Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.
Скачать (прямая ссылка):
553. В. М. А с н и и, А. А. Р о г а ч е в, Н. И. С а б л и и а. Электронно-дырочные капли в германии. ФТТ, 14, 399, 1972.
554. В. С. Вавилов, В. А. 3 а я ц, В. Н. Мурз и и. Низкотемпературное резонансное поглощение н излучение Ge в далекой инфракрасной области при оптической генерации носителей. Сб. «Экситоны в полупроводниках». М., «Наука», 1971, стр. 32.
555. Я. Е. Покровский, К. И. Свистунов а, Н. В. А л к и е в. Влияние зонной структуры на механизм рекомбинации конденсированных носителей заряда в германии, кремнии и их сплавах. ФТТ, 14, 3306, 1972.
556. В. С. Б а г а е в, Т. И. Г а л к и и а, О. В. Г о г о л и н, Л. В. К е л д ы ш. Движение электронно-дырочных капель в германии. Письма ЖЭТФ,
10, 309, 1969.
- 557. В. С. Б а г а е в, Т. И. Галкина, О. В. Г о г о л и и. Коллективные свойства экситонов в Ge. Сб. «Экситоны в полупроводниках». М., «Наука», 1971, стр. 19.
558. Б. М. А ш к и н а д з е, И. П. Крецу, А. А. П а т р и и, И. Д. Я р о-шецкий. Коллективные свойства экситонов в кремнии в условиях одноосного сжатия. ФТП, 4, 2206, 1970.
559. А. Эйнштейн. Квантовая теория одноатомного идеального газа. Второе сообщение. Собрание научных трудов, 3. М., «Наука», 1966, стр. 489.
560. С. А. Москаленко. Обратимые оптикогидродинамические явления в низкотемпературном идеальном экситонном газе. ФТТ, 4, 276, 1962.
561. С. А. Москаленко. О фазовом переходе второго рода при бозе-эйнштейновской конденсации экситонов в деформированной решетке. ЖЭТФ, 45, 1159, 1963.
562. С. А. Москаленко. Бозе-эйнштейновская конденсация экситонов и биэкситонов. Кишинев, Изд-во АН МССР, 1970.
563. Е. Ханамура. Теория спектра излучения полупроводников при больших плотностях возбуждения. Изд-во АН СССР, сер. физич., 37,
347, 1973.
564. Н. К и г о d a, S. S h i о п о у а, Н. S a i t о, Е. Н а п а m u г a. Observation of the Bose condensation of excitonic molecules in CdSe. Solid State Commun., 12, 533, 1973.
565. H. Kuroda, S. Shionoya, H. Saito, E. Saito, E. Hanamu-ra. Bose Condensation of Excitonic Molecules in CdSe. Solid State Commun. J. Phys. Soc., Japan, 35, 534, 1973.
566. Y. S e g a w a, S. N a m b a. Stress-induced stimulated emission from excitonic molecule in CdS. Solid State Commun., 14, 779, 1974.
567. Ya. I. Pokrovski i. Condensation of non-equilibrium charge carriers in semiconductors. Phys. Stat. Solidi (a), 11, 385, 1972.
568. И. М. Д у и с к а я. Возникновение квантовой электроники М , «Наука», 1974.
569. Н. Г. Б а с о в, О. Н. К Р о х и и, Ю. М. Попов. Получение состояний с отрицательной температурой в р—я-пеоеходах вырожденных полупроводников. ЖЭТФ, 40, 1879, 1961.
570. М. G. A. Bernard, G. Duraffourg. Laser conditions in semiconductors. Phys. Stat. Solid, 1, 69, 1961.
571. Э. Г. Пестов, Г. М. Л а ш и н. Квантовая электроника. М., Воен-издат, 1972.
572. А. П. Иванов. Оптика рассеивающих сред. Минск, «Наука и техника», 1969.
573. Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Влияние вырождения энергетических уровней и потерь радиации на оптические характеристики трехуровневого квантового генератора. ДАН БССР, 7, 17, 1963.
442
I
574. Ю. А. А н а и ь е в, В. П. Г р иб к о в с к и й, А. А. М а к, Б. И. С т е-панов. Оптические свойства четырехуровневого квантового генератора. ДАН СССР, 150, 507, 1963.
575. Б. И. С т е п а н о в, А. М. С а м с о н, В. П. Г р и б к о в с к и й. Влияние характеристик вещества иа свойства генерируемого излучения. Изв. АН СССР, сер. физич, 27, 473, 1963.
576. Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Учет расщепления ме-тастабильного .уровня трехуровневого квантового генератора. ДАН БССР, 7, 305, 1963.
577. В. П. Грибковский, В. В. Кузнецова. О возможности получения отрицательного коэффициента поглощения в хелатных соединениях редкоземельных элементов. ЖПС, 1, 340, 1964.
578. Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Определение возможности получения инверсной заселенности уровней на основании люминесцентно-спектроскопических характеристик вещества. Изв. АН СССР, сер. физич., 29, 1335, 1965.
579. Н. Г. Б а с о в, Б. М. В у м, Ю. М. П о п о в. Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний. ЖЭТФ, 37, 587, 1959.
580. Н. Г. Б а с о в, О. Н. Е р о х и н, Ю. М. П о п о в. Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучения с помощью квантовых систем. УФН, 72, 161, 1960.
581. Э. И. А д и р о в и ч, Е. М. К у з н е ц о в а. О возможности инверсного распределения электронов в вырожденных полупроводниках. ФТТ, 3, 3339, 1961.
582. Д. Н. Н а с л е д о в, А. А. Рогачев, С. М. Р ы в к и н, Б. В. Царе н к о в. Рекомбинационное излучение арсенида галлия. ФТТ, 4, 1062, 1962.
583. R. N. Н а 11, G. Е. Fenner, J. О. К i п s 1 е у, Т. J. S о 11 у s, R. О. К а г 1 s о п. Coherent light emission from GaAs junctions. Phys. Rev, Lett., 9, 366, 1962.
584. М. I. N a t h a n, W. P. D u m k e, G. Burns, F. H. D i 11, G. L a s h e r. Stimulated emission of radiation from CaAs p-п junctions. Appl. Phys. Lett., 1, 63, 1962.
585. Т. M. Q u i s t, R. H. R e d i k e r, R. J. К e у e r s, W. E. К г a g, B. L'ax,
