)......................... 655

X. Переход от суммирования по дискретным компонентам квазиимпульса к интегрированию................................................ 656

XI. Гамильтониан взаимодействия электронов с акустическими фононами .................................................................. 657

XII. Потенциал заряженного центра при учете экранирования свободными носителями заряда................................................. 659

XIII. Усреднение по координатам примесных атомов....................... 66)

XIV. Теорема об интеграле от периодической функции.................... 664

XV. Интегралы с функцией Ферми в условиях сильного вырождения 664

Литература............................................................. 666

Основные обозначения................................................... 670
Предыдущая << 1 .. 289 290 291 292 293 294 < 295 >

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed