Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
Экситон Френкеля 26, 78 Экситои-экситонное взаимодействие 285
Электронные характеристики р— я-перехода 318
Электроотрицательность атома 8, 9
Эмиссия электронов 191 Энергия донорно-акцепторных пар 163
— ионизации атома 8
— средства к электрону 8
— электроотрицательности 8 Энтропия поля 112
Эффект Бурштейна—Мосса 147— 149
— Допплера 125
— Келдыша—Франца 198, 199
— Штарка 200, 201
— Фогта 204
Эффекты насыщения 210, 226 -----методы обнаружения 279
Явление Фарадея 204 Ячейка Вигнера—Зейтца 11, 41
— простая 17
— элементарная 11
I»
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение ............................................................... 3
Глава I. Общая характеристика полупроводников .... 7
§ 1. Кристаллическая природа полупроводников .... 7
Типы полупроводников (7). Химическая связь в кристаллах (8). Прямая и обратная решетки (10). Классификация кристаллических решеток (14). Индексы Миллера (18). Определение ориентации кристаллов (20). Несовершенства в кристаллических структурах (23).
§ 2. Электронные состояния в твердых телах.......................26 .
Исходные положения зониой теории (26). Модель Зоммерфельда. Плотность состояний (28). Модель Кроиига и Пении. Энергетические зоны (32). Функции Блоха (38). Зоны Бриллюэна (40). Классификация электронных состояний (41). Эффективная масса (43). Дырки (45). Энергетические уровни примесей (46).
§ 3. Статистика электронов в полупроводниках .... 51
Функция Ферми—Дирака (51). Уровень Ферми в собственном невырожденном полупроводнике (53). Интегралы Ферми—Дирака (55). Произведение Поро (57).
Фактор спинового вырождения примесного уровня (58). Смещение уровня Ферми при легировании полупроводника (59). Классификация твердых тел на проводники, изоляторы и полупроводники (61).
§ 4. Колебания кристаллической решетки ...... 62
Температура Дебая (62). Колебания одномерной решетки, состоящей из одинаковых атомов (65). Линейная цепочка, состоящая из атомов двух сортов (68). Гармонические колебания трехмерной решетки (72). Фоноиы (75).
§ 5. Экситоны и поляроны.........................................77
Квазичастицы в твердых телах (77). Трансляционное и внутреннее движение экситонов большого радиуса (79). Поляроны (83).
Глава II. Основные механизмы взаимодействия света с полупроводниками ...........................................................85
Вводные замечания (85)
§ 6. Оптические переходы зона—зона...............................86
460
Скорости стимулированных и спонтанных переходов (86). Край полосы собственного поглощения (91). Скорость суммарной спонтанной рекомбинации (95).
§ 7. Люминесценция..............................................
Определение люминесценции Вавилова—Видемана (97). Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции (100). Отрицательная люминесценция (105). Линейная и квадратичная скорости люминесценции (107). Энергетический и квантовый выход люминесценции (109). Длительность люминесценции и времена жизни избыточных носителей (114). Поляризация излучения (118). Горячая люминесценция (121).
§ 8. Экситоиный механизм поглощения и испускания света
Специфика экситонных оптических переходов (124). Прямые оитические переходы свободных экситонов (126). Непрямые экситонные оптические переходы (130). Связанные экситоны (135). Светоэкснтоиы (поляритоны) (137). Неравновесное распределение экситонов по кинетической энергии (138). Кинетические уравнения (140). Правило Урбаха (144).
§ 9. Оптические переходы в примесном полупроводнике
Эффект Бурштейна—Мосса (147). Захват и эмиссия носителей заряда дефектами кристалла (150). Примесное краевое поглощение и испускание (157). Рекомбинация донорио-акцепториых пар (161).
§ 10. Поглощение инфракрасного излучения свободными носителями и кристаллической решеткой................................
Оптические переходы электронов и дырок в пределах одной зоны (подзоны) (167). Поглощение света при переходах между подзонами одной вырожденной зоны (172). Поглощение света кристаллической решеткой (175). Собственные колебания плазмы (178).
§ И. Безызлучательная рекомбинация..............................
Рекомбинация Оже (182). Поверхностная рекомбинация (191). Неоптпческне переходы в дефектах кристалла (192).
§ 12. Изменение оптических свойств полупроводников под действием внешних сил............................................
Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры (192). Влияние давления на зонную структуру (195). Эффект Келдыша—Франца (198). Эффект Штар-ха (200). Ионизация экситонов в электрическом поле (202). Магнетооптические явления (203). Модуляционная спектроскопия (206).
Глава III. Поглощение света и фотолюминесценция при интенсивном возбуждении....................................................
§ 13. Эффекты насыщения в системах с дискретными уровнями энергии .........................................................
.
Ограниченность законов линейной оптнкн (210). Общее решение системы стационарных кинетических уравнений (211). Параметры нелинейности (215). Насыщение поглощения изотропной, -линейно поляризованной и естественной радиации (218). Вынужденный дихроизм (220). Деполяризация люминесценции (221). Обобщение классической формулы Левшйна (222). Гармонический осциллятор -- уникальная модель вещества (223).
