Введение в теорию полупроводников - Ансельм А.И.
Скачать (прямая ссылка):
§ 8. Свойства p—n-переходов 387
§ 9. Генерация и рекомбинация носителей тока. Квазиуровни Ферми 394
Глава VII. Оптика полупроводников 398
§ 1. Дисперсионные соотношения Крамерса—Кронига 398
§ 2. Межзонное поглощение света, связанное с прямыми переходами 403
§ 3. Межзонные непрямые переходы 417
§ 4. Поглощение света в полупроводниках свободными носителями 426
§ 5. Поляритоны 428
§ 6. Эффект вращения Фарадея 432
§ 7. Теория межзонного поглощения света в квантующем магнитном поле 436
§ 8. Поглощение света в полупроводниках в однородном электрическом 445
поле (эффект Франца—Келдыша)
Глава VIII. Кинетическое уравнение и время релаксации для электронов 454
проводимости в кристаллах
§ 1. Явления переноса и кинетическое уравнение Больцмана 454
§ 2. Кинетическое уравнение для электронов в кристалле 463
§ 3. Рассеяние электронов на акустических колебаниях решетки 467
§ 4. Время релаксации электронов проводимости в атомном 471
полупроводнике и металле
§ 5. Теория деформационного потенциала в кубических кристаллах с 476
простой зонной структурой
§ 6. Рассеяние электронов проводимости в ионных кристаллах на 481
колебаниях решетки
§ 7. Рассеяние электронов проводимости на заряженных и нейтральных 488 атомах примесей
Глава IX. Кинетические процессы (явления переноса) в полупроводниках 494
§ 1. Введение 494
§ 2, Определение неравновесной функции для электронов проводимости в 497
случае сферически-симметричной зоны
§ 3. Электропроводность невырожденных полупроводников с простой 502 зонной структурой
§ 4. Термоэлектрические явления в невырожденных полупроводниках с 506 простой зонной структурой § 5. Гальваномагнитные явления в невырожденных полупроводниках с 513
простой зонной структурой § 6. Термомагнитные явления в невырожденных полупроводниках с 520
простой зонной структурой § 7. Явления переноса в полупроводниках с простой зоной при 527
произвольном вырождении § 8. Явления переноса в полупроводниках типа германия и кремния 533
§ 9. Явления переноса в полупроводниках со сферической 553
непараболической зоной § 10. Эффект «фононного увлечения» в полупроводниках 557
§ 11. Квантовая теория гальвано- и термомагнитных явлений в 565
полупроводниках,
Приложения 574 ИЗ ПРЕДИСЛОВИЯ К ПЕРВОМУ ИЗДАНИЮ
Настоящая книга предназначается в первую очередь для лиц, занятых экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Она, вероятно, окажется полезной и для студентов физических специальностей.
Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (прохождению тока).
Для чтения книги требуется знакомство с математикой, квантовой механикой и статистической физикой в объеме программ физического факультета университета или физико-математического факультета политехнического института. При этом не обязательно детальное знакомство с этими курсами, но предполагается, что читатель способен разобраться в соответствующих параграфах учебных книг, если на них делается ссылка.
Особенностью книги является то, что в ней на основе этих простейших сведений все формулы выводятся и, как я надеюсь, достаточно подробно для того, чтобы сделать ее доступной указанному выше кругу лиц.
Некоторые математические выводы, более сложные и менее связанные с основным текстом, приведены в конце книги в приложениях.
Естественно, что подробный вывод основных соотношений при ограниченном объеме книги заставил отказаться от изложения ряда важных вопросов и от подробного сравнения теории с экспериментом.
Книга эта мною посвящена светлой памяти Абрама Федоровича Иоффе, по инициативе которого она была написана.
Выражаю искреннюю признательность редактору Г. Е. Пи-кусу за многочисленные замечания, во многом способствовавшие улучшению книги. Посвящается памяти Абрама Федоровича ИОФФЕ
ПРЕДИСЛОВИЕ КО ВТОРОМУ ИЗДАНИЮ
В новом издании книга выходит в значительно дополненном и переработанном виде.
Однако общие цели и предназначение книги остались прежними. Как и 1-е издание, 2-е адресовано в основном тому же кругу читателей — студентам физических специальностей и физикам-экспериментаторам. Эго и определяет уровень знаний, необходимый для чтения книги.
Для 2-го издания написаны две новые главы: Элементы теории групп и симметрия кристаллов (гл. II) и оптика полупроводников (гл. VII); кроме того, переработаны старые параграфы и добавлены новые: §§ 6—IO гл. III, §§ 8—14 гл. IV, § 1 гл. V, § 9 гл. VI, §6 гл. VIII, §§ 2—6, 9, 11 гл. IX и др.
При необозримо возросшем объеме современной физики твердого тела выбор дополнительно включенного материала естественно носил субъективный характер.
Я по-прежнему старался излагать материал так, чтобы «читатель получил некоторое удовольствие от чтения книги и от нашего желания не приводить его в длительное замешательство при фразе «легко может быть показано»» (из предисловия П. Т. Ландсберга к книге Solid State Theory./ ed. by P. Т. Landsberg,— London, 1969).
