Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
684. А. М. Самсон. Радиационный шум в твердотельных генераторах. В кн.: Методы расчета оптических квантовых генераторов, 2. Минск, «Наука и техника», 1968.
€85. В. К- К о н о и е н к о, В. П. Грибковский. Влияние радиационного шума на порог и мощность генерации иижекционного лазера. ФТП, 5, 1875, 1971.
686. R. Ulbrich, М. Н. Pilkuhn. Longitudinal photon flux distribution in low-Q semiconductor lasers. Appl. Phys. Lett., 16, 516, 1970.
687. М. H. Заргорьянц, И. А. Крыканов, С. И. Колоненкова,
3. И. Г у с е в а, Е. М. О р л о в. О суммировании мощности излучения инжекционных ОКТ. Радиотехника и электроника, 16, 447, 1971.
688. R. G г a i n g, Y. W. С г о v е. High average-power gallium arsenide illuminators. IEEE, J. QE, 6, 373, 1970.
689. О. H. П p о з о p о в, Л. А. Ривлин, С. Д. Я к у б о в и ч. Протяженный полупроводниковый квантовый генератор с излучающей решеткой. Письма ЖЭТФ, 12, 282, 1970.
690. О. Н. П р о з о р о в, Л. А. Ривлин, Н. В. Шелков, С. Д. Я к у-б о в и ч. Исследование многолучевого . полупроводникового лазера с излучающей решеткой. КЭ, 1, 169, 1974.
691. Г. И. Р я б ц е в, В. П. Грибковский, В. А. Самойлюкович. Экспериментальное исследование влияния радиационного шума на порог генерации инжекционных лазеров. ЖТФ, 45, 919, 1975.
<692. В. П. Грибковский, В. А. Самойлюкович, В. А. Андре и-ч е в. Инжекционный лазер с иепланарным р—n-переходом. ЖПС, 18,
140, 1973.
693. J. Н. С а г г а п, L. A. D’A s а г о, J. С. D у m е n t, G. J. Н е г s к о-
w i t z. GaAs lasers utilizing light propagation along curved junctions. IEEE J. Quant. Electron., 6, 367, 1970,
694. Оптические квантовые генераторы (лазеры). Библиограф, указатель отечеств, и зарубежн. литературы с 1958 по июнь 1963 г. М., «Наука»,
1964.
695. Оптические квантовые генераторы. Указатель отечеств, и иностран. литературы. Минск, АН БССР, 1965—1974.
696. А. М. Самсон. Нестационарная генерация. В кн.: Методы расчета оптических квантовых генераторов, 2. Минск, «Наука и техника», 1968.
697. Н. Г. Б а с о в, В. В. Никитин, А. С. Семенов. Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров. УФН, 97, 561, 1969.
698. И. С. М а н а к, В. А. Фигурин. Временные характеристики полупроводниковых источников излучения на основе GaAs. ЖПС, 15, 949,
1972.
448
699. В. К- К о н о н е н к о, В. П. Грибковский. Кинетика установления стационарного режима генерации инжекционных лазеров ФТП, 7, 653,
1973.
700. К. К о n n е г t h, С. Lanza. Delay between current pulse and light emission of a gallium arsenide injection laser. Appl. Phys. Letters, 4,
120, 1964.
701. Ю. А. Д p о ж б и н, Ю. П. 3 а х а р о в, В. В. Никитин, А. С. С е-м е н о в, В. А. Я к о в л е в. Исследование некоторых временных характеристик ПКГ на р—n-переходе GaAs. ФТП, 1, 1575, 1967.
702. J. С. D у m е n t, J. Е. Ripper. Temperature behavior of stimulated emission delays in GaAs diodes and a proposed trapping, model. IEEE J. QE, 4, 155, 1968.
703. J. E. Ripper. Time delays and Q-switching in junction lasers. I. Theory. IEEE J. Quant. Electron. 5, 391, 1969.
704. J. E. Ripper, J. C. D у m e n t. Time delays and Q-switching in junction laser. II. Computer calculation and comparison with experiments. IEEE, J. Quant. Electron., 5, 396, 1969.
705. E. A. Ulmer, Jr., I. Hayashi. Internal Q-switshing in GaAs— Ga^Al.-xAs heterostructure lasers. IEEE J. QE, 6, 297, 1970.
706. J. E. R i p p e r, J. A. R о s s i. Delays and Q Switching in Semiconductor Laser-still an Open Question IEEE J. Quant. Electron., 10, 435, 1974.
707. В. А. Г о p б ы л e в, Г. Т. П а к, А. И. Петров, H. П. Черноусое,
В. И. Ill в e й к и н, И. В. Я ш у м о в. Зависимость инжекционных лазеров от длительности импульса тока накачки. Сб. «Квантовая электроника», № 5. М., «Советское радио», 1971, стр. 97.
708. В. Д. К У р н о с о в, В. И. М а г а л я с, А. А. П л е ш к о в, Л. А. Р и в-л и н, В. Г. Т р у х а н, В. В. Ц в е т к о в. Автомодуляция излучения инжекцнонного полупроводникового квантового генератора. Письма ЖЭТФ, 4, 449, 1966.
709. Ю. П. 3 а х а р о в, И. К- К о м п а н е е ц, В. В. Н и к и т и н, А. С. С е-м е н о в. Исследование работы инжекцнонного ПКГ на GaAs в режиме пульсаций излучения. ФТП, 3, 864, 1969.
710. В. В. Н и к и т и н, А. С. С е м е н о в, В. П. С т р а х о в. Исследование пульсаций излучения инжекцнонного лазера на GaAs в непрерывном режиме генерации. Письма ЖЭТФ, 9, 516, 1969.
711. Л. Н. К У р б а т о в, В. И. Мол оч ев, В. В. Н и к и т и н, А. И. III а-р и н. Временные характеристики в лазерах с двойным гетеропереходом. Сб. «Квантовая электроника», № 6. М., «Советское радно», 1971, стр. 110.
712. М. J. A d а m s. A theory of oscillations in the output of GaAs junction lasers. Phys. Stat. Sol. (a), 1, 143, 1970.
713. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Мань к о, Чань Минь Т х а й. О влиянии составного резонатора на когерентность излучения инжекцнонного ПКГ. Краткие собрания по физике ФИАН, № 9, 60,
1971.
714. А. П. Б о г а т о в, П. Г. Е л и с е е в, Л. П. И в а н о в, А. С. Л о г и-нов, К- Я- Сенаторов. О кинетике спектра излучения инжекцион-ного лазера с односторонним гетеропереходом. Сб. «Квантовая электроника», № 5, i( 17). М., «Советское радио», 1973, стр. 14.
