Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Зи С. -> "Физика полупроводниковых приборов Книга 2" -> 144

Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов Книга 2 — М.: Мир, 1984. — 456 c.
Скачать (прямая ссылка): fizikapoluprovodnikovihpriborov21984.djvu
Предыдущая << 1 .. 138 139 140 141 142 143 < 144 > 145 >> Следующая

- тиристора с электродом в форме
эвольвенты 231 Структуры с фаской 208
Температура "горячих" точек 183 Теорема Блоха 16
Теория термоэлектронной эмиссии 267
Тепловая неустойчивость 105 Тепловые свойства полупроводников 49 Тепловой
шум 119 Тиристоры 203, 232, 235 Ток отсечки канала 331 Тонкопленочный
транзистор 74 Тормозное излучение 273 Точечно-контактный выпрямитель
310
Транзистор с проницаемой базой 196, 198
- со ступенчатым электродом 178 Транзисторы на горячих электронах
195
- с'''гетеропереходом 195 Трехфазный ПЗС 433, 442 Триак 245
Триодный тиристор 221 Туннелирование носителей 94 Туннельная
спектроскопия 119 Туннельный диод 96
-----вольт-амперные характеристики
109
- МДП-диод 122-129
- МДМ-диод 137
-----скорость переключения 117
-----частота отсечки 116
- транзистор 142
- механизм проводимости 424
- ток 276
- эффект 105
Ударная ионизация 51, 53, 106 Удельная обнаружительная способность 343
Удельное сопротивление 36 Униполярная структура выпрямителя 131
Уравнение Пуассона 116, 133, 330, 382
- Шредингера 16 Уравнения Максвелла 58 Уровень инжекции 43
- Ферми 23
Предметный указатель
453
Условие лавинного пробоя 152
- электронейтральности 29, 382
Фактор вырождения донорного уровня 29
- неидеальности 308, 356 Фликер-шум 120 Фононные спектры 45 Формула
Шокли 95, 120 Фотодетекторы 339 Фотодиод 345
- с барьером Шоттки 357
----- гетеропереходом 360-361
Фоторезистор 339 Фототиристор 237 Фототранзистор 382 Фотоэлектрический
метод 300 Функция Гаусса 74
- распределения Ферми - Дирака 22
- Эр ми та - Гаусса 313
Хвосты плотности состояний 316 Холловская подвижность 36, 40
Частота отсечки 168 Число Гуммеля 148 Ширина запрещенной зоны 18 Шкала
электроотрицательности 290 Шум лавинного умножения 367
- генерационно-рекомбинационный
343
- дробовой 120
- тепловой 119 Шумовая постоянная 118 Шумовое отношение 188 Шум-
фактор 175, 361, 118, 364
Шумовые характеристики полевых транзисторов 361 Шумы 119
Экситон 48
Электроды переноса 434 Электролюминесценция 270
- методы возбуждения 277 Электронное сродство 259, 378
Электроотрицательность 289 Эмиссия Пула - Френкеля 423 Энергетические
зоны 16 Энергонезависимые элементы памяти
78
-----время хранения информа-
ции 86 Энергия ионизации 27 Эпитаксиальное выращивание 72 Эпитаксиальные
структуры 71 Эффект Ганна 226-227
- dV/dt 229
- Кирка 155
- междолинного перехода электронов
см. эффект Ганна 226-227
- ограничения объемным зарядом 205
- постоянной Ричардсона 274
- Холла 36, 38
- Шоттки 262
Эффективная постоянная Ричардсона 135
Эффективное время жизни носителей 97
Эффективность переноса 439
- преобразования 393 идеальная 395
Яркостный эквивалент излучения 287
Ячейка Вигнера - Зейтца 15
Оглавление
Глава 8. МОП-транзисторы.............................................
5
8.1. Введение ................................................... 5
8.2. Основные характеристики..................................... 7
8.3. Неоднородное легирование и приборы со скрытым каналом. . 32
8.4. Короткоканальные эффекты.................................... 47
8.5. МОП-транзисторные структуры................................. 67
8.6. Энергонезависимые элементы памяти........................... 78
Литература ..................................................... 90
ЧАСТЬ IV. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ СВЧ-ДИА ПА-
ЗОНА .................................................. 94
Глава 9. Туннельные приборы.......................................
94
9.1. Введение ................................................. 94
9.2. Туннельный диод.......................................... 96
9.3. Обращенный диод.......................................... 119
9.4. Туннельный МДП-диод...................................... 122
9.5. Переключающий МДП-диод.................................... 133
9.6. Туннельный МДМ-диод....................................... 137
9.7. Туннельный транзистор.................................... 142
Литература ..................................................... 147
Глава 10. Лавинно-пролетные диоды и другие приборы на пролетных
эффектах .................................................. 150
10.1. Введение ................................................. 150
10.2. Статические характеристики................................ 152
10.3. Динамические характеристики............................... 162
10.4. Мощность и коэффициент полезного действия................. 171
10.5. Шумы ЛПД.................................................. 186
10.6. Конструкция прибора и характеристики...................... 191
10.7. Инжекционно-пролетные диоды и двухскоростные пролетные
диоды ..................................................... 201
10.8. Пролетный диод с захваченным объемным зарядом лавины . . 216
Литература ..................................................... 221
Глава II. Приборы на эффекте междолинного перехода электронов. . . 226
11.1. Введение ................................................. 226
11.2. Эффект междолинного перехода электронов................... 227
Предыдущая << 1 .. 138 139 140 141 142 143 < 144 > 145 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed