Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Грибковский В.П. -> "Теория поглощения и испускания света в полупроводниках" -> 170

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.

Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках — М.: Наука и техника , 1975. — 464 c.
Скачать (прямая ссылка): teoriyapoglosheniyaiispuskaniya1975.djvu
Предыдущая << 1 .. 164 165 166 167 168 169 < 170 > 171 172 173 174 175 .. 176 >> Следующая

743. В. К. Конюхов, Л. А. Кулевский, А. М. Прохоров. Оптический генератор CdS при двухфотонном возбуждении рубиновым лазером. ДАН СССР, 164, 1012, 1965.
744. Н. Г. Б а с о в, А. 3. Г р а с ю к, И. Г. 3 у б а р е в, В. А. К а т у л и н. Генерация в CdS при двухфотонном оптическом возбуждении излучением ОКГ на рубине. ФТТ, 7, 3639, 1965.
745. R. J. Рh е I а п, Jr., R. Н. R е d i kе г. Optically pumped semiconductor laser. Appl. Phys. Lett., 6, 70, 1965.
746. I. Melngailis. Optically pumped InAs laser. IEEE J. Quant. Electron., 1, 104, 1965.
747. A. 3- Г расюк, В. Ф. E ф и м к о в, И. Г. 3 у б а р е в, В. А. К а т у-л и н, А. Н, М е н ц е р. Полупроводниковый квантовый генератор на CdSe с двухфотонным оптическим возбуждением. ФТТ, 8, 1953, 1966.
748. N. Н о 1 о п у a k, Jr., М. D. S i г к i s, G. Е. S t i 11 m a n, M. R. J о h n-son. Laser Operation of CdSe pumped with a Ga(AsP) laser diode. Proc. IEEE, 54, 1068, 1966.
749. М. С. Броди н, H. И. Витриховский, С. В. Закревский,
В. Я. Резниченко. Генерация на смешанных кристаллах CdSx— CdSei-x при возбуждении излучением рубинового ОКГ. ФТТ, 8, 3084, 1966.
750. М. С. Б р о д и н, С. В. 3 а к р е в с к и й, В. С. М а ш к е в и ч, В. Я-Резниченко. О механизме генерации лазерного излучения в кристаллах CdSx—CdSei_x при двухфотонном возбуждении. ФТП, 1,
595, 1967.
751. Исследование лазерной генерации кристаллов CdSx—CdSei_x при двухфотонном возбуждении. Квантовая электроника, № 3, 62. Киев, «Наукова думка», 1969.
752. L. Me 1 n g a I i s, A. J. S t г a u s s. Spontaneous and coherent photoluminescence in CdxHgi_xTe. Appl. Phys. Letters., 8, 179, 1966.
753. J. O. D i m m о с k, L. M e 1 n g a i 1 i s, A. J. S t r a u s s. Band structure and laser action in .PbxSni_xTe. Phys. Rev. Letters, 16, 1193, 1966.
754. S. R. С h i n n, J. A. R о s s i, С. M. W о 1 f e, A. M о о r a d i a n. Optically pumped room-temperature GaAs lasers. IEEE J. QE, 9, 294, 1973.
451
755. А.,Г, Акманов, В. С. Днепровский, А. И. Коврнзнн,
A. Н. Пенни. Генерация в ZnS при двухфотонном оптическом возбуждении излучением второй гармоники лазера на неодиме. ЖЭТФ,
53, 1293, 1967.
756. J. В i 11 е, Н. L i е b i п g, P. М е п g е 1, G. S с h е i b е г. Tunable laser emission of CdSxSe^x graded band gap crystals by twophoton excitation. Phys. Status Solidi (a), 12, K.91, 1972.
757. M. R. Johnson, N. Holonyak, Jr., M. D. S i г k i s, E. D. Boose. Volume excitation of an ultrathin continuous-wave CdSe at 6900 A output. Appl. Phys. Lett., 10, 281, 1967.
758. R. D. D u p u i s, N. H о 1 о n у a k, Jr., М. H. L e e, J. С. С a m p b e 11, M. G. С r a f о г d, D. F i n n, D. L. К e u n e. Laser operation of GaAS^xP*: N (x=0,37, 77 °K) on photopumped NH3 pair transitions. Appl. Phys. Lett., 22, 369, 1973.
759. П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Л. И. Михайлика. Спонтанная и когерентная фотолюминесценция фосфида индия. ФТП, 3, 945, 1969.
760. М. R. Jо h n s о п, N. Н о 1 о п у a k, Jr. Optically pumped thin-platelet semiconductor lasers. J. Appl. Phys., 39, 3977, 1968.
761. Б. И. С т e п а н о в, A. H. Рубинов, В. А. Мостовииков. Оптическая генерация в растворах сложных молекул. Письма ЖЭТФ, 5,
144, 1967.
762. Б. И. Степанов, А. Н. Рубинов. Оптические квантовые генераторы на растворах органических красителей. УФН, 95, 45, 1968.
763. М. М. Л о й к о, В. А. М о с т о в н и к о в, В. С. М о т к и н, А. Н. Р у-б и н о в, Оптический квантовый генератор на растворах органических красителей. ПТЭ, № 3, 198, 1972.
764. Б. В. Б о к у т ь, Н. С. К а з а к, А. Г. М а щ е н к о, В. А. М о с т о в-ников. Генерацня мощного излучения с перестройкой спектра в области 280—385 мм. Письма ЖЭТФ, 15, 26, 1972.
765. Н. А. Борисевич, Л. М. Болотько, В. В. Грузинский,
B. А. Толкачев. Генерация растворов кумаринов при возбуждении импульсной лампой. ЖПС, 14, 148, 1971.
766. Н. А. Борисевич, В. В. Грузинский. Генерация растворов органических соединений в ультрафиолетовой и коротковолновой видимой области спектра. Сб. «Квантовая электроника и лазерная спектроскопия». Минск, Ин-т физики АН БССР, 1971, стр. 81.
767. Н. Г. Б а с о в, А. 3. Г р а с ю к, В. Ф. Е ф и м к о в, В. А. К а т у л и н. Полупроводниковый квантовый генератор на -GaAs при оптическом возбуждении излучением с энергией квантов, близкой к ширине запрещенной зоны. ФТТ, 9, 88, 1967.
768. В. П. Грибковский. Насыщение поглощевня в полупроводниковых лазерах с оптической накачкой. ЖПС, 16, 627, 1972.
769. В. П. Грибковский, Г. Н. Моисеенко. О возможном механизме генерации тонких полупроводниковых пластин. ЖПС, 14, 713, 1971.
770. G. Е. S t i 11 m a n, М. D. Sirkis, J. A. Ro.ssi, M. R. Jonson, N. Holonyak, Jr. Volume excitation of an ultrathin singlemode CdSe laser. Appl. Phys. Lett., 9, 268, 1966.
771. N. H о 1 о n у a k, Jr., M. R. J о h n s о n, D. L. Keune. High transparency of thin platelet semiconductor lasers. IE?E J. Quant. Electron.,
4, 199, 1968.
772. H. Г. Басов, О. В. Б о г д а н к e в и ч, В. Д. Гончаров, Б. М. Лаврушнн, В. Ю. Сурзиковский. Полупроводниковый квантовый генератор на арсениде галлия с плоским резонатором. ДАН СССР, 168, 1283, 1966.
Предыдущая << 1 .. 164 165 166 167 168 169 < 170 > 171 172 173 174 175 .. 176 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed