Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Грибковский В.П. -> "Теория поглощения и испускания света в полупроводниках" -> 175

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.

Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках — М.: Наука и техника , 1975. — 464 c.
Скачать (прямая ссылка): teoriyapoglosheniyaiispuskaniya1975.djvu
Предыдущая << 1 .. 169 170 171 172 173 174 < 175 > 176 >> Следующая

§ 14. Просветление полупроводников на частоте возбуждающего света 226
Модель двух дискретных уровнен (226). Модель параболических зон с правилом отбора по волновому вектору (229). Модель параболических зои без правил отбора по волновому вектору (236). Модель гауссовых примесных зон (238). Влияние легирующих примесей иа характер зависимости коэффициента поглощения от накачки (240). Насыщения поглощения в условиях рекомбинации Оже (246).
§ 15. Деформация спектров поглощения и люминесценции. *
Насыщение усиления . ...........................251
Однородное и неоднородное ушнреиие спектральных линий (251). Начальный этап изменения спектров поглощения и люминесценции (253). Пределы деформации спектров поглощения и люминесценции (254). Общие закономерности насыщения усиления (258). Насыщение усиления в двухуровневой схеме (259).
§ 16. Двухфотонное поглощение..................................261
Коэффициент двухфотонного поглощения (261). Условия экспериментального наблюдения двухфотонного поглощения (267). Фотолюминесценция и фотопроводимость при двухфотонном возбуждении (269). Прохождение ультракоротких импульсов света через полупроводниковые кристаллы (271).
§ 17. Насыщение поглощения в конечных объемах вещества 273
Зависимость пропускания плоскопараллельиых пластин от интенсивности света (273). Экспериментальные методы обнаружения эффектов насыщения (279).
Расчет функции K(S) на основании экспериментальных данных (282). Условие равномерного возбуждения просветляющегося цилиндрического стержня (283).
§ 18. Экситон-экситонное взаимодействие при низких температурах ......................................................285
Появление новых линий излучения (285). Экситонные молекулы (287). Экситои-ная жидкость (291). Бозе-эйнштейиовская конденсация экситонов и экситонных молекул (296). Многообразие форм коллективного взаимодействия носителей (298).
Глава IV. Полупроводниковые лазеры.....................300
§ 19. Исходные положения квантовой электроники . . . 300
Возникновение новой иауки (300). Активные среды (301). Способы накачкн (303). Оптические резонаторь| (304). Энергетическое и интерференционное условия получения генерации (306). Генерация по трехуровневой н четырехуровневой схемам (309). Влияние резонатора на поглощение света и люминесценцию (313).
462
§ 20. Зависимость порогового тока от спектроскопических характеристик вещества и параметров резонатора
Активный слой инжекционных гомо- и гетеролазеров (316). Соотношение между пороговым током, мощностью и квантовым выходом люминесценции (321). Зависимость порога -генерации от толщины активного слоя (323). Зависимость порогового тока от коэффициента потерь в модели параболических зон (325). Ток инверсии и параметр /0 (328). Стимулированное испускание с участием хвостов зон и примесных зон (331). Поглощение излучения свободными носителями в активном слое (337). Температурная зависимость порогового тока для неоднородного активного слоя (339). Учет зависимости функции плотности состояний от уровня заполнения зон (339).
§ 21. Мощность и к.п.д. генерации лазерных диодов . . . 340
Рост люминесценции после преодоления порога (340). Внутренний квантовый
выход генерации (343). Оптимальный режим генерации (345). Экспериментальное определение лазерных параметров (350).
§ 22. Спектральные и пространственные характеристики генерируемого излучения...........................................354
Типы электромагнитных колебаний в оптическом резонаторе (354). Одномодовый и многомодовый режимы генерации (358) Экспериментальное определение спектра усиления активной среды на основании универсального соотношения (7.18) (363). Угол расходимости лазерного луча (365). Лазеры с распределенной обратной связью (369).
§ 23. Радиационный шум в лазерах..............................371
Люминесценция — неустранимый источник радиационного шума в лазерах (371). Коэффициент потерь радиации шума (374). Влияние шума на порог генерации (37'6). Рассеяние генерируемого излучения в активной среде (378). Иижекцион-пый лазер с непланарным р—«-переходом (379).
§ 24. Временные характеристики генерации.........................381
Динамические режимы работы лазеров (381). Время задержки генерации (383). Зависимость порогового тока от длительности возбуждающего импульса (387). Переходный режим генерации (388). Амплитудная и частотная автомодуляция излучения (391). Генерация ианосекундных импульсов излучения в режиме модулированной добротности ¦ (394). Генерация пикосекундных импульсов излучения в режиме самосинхронизации мод (395).
§ 25. Полупроводниковые лазеры с оптическим и электронным
возбуждением...............................................397
Особенности оптической накачки (397). Порог генерации с учетом насыщения поглощения возбуждающего света [768] (402). Мощность и к.п.д. генерации (405). Просветление пассивных областей пластинчатых лазеров [769] (407). Экситонный механизм генерации излучения (410). Возбуждение генерации пучком быстрых электронов (414).
Литература . Предметный указатель
Предыдущая << 1 .. 169 170 171 172 173 174 < 175 > 176 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed