Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Грибковский В.П. -> "Теория поглощения и испускания света в полупроводниках" -> 166

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках - Грибковский В.П.

Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках — М.: Наука и техника , 1975. — 464 c.
Скачать (прямая ссылка): teoriyapoglosheniyaiispuskaniya1975.djvu
Предыдущая << 1 .. 160 161 162 163 164 165 < 166 > 167 168 169 170 171 172 .. 176 >> Следующая

618. C. J. Lasher. Threshold relations and diffraction loss for injection lasers. IBM, j., 7, 58, 1963.
619. В. К- Коионенксх О ширине полосы люминесценции в лазерных диодах. Изв. АН БССР, сер. физ.-матем., № 4, 106, 1970.
620. О. V. В о g d а п k е v i с h, N. А. В о г i s о v, I. V. К г и к о v а, В. М. Lavrushin. Temperature dependence of laser threshold current density and emission spectra in electronbeam pumped gallium arsenide lasers. Phys. Stat. Sol., 29, 715, 1968.
621. В. К- К о н о н е н к о. Об учете поглощения свободными носителями в активной области полупроводникового лазера. ЖПС, 11, 1012, 1969.
622. V. I. Osin sky, N. N. Winogradoff. Excitation and temperature dependence of band-edge photoluminescence in gallium arsenide. Phys. Rev., B., 3, 3341, 1971.
623. Г. E. Пику с. Пороговый ток полупроводникового лазера. ФТТ, 7, 3536, 1965.
624. L. P. G о d е п к о, V. S. М a s h к е v i с h. Threshold theory of laser generation in p—n junctions with exponential band tails. Phys. Stat. Solidi (a), 17, 125, 1973.
625. C. J. Hwang. Properties of spontaneous and stimulated emission in GaAs junction lasers. II. Temperature dependence of threshold current and excitation dependence of superradiance spectra. Phys. Rev., В 2, 4126, 1970.
626. В. П. Грибковский, В. К- Коноиенко, В. А. Самойлюко-в и ч. О выходной мощности и к.п.д. иижекционного лазера, ФТП, 5, 1606, 1971.
С27. М. Н. Р i 1 k u h п, Н. S. R и р р г е с h t. Junction heating of GaAs injection lasers during continuous operation. IBM J. Res. and Developm,
9, 400, 1965.
628. В. Ф. Воронин, В. П. Грибковский, В. А. Самойлюкович. Корреляция между внутренним дифференциальным квантовым выходом генерации и картиной ближнего поля инжекционных лазеров. ЖПС, 14, 531, 1971.
629. Ю. И. К р у ж и л и н, В. И. III в е й к и н. О предельной эффективности иижекционного лазера. Радиотехника и электроника, 13, 1628, 1968.
630. G. Cheroff, F. Stern, S. Triebwasser. Quantum efficiency of GaAs injection lasers. Appl. Phys. Lett., 2, 173, 1963.
631. В. П. Грибковский, В. К- Кононенко, В. А. Самойлюкович. Влияние термообработки иа характеристики инжекционных лазеров. Сб. «Квантовая электроника», № 9. М., «Советское радио» 1172, стр. 103.
632. В. А. Самойлюкович. Исследование внутренних параметров GaAs инжекционных лазеров. Автореферат кандидатской диссертации. Ин-т физики АН БССР. Минск, 1971.
633. В. Г. К а р и а у х о в, И. В. Крюкова, А. И. Петров. Влияние структуры р—n-перехода иа параметры лазерных диодов из арсенида галлия. ФТП, 1. 1362, 1967.
445
634. HJ). И. Кружил ин. Параметры активной области инжекциониого лазера. Сб. «Физика электроиио-дырочных переходов и полупроводниковых приборов». Л., «Наука», 1969, стр. 64.
635. Г. Т. Пак, А. И. Петров, Е. Г. Ф а й н б о м, Н. П. Черноусое,
В. И. Швейки н, И. В. Я шумов. Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300 °К Квантовая электроника, № 5. М., «Советское радио», 1971, стр. 99.
636. Дж. Бирнбаум. Оптические квантовые генераторы. М., «Советское радио», 1967.
637. Л. А. Вайнштейн. Открытые резонаторы и открытые волноводы. М., 1966.
638. Дж. Джексон. Классическая электродинамика. М., «Мир», 1965.
639. А. Ф о к с, Т. Л и. Резонансные типы колебаний в интерферометре квантового генератора. Сб. «Лазеры». М., 1963, стр. 325.
640. Н. Kogelnik, W. W. Rigrod. Visual display of isolated optical resonator modes. Proc. IRE, 50, 220, 1962.
641. П. H. Елисеев, В. П. Страхов. Одномодовая генерации в инжекционных лазерах. Письма ЖЭТФ, 16, 606, 1972.
642. Е. D. Н i n k 1 е у, С. F г е е d. Direct observation of the Lorentzian line shape as limited by quantum phase noise in a laser above threshold. Phys. Rev. Lett., 23, 277, 1969.
643. П. Г. Елисеев, H. H. Шуйкии. Одномодовые и одночастотные иижекциоиные лазеры (обзор). Сб. «Квантовая электроника», № 3 (15). М., «Советское радио», 1973, стр. 5.
644. П. Г. Елисеев. Исследование инжекционных квантовых генераторов. Труды ФИАН СССР, 52. М., «Наука», 1970, стр. 3.
645. И. И. 3 а с а в и ц к и й, А. И. Лихтер, Э. Г. П е л ь, А. П. Ш о т о в. Перестройка частоты излучения инжекционных лазеров иа основе PbSe при гидростатических давлениях. ФТП, 6, 2206, 1972.
646. И. И. Засавицкий, Б. Н. Мационашвили, В. И. Погодин,
А. П. Ш о т о в. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров Pbi-xSn*Se. ФТП, 8, 732, 1974.
647. N. В. R a t е 1, J. Е. Ripper, Р. В rosso n. Behavior of threshold current and polarization of stimulated emission of GaAs injection lasers under uniaxial stress. IEEE J. Quant. Electron., 9, 338, 1973.
648. K. W. N i 11, F. А. В 1 u m, A. R. С a 1 a w a, T, C. Harman. Higr.-resolution spectroscopy using magnetic-field-tuned semiconductor laseij. Appl. Phys. Lett., 21, 132, 1972.
649. С. П. Гричешкина, А. П. Шотов. Сдвиг линии излучения инжекционных лазеров иа основе InSb при увеличении концентрации акцепторных примесей. Краткие сообщ. по физ., № 7, 33, 1973.
650. Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, Т. Я. Белоусова, В. И. Бородулин, В. А. Гор бы л ев, Г. Т. Пак, А. И. П е т р о в, Е. Л. Портной, Н. П. Черноусое, В. И. Швейки н, И. В. Я ш у м о в. Эффективные инжекционные гетеролазеры, работающие в диапазоне длин волн 7400—9000 А. ФТП, 6, 568, 1972.
Предыдущая << 1 .. 160 161 162 163 164 165 < 166 > 167 168 169 170 171 172 .. 176 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed