Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.
Скачать (прямая ссылка):
-j- СО -J-CO
h.— S f Оч) dr\)=— 1, § г]/' (r)) с/т] = 0,
— СО — со
так как /J есть четная функция г), и, наконец,
4* со СО
С г)2 dr) 0 rfc" Ti dr\
J (1 +е-П) (1 +еП) - J(i + e-ri)a-
— со О
(-1)* (к+1Г
k = 0 О к —О
Сумма последнего ряда составляет ц2/12 [1]. Таким образом,
jz3 = — п2/3
и
?= ~ ф (?)¦- J (АГ2) Ф” (?) + ... (П.XV.5)
В пренебрежении величиной порядка (kT/F)2 формула (П.XV.5) дает
? = —Ф(0. что и оправдывает выражение (XIII.7.17).
ЛИТЕРАТУРА
1. И. М. Рыжик. И. С. Градштейн, Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений, изд. 3, переработанное, стр. 21, Гостехиздат, М., 1951.
ЛИТЕРАТУРА
ОСНОВНАЯ ЛИТЕРАТУРА
Ml. Д. И. Блохинцев, Основы квантовой механики, «Наука», М., 1976.
М2. А. С. Давыдов, Квантовая механика, изд. 2, «Наука», М., 1973.
М3. А. А. Соколов, Ю. М. Лоскутов, И. М. Тернов, Квантовая механика, изд. 2, «Просвещение», М., 1965.
М4. Г. С. Жданов, Физика твердого тела, изд-во МГУ, М., 1961.
М5. Я. Е. Кочин, Векторное исчисление и начала тензорного исчисления, изд. 9, «Наука», М., 1965.
Мб. Г. Джонс, Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах, «Мир», М., 1968.
М7. А. II. Ансельм, Введение в теорию полупроводников, Физматгиз, М.—Л.,
1962.
М8. И. М. Цидильковский, Электроны и дырки в полупроводниках, «Наука», М., 1972.
М9. Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц, Статистическая физика (классическая и квантовая), изд. 3, «Наука», М., 1976.
М10. А. И. Ансельм, Основы статистической физики и термодинамики, «Наука», М., 1973.
МП. Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц, Механика сплошных сред, изд. 2, Физматгиз, М., 1963.
М12. И. Е. Тамм, Основы теории электричества, изд. 9, «Наука», М., 1976. М13. Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц, Электродинамика сплошных сред, Физматгиз, М., 1959.
К главе II
1. Ч. Коулсон, Валентность, «Мир», М., 1965.
2. Я. Momm, Р. Герни, Электронные процессы в ионных кристаллах, ИЛ, М., 1950.
3. А. Ф. Иоффе, А. Р. Регель, Некристаллические, аморфные и жидкие электронные полупроводники, Избранные труды А. Ф. Иоффе, т. 2, «Наука», М., 1975.
4. Я. Мотт, Э. Дэвис, Электронные процессы в некристаллических веществах, «Мир», М., 1974.
5. В. С. Вавилов, Действие излучений на полупроводники, Физматгиз, М.,
1963.
6. В. Т. Рид, Дислокации в кристаллах, ИЛ, М., 1957.
7. У. Бардсли, Влияние дислокаций на электрические свойства полупроводников, УФН 73, 121 (1961).
К главе III
1. В. И. Смирнов, Курс высшей математики, изд. 18, т. II, Физматгиз, М., 1961.
2. Д. Гильберт, Р. Курант, Методы математической физики, т. I, ГТТИ, М. 1933.
ЛИТЕРАТУРА
667
3. Дж. Займан, Вычисление блоховских функций, «Мир», М., 1973.
4. О. Маделунг, Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп, «Мир», М., 1967.
К главе IV
1. Дж. Займан, Принципы теории твердого тела, изд. 2, «Мир», М., 1974.
2. С. И. Пекар, Исследования по электронной теории ионных кристаллов, Гостехиздат, М., 1951.
3. «Туннельные явления в твердых телах» (сб. под ред. Э. Бурштейна и С. Лунд-квиста. Пер. с англ. под ред. В. И. Переля), гл. 6, «Мир», М., 1973.
4. К. Киттель, К. Митчелл (в сб. «Проблемы физики полупроводников»), ИЛ, М., 1957.
5. Дж. М. Латтиндокер, В. Кон, (в сб. «Проблемы физики полупроводников»), ИЛ, М., 1957.
6. А. И. Ансельм, Л. И. Коровин, ЖТФ 24, 8044 (1955).
К главе V
1. Дж. Блекмор, Статистика электронов в полупроводниках, «Мир», М., 1964.
К главе VI
1. Я. Мотт, Р. Герни, Электронные процессы в ионных кристаллах, ИЛ, М., 1950.
2. Г. Е. Пикус, Основы теории полупроводниковых приборов, «Наука», М.—Л., 1965.
3. А. Роуз, Основы теории фотопроводимости, «Мир», М., 1966.
4. М. Ламперт, П. Марк, Инжекционные токи в твердых телах, «Мир», М., 1973.
5. А. Милне, Д. Фойхт, Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник, «Мир», М., 1975.
К главе VII
1. С. М. Рывкин, Фотоэлектрические явления в полупроводниках, Физматгиз, М., 1963.
2. В. С. Вавилов, Действие излучений на полупроводники, Физматгиз, М.,
