Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
773. N. Н о 1 о п у a k, Jr., М. R. J о h п s о п, J. A. EJ о s s i, W. О. Groves. Many-body wavelength shift in a semiconductor laser. Appl. Phys. Lett.,
12, 151, 1968.
452
774. P. D. D а р к u s, N. H о 1 о n у a к, J r, J. *A. R о s s i, F. V. W i 11 i-a m s, D. A. H i g h. Laser transition and wavelength limits of GaAs. J. Appl. Phys., 40, 3300, 1969.
775. J. A. R о s s i, N. H о 1 о n у a k, Jr., P. D. D a p к u s, F. V. W i 11 i-
a m s, J. W. В u r d. Ehe laser transition and photon energy of GaAs in
the lightly-doped limit. Appl. Phys. Lett, 13, 117, 1968.
776. D. L. К e u n e, J. A. R о s s i, N. H о 1 о n у a k, Jr., P. D. D a p к u s.
Time behavior of laser modes in GaAs platelet lasers. J. Appl. Phys,
40, 1934, 1969.
777. P. D. D a p к u s, N. H о 1 о n у a k, Jr., R. D. В u r n h a m, D. L. К e u-n e. Direct observation of a dynamic Burnstein shift in a GaAs: Ge platelet laser. Appl. Phys. Lett, 16, 93, 1970.
778. В. А. Г p e x н e в, В, Д. Курносов, А. А. Плешков, О. H. П р о-зоров, Л. А. Рнвлнн, А, Т. Семенов, В. В. Цветков, В. С. Шнльднев. Переходные процессы в инжекционных квантовых генераторах с сильными оптическими связями. Сб. «Физика электроннодырочных переходов и полупроводниковых приборов». Л., «Наука», 1969, стр. 30.
779. А. Г. Молчанов, Ю. М. П о п о в, А. М. Т р у п и л и н. Усиление света в полупроводниках при рекомбинации экситонов высокой концентрации. Квантовая электроника, 1, 1258, 1974.
. 780. С. Benoit a la Guillaume, J. М. Debever, F. Salvan. Radiative recombination in highly excited CdS. Phys. Rev, 177, 567, 1969.
781. D. M a g d e, H. M a h r. Exciton-exciton interaction in CdS, CdSe and ZnO+. Phys. Rev. Lett, 24, 890, 1970.
782. В. П. Грибковский, H. А. Дроздов, А. А. Патрнн, В. Д. Ткачев, Г. П. Яблонский, Излучательная рекомбинация свободных экситонов в ZnTe прн высоком уровне оптического возбуждения. ЖПС, 21, 1009, 1974.
783. Г, П. Яблонский. Фотолюминесценция и фотопроводимость в тел-луриде цинка при оптическом возбуждении. Автореферат кандидатской диссертации, Минск, 1975.
784. Э. Л. Нолле. Вынужденное излучение света нендеальным экснтон-ным газом в полупроводниках. ФТП, 8, 1463, 1974,
785. Н, Г. Басов, О. В. Богданкевич, А. Г, Девятко в. Возбуждение полупроводникового квантового генератора пучком быстрых
электронов. ДАН СССР, 155, 783, 1964.
786. Н, Г, Басов, О. В. Богданкевич, А, Г. Девятко в. Оптический квантовый генератор на кристалле CdS с возбуждением быстрыми электронами. ЖЭТФ, 47, 1588, 1964,
787. С. Benoit a la Guillaume, J, М. Debever, Effet laser par bom-bardement electronique. «7-e Congr. internat. phys. semiconduct. Paris,
1964, vol. 4». Paris, 1965, 255.
788. С. E. Hurwitz, R.J. Keyes. Electron-beam-pumped GaAs laser.
Appl. Phys. Lett, 5, 139, 1964,
789. C. Benoit a la Guillaume, J. M. Debever. Effet laser dans
l’antimoniure de gallium par bombardement electronique. Compt. Rend. Acad, Sci, 259, 2200, 1964.
790. H. Г. Басов, О. В, Богданкевич, А. Н. Печенов, Г. Б. Абдул а е в, Г. А, А х у н д о в, Э. Ю. С а л а е в. Индуцированное излучение в монокристалле при возбуждении быстрыми электронами. ДАН СССР, 161, 1059, 1965.
791. В. С. Вавилов, Э. Л. Нолле. Оптический квантовый генератор на CdTe с электронным возбуждением. ДАН СССР, 164, 73, 1965.
792. С. Е. Н u г w i t z, A. R. Calawa, R. H. Rediker. Electron beam pumped lasers of PbSe and PbTe. IEEE J. Quant Electron, 1, 102, 1965.
453
793. С.*Е. Н u г w i t z. Efficient ultraviolet laser emission in electron-beam excited ZnS. Appl. Phys. Lett., 9, 116, 1966.
794. A. H. В л а с о в, Г. С. К о з и н а, О. Б. Ф е д о р о в а. Стимулированное излучение монокристаллов теллурида цинка при возбуждении быстрыми электронами. ЖЭТФ, 52, 434, 1967.
795. С. В. Королев, И. М. О л и х о в, .Д. М. Петров. Электронное возбуждение полупроводниковых лазеров. Электр, промышл., № 2, 22,
1973.
796. О. В. Богданкевич. Конструкции и не?<оторые возможные применения полупроводниковых лазеров с возбуждением электронным пучком (обзор). Сб. «Квантовая электроника», № 6 (18). М., «Советское радио», 1973, стр. 5.
797. О. В. Богданкевич, В. В. К а л е н д и н, И. В. Крюкова, И. Б. Ковш. Характеристики квантового генератора на арсениде галлия с накачкой пучком электронов высокой энергии. Сб. «Квантовая электроника», № 3. М., «Советское радио», 1971, стр. 29.
798. Н. А. Борисов, Б. М. Л а в р у ш и н, Л. В. Лебедев, С. С. Стрельченко. Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия с двойным легированием. Квантовая электроника, 1, 2399, 1974.
799. Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, И. Т. Рассохин, А. Ф. Узкий. Полупроводниковые лазеры с гетероструктурой при электронной накачке. Квантовая электроника, I, 141, 1974.
800. О. В. Богданкевич, Б. И. Васильев, А. С. Насибов, А. Н. П е ч е н о в. Вынужденная синхронизация продольных мод в полупроводниковом лазере с электронной накачкой. Квантовая электроника, 1, 1264, 1974.
801. О. В. Богданкевич, Б. И. Васильев, А. С. Насибов, А. 3. О б и д и н, А. Н. П е ч е н о в, М. М. Зверев. Исследование динамики излучения полупроводникового лазера типа «излучающее зеркало» с внешним резонатором. Квантовая электроника, 1, 149, 1974.
