Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
715. Ю. П. Захаров, В. А. К о в а л е н к о, В. Ф. Л и т в и н о в, В. Н. Морозов, В. В. Никитин, А. С. С е м е н о в, В. Л. Смирнов. Влияние пульсаций интенсивности излучения инжекцнонного лазера на спектр его генерации. Сб. «Квантовая электроника», № 4. М., «Советское радио», 1971, стр. 99.
716. К- Я- С е н а т о р о в, А. С. Л о г и н о в, Л. П. И в а н о в, Б. С. В в е-денский, В. В. Розанов. Модуляция излучения инжекцнонного лазера с двусторонним гетеропереходом. Квантовая электроника, 1,
160, 1974.
29. Зак. 312 449
717. Ю.'П.' Захаров, В. В. Н и к и т и н, В. Д. С а м о й л о в, А: В. У с-пенский, А. А Шеропов. Бистабильный режим работы ПКТ на GaAs. ФТП, 2, 750, 1968.
718. А. П. Б о г а т о в, П. Г. Е л и с е е в, В. И. П а н т е л е е в, Е. Г. III е в-ч е н к о. Сравнение мгновенного и усредненного спектров излучения инжекционного лазера в режиме самопроизводных пульсаций. Сб. «Квантовая электроника», № 5. М, «Советское радио», 1971, стр. 93.
719. N. С h i п о п е, R. 11 о. Spectral behaviors of spontaneously pulsing double-heterostructure injection lasers. J. Jap. Appl. Phys., B, 575, 1974.
720. Ю. П. Захаров, И.Н. Компанеец, В. В. H и к и т и н, А. С. С е-м е н о в. Синхронизация импульсов света, генерируемых полупроводниковым квантовым генератором на арсениде галлия. ЖЭТФ, 53, 1553,
1967.
721. Ю. А. Быковский, В. Л. Величанский, В. А. Маслов,
В. Л. Смирнов. Частотная модуляция полупроводникового лазера током инжекции. Сб. «Квантовая электроника», № 3. М, «Советское радио», 1971, стр. 90.
722. Н. Г. Басов, В. Н. Морозов, В. В. Никитин, А. С. Семенов. Исследование режима пульсаций излучения ПКГ на GaAs. ФТП, 1, 1570, 1967.
723. Ю. А. Дрожбин, Ю. П. Захаров, В. В. Н и к и т и н, А. С. Семенов, В. А. Яковлев. Генерация ультракоротких световых импульсов на полупроводниковом квантовом генераторе на GaAs. Письма ЖЭТФ, 5, 180, 1967.
724. Н. Г. Б а с о в, В. Н. М о р о з о в. О теории динамики инжекционных лазеров. ЖЭТФ, 57, 617, 1969.
725. Kobayashi К о hr oh. ’An analysis of -pulsation in coupledcavity structure semiconductor lasers. IEEE J. Quant. Electron, 9, 449, 1973.
726. В. Д. Курносов, А. Т. Семенов. Двухрезонаторный инжекцион-ный лазер с сильной оптической связью. Квантовая электроника, 1,
35, 1974.
727. Р. Г. Аллахвердян, В. Н. Морозов, А. Н. Ораевский,
А. Ф. Сучков. Влияние нелинейности показателя преломления на динамику излучения полупроводниковых лазеров. Сб. «Квантовая электроника», № 6. М, «Советское радио», 1971, стр. 53.
728. Р. Г. Аллахвердян, А. Н. Ораевский, А. Ф. Сучков. Динамика излучения полупроводниковых лазеров с показателем преломления, зависящим от интенсивности излучения. Журнал техн. физ, 43, 1024, 1973.
729. В. Н. М о р о з о в. К теории многомодовой генерации в полупроводниковых лазерах. Квантовая электроника, I, 634, 1974,
730. Б. Р. Белостоцкий, Ю. В. Л ю б а в с к и й, В. М. Овчинников. Основы лазерной техники. Твердотельные ОКГ. М, «Советское радио»,
1972.
731. А. А. Ш е р о н о в. Эффект гашения в оптически связанных инжекционных лазерах на GaAs. ФТП, 3, 368, 1969.
732. R. S a I a t h е, С. Voumard, Н. W е b е г. Optical coupling of two diode lasers. Phys. Status Solidi (a), 20, 527, 1973.
733. К. К о b a у a s h i. An analysis of pulsation in coupled cavity structure semiconductor lasers. Nec Res. and Develop, 31, 72, 1973.
734. О. T a d a h i r o, Y. S h i g e r u. A limitation on repetition rate of pulsations of junction lasers due to the repetitively Q-switched mechanism. IEEE J. Quant. Electron, 9, 366, 1974.
735. П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Л о г и н о в, Е. П. Н и к и-т и н. Внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом. Сб. «Квантовая электроника», № 5,
(17). М, «Советское радио», 1973, стр. 116.
450
736. L. E. H a r g г о v e, R. L. F о г к, М. А. Р о 11 а с к. Locking of Не—Ne laser modes induced by synchronous intracavity modulation. Appl. Phys. Lett., 5, 4, 1964.
737. P. G. Kryukov, V. S. L e t о к h о v. Fluctuation mechanism of ultra-short pulse generation by laser with saturable absorber. IEEE J. QE, 8,
766, 1972.
738. П. Г. Крюков, Ю. A. M а т в e e ц, С. В. Ч e к а л и н. Исследование процессов формирования ультракоротких лазерных импульсов. Препринт ФИАН СССР, № 10, 1974.
739. X. К- Б а х е р т, П. Г. Е л и с е е в, М. А. М а н ь ко, В. К- Петров,
3. Рааб, В. П. Страхов, Чань Мннь Тхай. Исследование пикосекундной структуры и режима ультракоротких импульсов излучения инжекционных лазеров интерферометрическим методом. Квантовая электроника, 1, 1988, 1974.
740. В. Н. М о р о з о в, В. В. Н и к и т и н, А. А. Ш е р о н о в. Самосинхронизация типов колебаний в инжекционном ПКГ на GaAs. Письма ЖЭТФ, 7, 327, 1968.
741. Н. Г. Б а с о в, А. 3. Грасюк, В. А. К а т у л и н. Индуцированное излучение в арсениде галлия при оптическом возбуждении. ДАН СССР,
161, 1306, 1965.
742. Н. Г. Басов, А. 3. Грасюк, И. Г. Зубарев, В. А. К а т у л и н. Генерация в GaAs при двухфотонном оптическом возбуждении излучением ОКГ на неодимовом стекле. Письма ЖЭТФ, 1, 29, 1965.
