Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бонч-Бруевич В.Л. -> "Физика полупроводников " -> 292

Физика полупроводников - Бонч-Бруевич В.Л.

Бонч-Бруевич В.Л. , Калашников С.Г. Физика полупроводников — Москва, 1977. — 678 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikov1977.djvu
Предыдущая << 1 .. 286 287 288 289 290 291 < 292 > 293 294 .. 295 >> Следующая


Глава II

ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

§ 1. Кристаллические решетки........................................ 50

§ 2. Электронная конфигурация атомов................................ 53

§ 3. Типы химической связи.......................................... 56

а. Ионная связь (57). б. Гомеополярная связь (57). в. Ван-дер-ва-альсовская связь (60).

§ 4. Строение некоторых полупроводниковых кристаллов.............. 60

а. Ионные кристаллы (60). б. Гомеополярные кристаллы (61).

в. Кристаллы со смешанными связями (62).

§ 5. Некристаллические полупроводники .............................. 64

а. Аморфные полупроводники (64). б. Жидкие полупроводники (65).

в. Стеклообразные полупроводники (68).

§ 6. Запрещенная зона энергий....................................... 69

§ 7. Полупроводниковые свойства и химическая связь.................. 70

§ 8. Полупроводники с малой подвижностью............................ 71

§ 9. Примесные атомы................................................ 73

§ 10. Вакансии и междоузельные атомы................................ 78

§11. Дислокации..................................................... 81
Глава III

ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

1. ИДЕАЛЬНАЯ РЕШЕТКА

§ 1. Основные предположения ........................................ 87

§ 2. Волновая функция электрона в периодическом поле................ 89

§ 3. Зоны Бриллюэна................................................... 94

§ 4. Энергетические зоны............................................ 100

§ 5. Метод сильно связанных электронов.............................. 103

§6. Закон дисперсии. Изоэнергетические поверхности ................... . 112

§ 7. Металлы и полупроводники....................................... 114

§ 8. Эффективная масса........................................ 116

§ 9. Зонная структура некоторых полупроводников...................... 122

Глава IV

ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Н. КРИСТАЛЛЫ ВО ВНЕШНИХ ПОЛЯХ. НЕИДЕАЛЬНЫЕ КРИСТАЛЛЫ

§ 1. Средние значения скорости и ускорения электрона в кристаллической решетке 129

§ 2. Электроны и дырки.............................................. 133

§ 3. Движение носителей заряда в постоянном и однородном магнитном

поле (классическая теория). Диамагнитный резонанс.............. 137

§ 4. Метод эффективной массы........................................ 145

§ 5. Энергетический спектр носителя заряда в постоянном и однородном

магнитном поле (квантовая теория).............................. 149

§ 6. Движение и энергетический спектр носителей заряда в постоянном

электрическом поле............................................. 154

§ 7. Мелкие примесные уровни в гомеополярном кристалле.............. 160

Глава V

СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

§ 1. Введение........................................................ 167

§ 2. Распределение квантовых состояний в зонах....................... 168

§ 3. Распределение Ферми —Дирака..................................... 169

§ 4. Концентрации электронов и дырок в зонах......................... 170

§ 5. Невырожденные полупроводники.................................... 172

§ 6. Случай сильного вырождения...................................... 174

§ 7. Эффективная масса плотности состояний........................... 175

§ 8. Плотность состояний в квантующем магнитном поле................. 179

§ 9. Концентрации электронов и дырок на локальных уровнях. Простые

центры........................................................... 181

§ 10. Многозарядные центры ........................................... 185

§11. Распределение . Гиббса........................................... 186

§ 12. Частные случаи.................................................. 189

§ 13. Определение положения уровня Ферми.............................. 191

§ 14. Уровень Ферми в собственном полупроводнике...................... 193

§ 15. Полупроводник с примесью одного типа............................ 194

§ 16. Взаимная компенсация доноров и акцепторов....................... 195

§ 17. Компенсированные полупроводники................................. 197

§ 18. Определение энергетических уровней примесных атомов............. 199

а. Многозарядные акцепторы в полупроводнике п-типа (199). б. Многозарядные акцепторы в полупроводнике р-типа (201). в. Многозарядные доноры в полупроводнике п-типа (202). г. Многозарядные доноры в полупроводнике р-типа (202).
ОГЛАВЛЕНИЕ

5

Глава VI
Предыдущая << 1 .. 286 287 288 289 290 291 < 292 > 293 294 .. 295 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed