Физика полупроводниковых приборов Книга 2 - Зи С.
Скачать (прямая ссылка):
с
рад "
мкм или А Гц
Г н•см-1 см2 • В"1 см2 • В-1 Ом-см В В
в в
см-1 Ом
-г
-1
Приложение Б. Международная система единиц
Величина Единица Символ Размерность
Длина Метр м
Масса Килограмм кг
Время Секунда с
Температура Кельвин К
Ток Ампер А
Частота Герц Гц С-1
Сила Ньютон Н КГ • м • с-2
Давление Паскаль Па Н-м-2
Энергия Джоуль Дж Н-м
Мощность Ватт Вт Дж-с-1
Электрический заряд Кулон Кл А-с
Потенциал Вольт В Дж-Кл-1
Проводимость Сименс Су. Al-B"1
Сопротивление Ом Ом В-А"1
Емкость Фарада Ф Кл-В"1
Магнитный поток Вебер Вб В-с
Магнитная индукция Тесла Тл Вб-м"2
Индуктивность Генри Гн Вб • А-1
Величина
Символ
Приложение В. Физические константы
Значение
1 А = 10~4 мкм = 10-8 см 6,02204-1023 моль-1 0,52917 А
1,38066-10~23 Дж-Кг1 1,60218-10-19 Кл 0,91095- Ю-30 кг
Ангстрем о А
Число Авогадро Navo
Боровский радиус од
Постоянная Больцмана k
Элементарный заряд Ч
Масса свободного электрона Щ
Приложений
445
Величина Символ
Электронвольт эВ
Газовая постоянная R
Магнитная проницаемость ва- (х0
куума
Диэлектрическая проницае- е0
мость вакуума
Постоянная Планка h
Редуцированная постоянная h
Планка
Масса протона Мр
Скорость света в вакууме с
Стандартная атмосфера
Напряжение, соответствующее kTlq
температуре 300 К
Длина волны фотона с энер- к
гией 1 эВ
Продолжение прилож. В
Значение
1 эВ = 1,60218-10"19 Дж =
- 23,053 ккал-моль-1 1,98719 кал-моль-1 К-1 1,25663-10-8 Гн-см-1 (4я-
Ю"8)
8,85418-10-14 Ф-см-1 (1/[А0с2)
6,62617-10~34 Дж-с 1,05458-10"34 Дж-с
1г =
2п
1,67264-1О"27 кг 2,99792-1О10 см-с"1
1,01325-10б Н-м'2 0,0259 В
1,23977 мкм
Приложение Г. Постоянные решеток
Элемент Название Кристал- лическая
или соединение струк-
Элемент С Углерод (алмаз) тура 1 D
Ge Германий D
Si Кремний D
Sn Серое олово D
Соединения типа Aivbiv Карбид кремния W
AiHBV AlAs Арсенид алюминия Z
A1P Фосфид алюминия Z
AlSb Антимонид алюминия Z
BN Нитрид бора Z
BP Фосфид бора Z
GaAs Арсенид галлия Z
GaN Нитрид галлия W
GaP Фосфид галлия Z
GaSb Антимонид галлия Z
InAs Арсенид индия Z
InP Фосфид индия Z
InSb Антимонид индия Z
АпВу1 CdS Сульфид кадмия Z
CdS Сульфид кадмия W
CdSe Селенид кадмия Z
CdTe Теллурид кадмия Z
ZnO Окись цинка R
ZnS Сульфид цинка Z
ZnS Сульфид цинка W
Aivfivi PbS Сульфид свинца R
PbTe Теллурид свинца R
1 о - структура алмаза, W - структура вюрцита,
обманки, R - - структура каменной соли.
Постоянная решетки при 300 К (А)
3,56683
5,64613
5,43095
6,48920
а 3,086, с = 15,117 5,6605 5,4510 6,1355 3,6150 4,5380 5,6533 а = 3,189,
с= 5,185 5,4512 6,0959 6,0584 5,8686 6,4794 5,8320 а = 4,16, с = 6,756
6,050 6,482 4,580 5,420 а = 3,82, с = 6,26 5,9362 6,4620
Z - структура цинковой
Приложение Д. Физические параметры важнейших полупроводников
Полупроводники Ширина запрещенной зоны, Эв Подвижность 1 при
300 К. см2-В-1-с-1 Зона 2 Эффективная масса т*/т0
6s/eo
300 к о К электронов дырок электронов дырок
Элементарные С 5,47 5,48 1 800 1200 I 0,2 0,25 5,7
Ge 0,66 0,74 3 900 1900 I 1,64 3) 0,04 5> 16,0
0,082 4> 0,28 6>
Si 1,12 1,17 1 500 450 I 0,98 3) 0,165> 11,9
0,19 4) 0,49 6>
Sn 0,082 1 400 1200 D
Соединения типа
AIVBIV a-SiC 2,996 3,03 400 50 I 0,60 1,00 10,0
Типа АШ Bv AlSb 1,58 1,68 200 420 I 0,12 0,98 14,4
BN 7,5 I 7,1
BP 2,0
GaN 3,36 3,50 380 0,19 0,60 12,2
GaSb 0,72 0,81 5 000 850 D 0,042 0,40 15,7
GaAs 1,42 1,52 8 500 400 D 0,067 0,082 13,1
GaP 2,26 2,34 110 75 I 0,82 0,60 11,6
InSb 0,17 0,23 80 000 1250 D 0,0145 0,40 17,7
In As 0,36 0,42 33 000 460 D 0,023 0,40 14,6
InP 1,35 1,42 4 600 150 D 0,077 0,64 12,4
Типа AHBVI CdS 2,42 2,56 340 50 D 0,21 0,80 5,4
CdSe 1,70 1,85 800 D 0,13 0,45 10,0
CdTe 1,56 1 050 100 D 10,2
ZnO 3,35 3,42 200 180 D 0,27 9,0
ZnS 3,68 3,84 165 5 D 0,40 5,2
Типа AIVBVI PbS 0,41 0,286 600 700 I 0,25 0,25 17,0
PbTe 0,31 0,19 6 000 4000 1 0,17 0,20 30,0
05
1) Здесь приведены значения подвижности, измеренные в наиболее чистых и
совершенных на сегодняшний день материалах.
*) I - непрямая зона; D - прямая зона.
Продольная эффективная масса. Поперечная эффективная масса. Эффективная
масса легких дырок. Эффективная масса тяжелых дырок.
Приложения
П риложения
447
Приложение Е. Свойства Ge, Si и GaAs при температуре 300 К
Ge S1 GaAs
Число атомов в 1 см3 4,42-1022 5,0- 10й 4,42'1022
Атомный вес 72,60 28,09 144,63
Поле пробоя, В-см'1 ~105 -3-Ю5 -4-105
Кристаллическая структура Структура Структура Структура цинко-
алмаза алмаза вой обманки
Плотность, г-см-3 5,3267 2,328 5,32
Диэлектрическая постоян- 16,0 11,9 13,1
ная Эффективная плотность со- 1,04-Ю18 2,8- 10lw 4,7-1017
стояний в зоне проводимости Nq, см-3 Эффективная плотность со- 6,0-
ю18 1,04 • 1019 7,0-1017
стояний в валентной зоне Ny, см-3 Эффективная масса т*1т0 электронов
mj ~ 1,64 тJ - 0,98 0,067
дырок т* = 0,082 т* = 0,19
m*lh = 0,044 mfh = 0,16 m*h = 0,082
mlh = 0,28 mhh = °-49 mhh = °'45
Электронное сродство 4,0 4,05 4,07
