Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.
Скачать (прямая ссылка):
Глава II
ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§ 1. Кристаллические решетки........................................ 50
§ 2. Электронная конфигурация атомов................................ 53
§ 3. Типы химической связи.......................................... 56
а. Ионная связь (57). б. Гомеополярная связь (57). в. Ван-дер-ва-альсовская связь (60).
§ 4. Строение некоторых полупроводниковых кристаллов.............. 60
а. Ионные кристаллы (60). б. Гомеополярные кристаллы (61).
в. Кристаллы со смешанными связями (62).
§ 5. Некристаллические полупроводники .............................. 64
а. Аморфные полупроводники (64). б. Жидкие полупроводники (65).
в. Стеклообразные полупроводники (68).
§ 6. Запрещенная зона энергий....................................... 69
§ 7. Полупроводниковые свойства и химическая связь.................. 70
§ 8. Полупроводники с малой подвижностью............................ 71
§ 9. Примесные атомы................................................ 73
§ 10. Вакансии и междоузельные атомы................................ 78
§11. Дислокации..................................................... 81
Глава III
ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
1. ИДЕАЛЬНАЯ РЕШЕТКА
§ 1. Основные предположения ........................................ 87
§ 2. Волновая функция электрона в периодическом поле................ 89
§ 3. Зоны Бриллюэна................................................... 94
§ 4. Энергетические зоны............................................ 100
§ 5. Метод сильно связанных электронов.............................. 103
§6. Закон дисперсии. Изоэнергетические поверхности ................... . 112
§ 7. Металлы и полупроводники....................................... 114
§ 8. Эффективная масса........................................ 116
§ 9. Зонная структура некоторых полупроводников...................... 122
Глава IV
ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Н. КРИСТАЛЛЫ ВО ВНЕШНИХ ПОЛЯХ. НЕИДЕАЛЬНЫЕ КРИСТАЛЛЫ
§ 1. Средние значения скорости и ускорения электрона в кристаллической решетке 129
§ 2. Электроны и дырки.............................................. 133
§ 3. Движение носителей заряда в постоянном и однородном магнитном
поле (классическая теория). Диамагнитный резонанс.............. 137
§ 4. Метод эффективной массы........................................ 145
§ 5. Энергетический спектр носителя заряда в постоянном и однородном
магнитном поле (квантовая теория).............................. 149
§ 6. Движение и энергетический спектр носителей заряда в постоянном
электрическом поле............................................. 154
§ 7. Мелкие примесные уровни в гомеополярном кристалле.............. 160
Глава V
СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§ 1. Введение........................................................ 167
§ 2. Распределение квантовых состояний в зонах....................... 168
§ 3. Распределение Ферми —Дирака..................................... 169
§ 4. Концентрации электронов и дырок в зонах......................... 170
§ 5. Невырожденные полупроводники.................................... 172
§ 6. Случай сильного вырождения...................................... 174
§ 7. Эффективная масса плотности состояний........................... 175
§ 8. Плотность состояний в квантующем магнитном поле................. 179
§ 9. Концентрации электронов и дырок на локальных уровнях. Простые
центры........................................................... 181
§ 10. Многозарядные центры ........................................... 185
§11. Распределение . Гиббса........................................... 186
§ 12. Частные случаи.................................................. 189
§ 13. Определение положения уровня Ферми.............................. 191
§ 14. Уровень Ферми в собственном полупроводнике...................... 193
§ 15. Полупроводник с примесью одного типа............................ 194
§ 16. Взаимная компенсация доноров и акцепторов....................... 195
§ 17. Компенсированные полупроводники................................. 197
§ 18. Определение энергетических уровней примесных атомов............. 199
а. Многозарядные акцепторы в полупроводнике п-типа (199). б. Многозарядные акцепторы в полупроводнике р-типа (201). в. Многозарядные доноры в полупроводнике п-типа (202). г. Многозарядные доноры в полупроводнике р-типа (202).
ОГЛАВЛЕНИЕ
5
Глава VI